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891.
卤化银选择电极对干扰离子的动力学响应 总被引:1,自引:0,他引:1
用活度阶梯法研究了AgI和 AgBr电极对干扰离子的瞬时响应信号。对于非单一瞬时信号,所测定的平衡电位选择性系数符合相应化合物的溶度积比值,证实瞬时信号产生的机理是离子交换反应。离子交换产物的溶度积越小,离子水合焓差越小,瞬时信号负峰高度越大,水合焓差还可以解释正负峰高度比,这些都证明瞬时信号峰电位是决定于离子交换速度而不是离子扩散速度。瞬时信号是非单一型还是单一型决定于平衡时离子交换产物的摩尔分数和干扰离子浓度,也与两离子的水合焓差有关。 相似文献
892.
借助Au-S的作用,将L-半胱氨酸组装在纳米金电极表面上,利用罗丹明B(Rhodamine B)与L-半胱氨酸之间静电的作用,将罗丹明B间接组装于纳米金电极表面,构建罗丹明B纳米金电极。采用差分脉冲伏安法,研究十二烷基苯磺酸钠在罗丹明B纳米金电极上的电化学反应,实验结果表明,在pH为4.75的醋酸-醋酸钠缓冲液中,罗丹明B纳米金电极在0—2.0×10-6g/L范围测定十二烷基苯磺酸钠的线性较好,对十二烷基苯磺酸钠检出限为2.4×10-9g/L。 相似文献
893.
用气体电量计法分解极化曲线研究了温度对PbO2,Pt电极上Ce^4+阳极形成过程的影响,得到了两电极上Ce^4+和O2的表现活化能,在Pt电极上Ce^4+的活化能在于O2的活化能;温度升高时使Ce^4+的电流效率升高,但PbO2电极上Ce^4+的活化能小于O2的活化能,温度升高时Ce^4+的是流效率降低,研究了不同Ce^3+浓度对Ti/Pt基MnO2电极上Ce^4+阳极形成过程的影响,得到出该反应 相似文献
894.
脉冲流光电晕脱硫反应器电极配置数值模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
线-板式非热等离子体烟气脱硫反应器的电极配置形式是影响反应器脉冲流光电晕放电特性及脱硫效率的主要因素之一,线-板电极的配置在一定范围内存在最优方案.从工程应用角度出发,在分析脉冲流光电晕放电机理的基础上,进行了反应器静电场数值模拟,得出了不同电极配置的静电场分布,结合流光形成、发展和传播所必备的静电场条件,优化电极配置.数值模拟结果表明:在施加峰值电压为80kV,放电极半径为0.2cm,线-板间距为10cm时,线线最佳间距为6~8cm. 相似文献
895.
设计与开发了以工控机为核心,以MCGS组态软件为开发平台,基于可编程超声波精密传感器的电极长度实时测控系统.提出了实时测量电极挤出长度并控制电极挤出速度的方法.该系统通过测量电极剪切端面与传感器之间的距离,计算电极的挤出长度,并以电极长度为反馈量控制电极挤压速度,实现了电极剪切的零速定位.实际运行表明,系统可靠、有效,电极长度误差小于10mm. 相似文献
896.
以射频(RF)磁控溅射法分别在Si(111)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上溅射沉积LaNiO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理(500℃/10min)。X射线衍射(XRD)分析表明:Si(111)基底上LNO电极表现出高度的(100)取向,而Pt(111)/Ti/SiO2/Si基底上LNO电极则表现较强的(111)择优取向。然后在(100)LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度(100)取向的PZT铁电薄膜。 相似文献
897.
对多金属氧酸盐基的各类化合物修饰电极的研究近况进行了综述,分别介绍了多金属氧酸盐基的化合物修饰电极的制备方法及其电催化研究情况,并对其发展方向进行了展望。 相似文献
898.
饮料中总酸量测定,多用中和滴定法和电位滴定法,但是,有色饮料难以准确判断滴定终点,混合弱有机酸的测定,用电位滴定法,滴定突跃也不明显,而且各种不同品种的饮料其滴定突跃的pH范围相差较大,难以与作为标准的柠橡酸的突跃范围一致。 相似文献
899.
900.
用β-环糊精(β-CD)制成修饰碳糊电极,循环伏安法研究槲皮素在 β-CD 修饰碳糊电极上的电化学行为。结果显示:当以 pH =5 的磷酸缓冲溶液(PBS)为底液,扫描速率为 80 mV/s 时,槲皮素在 β-CD 修饰电极上的电化学信号最大,当槲皮素浓度在 5. 0 ×10 7~ 1. 0 ×10 4mol. L 1范围内,槲皮素峰电流与其浓度呈良好的线性关系,其线性方程为 Ip(μA)=7. 809 + 2. 848 ×105c(mol. L 1),相关系数为0.999 6,检出限为 6. 3 ×10 8mol. L 1。 相似文献