Ni，Cu间的相互作用及其对CO加氢反应性能的影响

本文采用ＸＲＤ，ＴＰＲ，ＴＰＤ－ＭＳ，ＴＰＳＲ－ＭＳ和ＩＲ技术，研究了负载于ＳｉＯ＿２担体上的Ｎｉ，Ｃｕ间的相互作用以及所引起的ＣＯ加氢反应性能的变化。实验结果表明，双金属Ｎｉ和Ｃｕ之间可以很好地形成合金，Ｃｕ的４ｓ电子迁入Ｎｉ的３ｄ轨道的电子效应，使双金属催化剂对Ｈ＿２和ＣＯ的吸附能力有别于单金属Ｎｉ，Ｃｕ催化剂；ＣＯ加氢在Ｎｉ中心上按“表面碳”机理生成烃类，在Ｃｕ中心上通过ＨＣＯ＿（ａ）活性中间物生成醇类，Ｎｉ和Ｃｕ的合金化则有利于Ｃ＿２以上的物质生成。     

苯乙烯本体聚合动力学及链转移反应的研究

本文以新的计算方法对烯烃单体的本体聚合动力学进行了较全面的理论分析,获得了一系列的动力学方程式.使用这些方程式可对聚合实验数据以合理而有效的处理.     

锂离子电池负极材料Li2.5Cu0.5N的Li脱嵌性质

使用基于平面波展开的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳基负极材料Li2.5Cu0.5N在各种脱锂量下的Li脱嵌形成能以及相应的体积变化,讨论了脱锂前后材料的电荷密度,电子状态密度等电子性质.计算表明,Li2.5Cu0.5N晶体中LiN层的锂的脱出能要比LiCu层的锂小得多,即LiN层中的锂更容易脱嵌.结果还表明,各种脱锂量的Li脱嵌能大致在-2.72～-4.08 eV/Li之间.当脱锂量小于30%,材料的体积变化较小,随着脱锂量的增大,材料的体积变化较大.     

新疆昭苏水磨沟铜金矿特征

新疆西天山下石炭统大哈拉军山组地层中产有众多的金矿体。通过对昭苏水磨沟铜金矿床矿化特征的研究 ,总结出这类矿床的成矿规律是 :下石炭统大哈拉军山组中酸性火山岩是矿源层 ;区域性大断裂是矿质运移通道 ,其中的低级别、低序次构造为容矿空间 ;华力西期钾长花岗岩是形成铜金矿的能量来源 ;绿片岩相以下的动力变质作用是矿化富集的条件。矿床成因应属构造破碎蚀变岩型铜金矿床     

具有失稳分解强化的Hall-Petch关系

对Cu30Ni25Fe合金,采用变形和热处理的方法获得了不同的晶粒度和失稳分解组织,研究了失稳分解相界对HallPetch关系的影响·结果表明,合金发生失稳分解后,其硬度和晶粒直径的关系仍符合HallPetch关系式·在各种晶粒度下失稳分解后的硬度均大于固溶态,但当分解后的两相尺寸与晶粒尺寸相比约小两个数量级时,失稳分解的相界强化作用消失·失稳分解组织的细晶硬化系数KHV值明显低于固溶态,且随失稳分解强化作用的增大而降低,这反映了失稳分解后合金的强度对晶粒大小的敏感程度降低·     

块体纳米材料的研究现状与发展思路

块体纳米材料的制备技术及性能研究 ,是当前纳米材料领域内的一个热点 块体纳米材料具有奇异的结构和特殊性能 ,其在力学、电学、光学和磁学等方面发生了巨大的变化 文中较为详细地介绍了国内外块状纳米材料的制备技术 针对块体纳米材料加工过程中存在热稳定性及致密性等两个主要问题进行了探讨 ,提出了通过加入第二相微粒、强烈塑性加工措施来改善块体纳米材料的热稳定性 ;采用烧结、挤压辅助工艺来提高块体纳米材料的致密性的方案     

溅射效应对离子注入聚合物表面形貌的影响

采用MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关,所以选用质量大小不等的3种离子Cu,Si和C为注入离子,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化,用原子力显微镜观察了注入样品表面形貌的变化,表面粗糙度与注入离子质量密切相关.实验结果表明,注入前聚酯薄膜表面粗糙,表面突起密集地分布在表面,其高度可达20～25 nm,C和Si注入后表面突起高度下降到5 nm,随注入离子质量的增加,在注入层粗糙度增加,Cu注入后在表面形成了弥散分布Cu原子的析出纳米颗粒.Cu颗粒起伏高度可达到50 nm.这些变化对聚酯薄膜表面物理化学特性有着重要的影响.     

纳米Co/Cu合金的磁性与退火热处理

系统研究了快淬Cox/Cu100-x(5≤X≤30)合金的磁性以及退火处理对磁性的影响。随退火温度的上升，Co颗粒在长大。当Co含量增加时，饱和磁化强度Ms和箸顽力Hc增大。Co含量少的样品，退火处理对磁化曲线影响大，Co含量多的样品与之相反。随退火温度TA升高，矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr增大。在特征冻结温度（300K）下观察到一个大热滞效应。这个热滞温度远大于在ZFC曲线的峰值温度，这表明磁性颗粒的尺寸及形状有一较宽的分布。     

单晶硅晶圆晶向的精确标定方法

针对工业用单晶硅晶圆上所标记的大晶向的精度不能够满足微电子与机械系统 (MEMS)器件加工要求的缺点 ,提出了一种用于精确标定晶圆晶向的方法 .该方法通过一组精心设计的对比图案和随之进行的预刻蚀加工 ,把单晶硅晶圆的主晶向清晰地显示了出来 .为了准确地识别出晶圆的主晶向所在的方位 ,采用数字图像处理技术 ,对显微照相的图片进行了数学处理 .分析结果表明 ,采用所提出的方法 ,可以将晶圆的晶向定位精度由原来的± 1°～± 2° ,提高到± 0 1°以上 ,而这种对准精度对大多数MEMS器件的加工已足够了 ,后续的加工实验结果也验证了所提出方法的有效性