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11.
研究了改性活性炭对水溶液中Cr(VI)的吸附作用,运用正交分析法考查活性炭用量、废水pH值及吸附时间对Cr(VI)去除率的影响.筛选出改性活性炭最佳工艺条件:改性活性炭单位吸附量为6.7 mg Cr6+/g活性炭,吸附时间2 h,pH值4,净化率为99.97%.相比原活性炭,改性后活性炭的吸附性更强,净化率提高了20%,吸附平衡时间缩短了66%. 相似文献
12.
通过光学显微镜、透射电镜(TEM)及扫描电镜(SEM)分析,研究了正火处理对高Cr马氏体耐热钢显微组织、力学性能及断裂机理的影响.结果表明,900~970℃正火后,晶粒尺寸十分细小,在10μm以下.1060~1200℃正火晶粒尺寸迅速增长,1060℃正火晶粒尺寸约为33μm.经过1060℃×2h正火+760℃×3h回火热处理后,室温和600℃高温拉伸屈服强度分别达到535MPa和380MPa,综合力学性能优良,而1060℃长时间正火对力学性能并无明显影响.1060℃×2h正火+760℃×3h回火热处理后得到破碎的晶粒细小回火马氏体组织,晶界上200~300nm M23C6和晶内5~50nm MX型弥散析出有效地阻碍位错运动,进而提高了材料力学性能. 相似文献
13.
为了探究高速空气燃料热喷涂(AC-HVAF)过程中喷涂粒子撞击基材后的沉积特性。采用AC-HVAF热喷涂技术在AZ80镁合金基体上沉积WC-10Co-4Cr硬质涂层。通过离散沉积实验获得薄层沉积粒子,探讨各种沉积形貌的种类、形成原因、结合机制及射流中粒子的径向和轴向分布。结果表明:在AC-HVAF粒子沉积过程中,嵌入型沉积为主要的沉积形貌,同时包含少量的破碎型与空腔型沉积粒子。在涂层的形成过程中,嵌入型沉积对涂层/基体结合性能起重要作用;空腔型沉积的小颗粒及破碎型沉积的大颗粒是造成沉积效率下降的主要原因。喷涂粒子主要集中在射流中心,越靠近射流边缘,空腔型沉积粒子越多,最终导致AC-HVAF粒子射流呈现出空间分布特征。 相似文献
14.
基于Cr(Ⅵ)的氧化性对金纳米棒(GNRs)的轴端产生强的蚀刻作用及其引起的溶液颜色变化,开发了一种测定痕量Cr(Ⅵ)的非聚集比色传感器。该比色传感器线性范围为0.1μM-20μM,检出限为8.8×10-8M,除了Cu2+和Fe3+加入氨水可消除铁与铜的干扰外,常见的离子不干扰。本方法用于水体中Cr(Ⅵ)的比色检测,其结果与等离子体-质谱法相吻合。同时,探讨了非聚集比色传感测定Cr(Ⅵ)的机理 相似文献
15.
采用化学氧化聚合法在聚氨酯海绵(PUF)上原位生长聚苯胺(PAn)制备了PAn/PUF二元复合物,并将该复合物应用于处理废水中的Cr(Ⅵ)离子.考察了聚苯胺负载比、底物Cr(Ⅵ)离子浓度、溶液pH值及温度等因素对吸附还原过程的影响规律.结果表明,当聚苯胺在聚氨酯海绵上的负载质量分数达到5.83%时,溶液中Cr(Ⅵ)的去除率可达到99.99%;该复合物能在较宽的pH值范围(2 ~7)内有效地去除Cr(Ⅵ)离子(96.05%~93.88%),且该复合物经过适当的酸处理后仍可重复利用.此外,对吸附-还原过程进行了动力学分析,推测了该过程的可能机理. 相似文献
16.
研究了膨润土原土及2种经不同表面活性剂改性的膨润土在不同的pH值、不同的用量等条件下对Cr(VI)的吸附情况,以及3种土达到吸附平衡所需的时间.还研究了3种土对Cr(VI)的等温吸附.结果表明,1827改性的膨润土吸附效果好,平均去除率为93%,且几乎不受pH值和时间的影响.其中2种改性膨润土对Cr(VI)的吸附为Freundlich吸附. 相似文献
17.
四氧化三铁(Fe3O4)这一用途广泛的功能性磁性纳米粒子,但是由于在制备过程中,其形貌难以控制,团聚严重,大大限制了它的应用.用环境友好的植酸钠(IP6)胶束为模板,利用分子中六个不共面的磷酸酯键,络合铁离子,水解制备了Fe3O4/IP6纳米结构,其有分散性好,长期稳定的特点.Fe3O4/IP6中磷酸酯键可捕获富集水体中Cr(VI)离子,利用Fe3O4的磁性,通过外磁场将Cr(VI)离子从废水中分离出来.实验结果表明:该过程时间短(10 min),效果理想.还观察了水体p H值变化对Fe3O4/IP6纳米粒子分离Cr(VI)的影响. 相似文献
18.
液相还原法制备Fe—Cr纳米粉 总被引:8,自引:0,他引:8
以三乙基硼氢化钠为还原剂,甲苯为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,以铁、铬混和盐为原料制备出了约50nm的Fe-Cr粉末。探讨了粉末合成过程的工艺条件及通过低温热处理方法获得了纳米Fe-Cr合金粉末。反应中加入的PVP高分子分散剂起了改善粉末的形态与团聚程度的作用。 相似文献
19.
一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。 相似文献
20.
利用扫描电镜分析和机械性能测试对15-2-1型高铬铸铁的二次硬化效应进行了研究,并结合合金耐磨性分析探讨了二次硬化效应在高铬铸铁锚喷衬板中的作用. 相似文献