掺杂LaCoO3-δ的非化学计量比及混合电导率

采用甘氨酸-硝酸盐法（GNP）合成了掺杂钙钛矿型氧化物LaCoO3-δ系列粉末，并通过X射线衍射分析、扫描电镜和激光粒度分析等技术对粉末进行了表征。结果表明合成的粉末为均匀、近似球形、粒度在0．5～50μm的颗粒团聚体。采用碘滴定法测定了合成氧化物的氧非化学计量值，结果说明氧空位浓度随掺杂铁含量的提高而降低。采用直流四端子法考察了合成材料的混合电导率，结果表明材料的混合电导率随温度、氧空位和密度的提高而提高。     

微波-高分子网络法合成可充锂离子电池材料LiLaxNd0.006-xMn1.994O4及其电化学测试

用微波—高分子网络法 ( m-p)合成掺杂 Li Lax Nd0 .0 0 6 - x Mn1 .994O4( x=0 .0 0 6,0 .0 0 4 ,0 .0 0 2 ,0 ) .XRD图显示用此法可制得晶型很好的样品 .充放电测试说明 Li Mn2 O4的特征容量为 1 2 0 m A/g,循环 2 0次后容量衰减率为 4 .7% .EIS和计时电量图说明掺 La的 Li Mn2 O4表层电阻小 ,而掺 Nd的 Li Mn2 O4的电导率高 .所以 ,将 La和 Nd以合适比例掺入 Li Mn2 O4中有可能提高材料的电导率和循环性能     

Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的研究

通过Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的实验数据和晶体结构数据,确定了以压力作为参量的状态方程,并采用完全对角化方法,研究了Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的行为,理论结果和实验值符合得很好.     

高灵敏度的具有Ni过渡层的Co／Cu／Co三明治膜的巨磁电阻效应

研究了具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治膜的巨磁电阻效应，发现Ｎｉ过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜的磁电阻值在３．５％和５．６％之间，相应的矫顽力在０．９５ｋＡ／ｍ附近。因此，材料的灵敏度最大可以达到３９％ｋＡ．ｍ＾－１。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ｎｉ过渡层提高了材料的平整度，从而导致大的巨磁电阻值。而电阻     

一种黑曲霉斜面培养基的优化方法

通过一系列实验,优化了黑曲霉Co827的斜面培养基配比.优化后的斜面培养基为3.5°Be～ 3.6°Be麦芽汁培养基.采用优化后的培养基,单菌落孢子数达到167.2×105左右,产孢子能力提高了15.07％,通过摇瓶验证,产酸达到14.40％,提高了3％左右.     

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

DMSO中Y—Co合金膜的电化学制备

稀土合金作为功能材料，广泛地应用在磁、光、核及超导材料领域．目前一般采用高温或低温熔盐电解及真空镀的方法来制备稀土及其合金材料．如果能在室温下通过电沉积的方法制备稀土合金，则便于控制合金组成，可大大提高它的功效和扩大应用领域．但是，氢的析出使稀土很难...     

The first-principles study on the doping effect of Re in Ni3Al

Using first-principles density function for molecules method （DMol） and discrete variational method （DVM） based on the density functional theory, we studied the doping effect of Re in Ni3Al. The structure relaxation and the alloying energy show that Re has a strong Al site preference and leads to the local deformation, which is in agreement with the experimental results and other theoretical results. In addition, the charge density difference and the bond order show that Re can strongly enhance the interatomic interaction between the nearest neighbor atoms. From the density of states and the Pauli spectrum, we find that resonance states and localized states are induced by doping Re, and the doped Re atom forms the hybridized bond with the nearest neighbor atoms.