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21.
用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱. 相似文献
22.
铋层状结构压电材料的掺杂改性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N. 相似文献
23.
以异丙醇铝和Y(NO3)3为主要原料,用溶胶-凝胶法制备掺杂钇的无支撑Al2O3膜,采用XRD、DTA-TG、BET等测试手段分析钇的掺杂对Al2O3膜的物相组成、热稳定性、以及Al2O3膜孔结构在不同煅烧温度时的影响.研究结果表明:掺杂钇能提高γ-Al2O3相向α-Al2O3相的转变温度和Al2O3膜的热稳定性.钇的掺杂也明显了改善了Al2O3膜在高温煅烧中的孔结构参数. 相似文献
24.
锂离子电池用正极材料Li(Co0.2-XNi0.8MnX)O2的合成制备研究 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了一种制备新型锂离子电池正极材料的工艺方法.通过采用溶胶凝胶法(sol-gel法合成了新型电池正极材料Li(Co0.2-XNi0.8MnX)O2。并采用XRD方法分析了材料的相变过程、烧结温度、烧结时间对材料相合成的影响及不Mn/Co比掺杂对材料相变的影响;通过SEM照片可见,Li(Co0.2-XNi0.8MnX)O2粉末元素分布均匀、粒径为1~4微米.为今后进行充放电性能的测试工作做准备. 相似文献
25.
在考虑B,P,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上,讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响,提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型,由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。 相似文献
26.
研究水溶液成胶制备氧化铝过程中,掺杂氧化镧及利用聚乙二醇助成胶对氧化铝热稳定性和比表面的影响。通过XRD表征手段和TG检测方法来检测氧化铝在不同温度焙烧后的晶相改变和热失重情况,并利用BET检测方法检测不同温度焙烧后的比表面。实验结果表明,氧化镧的掺杂可提高氧化铝的热稳定性,利用聚乙二醇助成胶可有效提高氧化铝的比表面。 相似文献
27.
以LiNO3,Mn(NO3)2和弱有机酸为原料,将其按一定比例混合,先于低温蒸干水分,再在250℃加热1h,得到黑色前驱物粉末;将前驱物在650~800℃焙烧10~20h便可得到LiMn2O4晶体.此外,研究了生产LiMn2O4晶体过程中温度及添加Ni,Co,Al对LiMn2O4晶化程度和结晶结构的影响.研究结果表明:利用液相法可以使反应物充分反应,能够得到晶形完整、结晶度高的尖晶石型LiMn2O4;并通过该液相法能更均匀掺杂,得到晶粒粒径更小的掺杂Ni,Co,Al型LiMxMn2-xO4. 相似文献
28.
掺硅对铁黄合成过程及铁黄形态的影响:I.掺硅时间和掺硅… 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了掺硅时间和掺硅量对铁黄形态及结构的影响规律,制得了分布均匀、无枝叉的超细铁黄,其平均长轴为0.2 ̄0.25μm,轴比〉9。发现反应开始时硅酸钠的添加量越大,铁黄粒子越小,分布也越均匀,最终铁黄的结构变化也越大。当反应初期合成体系中硅原子与铁原子的摩尔比大于0.015时,反应过程会生成Fe3O4。铁黄合成后期掺硅对铁黄大小和轴比影响不大,但可以有效防止铁黄粒子凝并。 相似文献
29.
聚苯胺的掺杂及其导电性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用对甲基苯磺酸(TSA)和磺基水杨酸(SSA)对聚苯胺(PAn)进行了掺杂,研究了在掺杂过程中浓度、温度及时间对聚苯胺电导率的影响,并对掺杂态PAn在空气中电导率与温度的关系进行了研究,结果表明TSA和SSA掺杂的PAn在研究的温度范围内电导率均随温度的提高而增加。 相似文献
30.
报道CeO2掺杂的SnO2基敏感材料的制备及其气体敏感性能的研究,结果表明,含5%CeO2和Sio2的SnO2基敏感元件在低温下对CO具有最高的灵敏度和良好的选择性。此外,对CeO2掺杂的SnO2敏感元件,在合适的CO浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论 相似文献