用于微型计算机的有源矩阵液晶显示器控制模块的设计

为了用ＴＦＴＡＭＬＣＤ作为微型计算机的监视器，根据目前ＴＦＴＡＭＬＣＤ屏的水平并基于ＣＧＡ的显示标准，设计了ＴＦＴＡＭＬＣＤ控制模块，该模块包括液晶显示控制器（ＬＣＤＣ）、编码电路、显存等几部分，它能够满足ＣＧＡ的所有标准，正确接收和支持ＣＰＵ指令，支持ＲＯＭ－ＢＩＯＳ例程；能够提供液晶显示组件所需的各种控制信号，尤其是与ＣＲＴ不同的信号。测试结果表明，利用所设计的控制模块能够用ＴＦＴＡＭＬＣＤ取代ＣＲＴ终端，实现ＣＧＡ方式的显示。     

GaN基场效应器件Monte Carlo模拟

基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Monte Carlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布,最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.     

MOSFET器件热载流子效应SPICE模型

为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理意义及其受热载流子效应影响的物理机理,建立了器件各电学参数在直流应力下的退化模型.最后,依据准静态方法将该模型应用于热载流子交流退化模型中.实验数据显示,直流和交流退化模型的仿真结果与实测结果的均方根误差分别为3.8%和4.5%.该模型能准确反映MOSFET器件应力下电学参数的退化情况,且为包含MOSFET器件的电路的性能退化研究提供了模拟依据.     

一种基于SET/CMOS电路的二阶低通滤波器

在研究单电子晶体管(single electron transistor，SET)I-V特性的基础上，依据分区处理法，设计了一个SET、积分器电路，并采用级联方法实现了一个SET／CMOS二阶低通滤波器。仿真结果表明，该滤波器的幅频特性增益比采用其它方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的幅频特性增益高出1倍多。     

组合扫描电路及其性能

论述了恒流管—自举式组合扫描电路的工作原理,并且引入优劣系数、极限参数,论证了其性能比恒流管充电式、自举式扫描电路的更佳。     

PDP选址驱动芯片高压管设计

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出，其中高压管的设计是关键，文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV—CMOS结构及其中的高低压转换电路，采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析；通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V，工作电流大于40mA。     

智能MOSFET在汽车电子系统中的应用

针对智能MOSFET( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 在汽车电子系统应用中遇到的问题,提出了相应的技术解决方案: 针对智能MOSFET 在电源反接、短路、过载以及抛负载工况下的损坏问题,提出了硬件保护电路及软件控制策略; 针对智能MOSFET 的电流反馈精度差,无法满足控制精度,提出通过标定提高检测精度的方法。通过并联智能MOSFET 降低导通电阻,提高了回路的通流能力。通过在负载两端并联TVS( Transient Voltage Suppressor) ,解决了智能MOSFET 钳位能量能力不足问题。通过试验及实车测试,验证了方案的可行性和有效性。     

MCML单元电路晶体管尺寸设计

通过建立数学模型得出功耗延时积最优化时对应的MCML电路工作的电流,在matlab环境下得出晶体管大小的最优化算法,由电流和约束条件确定电流源、逻辑运算、有源负载晶体管尺寸大小。     

提高串联型开关稳压电源效率的途径

本文从理论上分析了影响开关电源效率的各种因素，并给出了提高效率的途径和方法。     

液滴喷射技术在全聚合物薄膜晶体管制备中的应用

研究液滴喷射技术在全聚合物薄膜晶体管制备中的应用,并着重分析电极材料在预成型基底表面的沉积扩散情况。通过数值模拟,分析隔断材料、液滴与隔断间距、液滴碰撞速度3个因素对沉积的影响。结果发现,只有当这3个要素配置合理时,才能保证液滴的正常沉积,从而保证晶体管的质量。例如,当隔断材料采用聚酰亚胺,沟道宽度为5μm,液滴与隔断间距为30μm,液滴碰撞速度为4m/s时,液滴能够正常沉积,晶体管的质量得到保证。本文结果可为TFTs的制作提供一定的参考。