微旋转结构法测量Al薄膜的残余应力

薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力.文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对m薄膜的残余应力进行了测量和计算.实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80～110 GPa之间.对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为31 ～34 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合.     

薄壁构件的高温低周疲劳寿命的预测与验证

提出了文题的计算模型,它采用非线性弹塑性蠕变有限元法,计算构件危险点在高温及周期保载的交变载荷谱作用下的应力应变响应,以应变范围区分法累积损伤,从而求出构件的疲劳寿命,并以带孔矩形薄板为例作了计算与验证,结果吻合较好,可供工程应用。     

NaF薄膜的结构与应力分析

采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析．AFM测试结果表明,低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密,均方根粗糙度(Rms)仅为0．538 nm;XRD分析结果表明,用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在(222)晶面有明显的择优取向．应力分析薄膜的残余应力为压应力,应力大小随激光能量密度的增加而增加;XPS分析结果表明,热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量．热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧,PID方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧,说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解．     

薄互层AVO响应特征分析

行业公认技术作为流体检测的重要工具,近年来,在单一薄层AVO响应特征方面取得了许多重要成果,这些成果为地层中单一薄层流体检测定性解释奠定了良好的基础,但作为地层中沉积更为普遍更的地质结构——砂泥岩薄互层,研究相对较少。文中首先对声学介质和弹性介质条件下的薄互层AVO响应进行研究,其次利用交错差分弹性波动方程对韵律型含气等厚薄互层进行数值模拟,研究薄层数和单层厚度对薄互层AVO响应的影响,最后利用梯度的变化特征,对薄互层层进行分类,研究其截距梯度交会(P-G)属性。结果表明,薄互层的AVO响应在声学介质情况下会出现假亮点,在弹性介质中进行数值模拟更加合理。在弹性介质中与单层薄砂岩AVO响应进行比较,发现薄互层单层厚度小于1/8波长时,薄互层对顶面AVO效应起到加强的作用;而当薄互层单层厚度大于1/8波长小于1/4波长时,AVO效应较薄层情况减弱。随着薄互层单层厚度的增加,P-G值发生明显的变化。因此可以根据工区薄互层单层厚度和层数确定出薄互层发育的P-G属性的分布范围,从而指导储层预测,为勘探开发提供依据。     

不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.     

载流条形悬臂薄板的非线性磁弹性分析

该文在给出载流薄板在耦合场作用下的磁弹性非线性运动方程、电动力学方程和洛仑兹力表达式的基础上,通过变量代换将描述载流薄板的磁弹性状态方程整理成含有10个基本未知函数的标准柯西(Cauchy)型.并通过差分法及准线性化方法,将标准柯西型的非线性偏微分方程组,变换成为能够用正交离散法编程求解的准线性微分方程组,给出了这些方程的数值解系统.应用该法计算了条形悬臂薄板在电磁场和机械载荷耦合作用下的应力及变形;讨论了其应力及变形与外加电磁参量之间的关系.     

镍诱导纳米晶硅薄膜的生长

采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜．对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析．结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度．对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长．     

多晶Co膜退火前后磁滞标度行为研究

研究了多晶Co薄膜制备态与退火态的磁滞回线与标度行为,结果表明：对易轴方向A∝A0＋H^（0.67-1.00）Ω^0.90,对难轴方向A∝A0＋H^（1.75-2.50）Ω^（1.45-0.95）,与理论计算（α=0．95,β=0．28（Heisenberg模型））作比较,A与H的关系符合的较好,A与Ω的指数关系有些差异,这种差异还有待进一步研究。     

CHF3／DMCPS比对F掺杂SiCOH薄膜结构及性能的影响

研究了用十甲基环五硅氧烷和三氟甲烷电子回旋共振等离子体沉积的掺FSiCOH低k薄膜中，CHF，／DMCPS比对薄膜结构、成分、介电性能、热稳定性和憎水性的影响．结果表明，随着CHF，／DMCPS比的增大，沉积的薄膜从SiCOH向F-SiCOH和a—C：F：H转变．对于F-SiCOH薄膜，在获得较低介电常数的前提下，薄膜热稳定性和憎水性得到改善．     

茅台酒用有机高粱产量和品质与原料基地气象条件的关系

应用2008年分布在茅台酒原料基地,海拔370～1 301m地段209个农户栽培的有机高粱产量和品质资料,采用气候曲面技术(ANUSPLI)方法得到各地段的温度、降水量和日照数据,并对各地段有机高粱产量和品质及原产地气象条件进行了相关分析.结果表明:气温日较差对高粱产量、单宁质量分数有显著影响;降水量对高粱产量、单宁和淀粉质量分数有显著性影响;日照时数对高粱产量、单宁和淀粉质量分数有显著影响;其中气温、降水量和日照对高粱单宁质量分数的影响都为显著负相关.气象条件对高粱蛋白质质量分数无明显影响.该文依据相关分析结果建立了气候区划指标,并做出了优质酒用有机高粱栽培基地的气候区划,其优质有机高粱栽培基地最适宜区在赤水河流域中段的贵州省仁怀市北部、西部和西南部地区,适宜区在仁怀市东部和南部地区.