Al掺杂ZnO光学性能的第一性原理研究

本文用平面波赝势方法(PWP)计算了Al掺杂ZnO前后的光学特性,即介电函数虚部2ε(ω)并从能带结构和态密度图上解释了为什么掺Al后ZnO的光学谱在3.045、7.158、10.066、11.386和13.649eV处的峰消失了,在1.835、4.329、5.460、6.592、10.668和12.024eV处的峰值减小了,而在8.100和8.855eV处的峰值增大了的原因,并从光谱图上分析得出,掺杂后的ZnO要发生蓝移现象。     

铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应

简要介绍高温超导体的发展以及研究状况.实验显示,可用正电子湮没参数来表征元素掺杂对超导体的超导转变温度、结构缺陷和相变的影响.表明了正电子湮没技术是研究铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应的有效手段.     

安息香改性壳聚糖及其Cu(Ⅱ)配合物的合成与表征

通过安息香对壳聚糖进行化学改性,合成了一种新型的壳聚糖希夫碱,通过正交实验考察了反应温度、反应时间、壳聚糖中的游离-NH_2与安息香的摩尔比等对产物接枝率的影响,并考察了微波及超声波对产物接枝率的影响,得到了化学改性的最适条件。并用自制的壳聚糖希夫碱与Cu(OAc)_2·H_2O反应得到了一种新型的壳聚糖希夫碱Cu(Ⅱ)配合物。用红外光谱、荧光光谱对反应物和产物进行了表征。     

混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算

针对混合掺杂情况下的半导体材料,运用费米分布函数对其载流子浓度进行计算,推导出了一般情况下的电中性方程,对所推导出的电中性方程进行计算机数值求解,得到了对应不同材料、不同掺杂浓度、不同温度时的载流子浓度。对于计算中可能出现的溢出问题进行了妥善处理,并采用预划分积分区间的办法,加快了费米积分的计算速度。文中所提出的计算方法对于简并半导体和非简并半导体均适用。     

氧化锌透明导电膜的光电性能研究

采用磁控溅射法在载玻片上制备出Al3 掺杂型ZnO透明导电薄膜.对不同厚度薄膜的光电性能进行了研究.结果表明,所制备的薄膜随着厚度的增加,透过率略有下降;ZnO薄膜在可见光区的吸光度很小,对可见光几乎不吸收.     

化学气相沉积法合成ZnS纳米球

以碳纳米管层作为空间限制反应的模板，采用化学气相沉积法（CVD）生长ZnS纳米球。透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）实验结果显示出其生成物为β－ZnS纳米球，直径为70nm左右，具有颗粒均为、纯度高、产率大、成本低、适于批量化生产等特点。     

燃烧法合成纳米长余辉发光材料BaAl2O4: Eu, Nd

目的：应用快速简便的方法制备纳米新型长余辉发光材料。方法：首次利用金属硝酸盐和络合还原剂发生氧化还原反应，燃烧合成了蓝绿色纳米级长余辉发光材料BaAl2O4:Eu,Nd，生成的材料进行了XRD和TEM分析，结果：材料粒子直径为30－70nm，平均为40nm左右，与此同时，发光材料的发射峰位置发生了显著的蓝移。结论：燃烧法是制备纳米发光材料的快速有效的方法。     

2-取代芳基苯并咪唑-Cu(Ⅱ)络合物的研究

合成了3种2-取代芳基苯并咪唑- Cu(Ⅱ)络合物,通过苯并咪唑与Cu(Ⅱ)反应前后红外光谱解析,表明二者发生了络合反应;采用摩尔比法测定了该络合反应的配位数、X射线衍射测定了络合物的结构,确定了该络合物中心原子Cu(Ⅱ)和配体苯并咪唑分子的空间构型.     

溅射效应对离子注入聚合物表面形貌的影响

采用MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关,所以选用质量大小不等的3种离子Cu,Si和C为注入离子,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化,用原子力显微镜观察了注入样品表面形貌的变化,表面粗糙度与注入离子质量密切相关.实验结果表明,注入前聚酯薄膜表面粗糙,表面突起密集地分布在表面,其高度可达20～25 nm,C和Si注入后表面突起高度下降到5 nm,随注入离子质量的增加,在注入层粗糙度增加,Cu注入后在表面形成了弥散分布Cu原子的析出纳米颗粒.Cu颗粒起伏高度可达到50 nm.这些变化对聚酯薄膜表面物理化学特性有着重要的影响.     

双掺杂LiNbO3:Fe:Cu晶体中的漂白效应及其非挥发性全息存储

首次观察到了双掺杂LiNbO3:Fe:Cu晶体中的漂白效应,并利用该效应实现了非挥发性全息存储.不同于通常的双掺杂铌酸锂晶体中观察到的光色效应,LiNbO3:Fe:Cu中的光致吸收率的变化呈现漂白效应,即当该晶体被紫外光照射后对可见光的吸收减少.基于这种漂白效应,提出并实验研究了一种新的记录方案以实现非挥发性全息存储.该方案包括两束相干红光的记录以及均匀紫外光和单束相干红光的固定等两个主要过程.实验结果表明,怍为一种新的物理机制,漂白效应可以实现非挥发性全息存储并具有高记录灵敏度和低光致散射噪声等特点.