用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

聚苯胺的掺杂反应

系统地论述了聚苯胺的４种掺杂反应（质子酸掺杂，碘掺杂，光助氧化掺杂和离子注入还原掺杂），指出了聚苯胺的结构形式与掺杂途径的对应关系。发现全还原型聚苯胺可进行氧化（ｐ－型）掺杂；全氧化型聚苯胺可实现还原（ｎ－型）掺杂；只有处于中间化态时才显示出独特的“质子酸掺杂”现象。     

pH、温度和浓度对苯酚在V掺杂MoOx-C/Ti电极上的电催化氧化的影响

采用溶胶-凝胶法合成MoOx、MoOx-V5 (x%)胶体,通过Vulcan XC-72炭黑负载制备炭载钼系氧化物电催化剂.利用循环伏安法(CV)测试手段研究苯酚在电极上的氧化降解,考察了掺杂元素、溶液pH值、苯酚浓度、扫描速率、温度对苯酚氧化性能的影响.测试结果表明:苯酚在电极上的氧化是受扩散和电子转移联合控制的复杂过程;掺杂过渡金属元素V可以降低苯酚氧化的表观活化能,提高电化学性能;溶液的pH值越低,MoOx-C/Ti电极对苯酚的催化氧化活性越高;pH在0～6,苯酚的氧化经历了相似的历程,包含了相同的电子数和质子数;苯酚氧化峰电流随着浓度、温度的增加而增加,到一定程度后趋于稳定.     

非线性生物种群方程解的性质

讨论一类非线性生物种群方程，证明了解的存在性和唯一性，同时，讨论了系统的稳定性，利用临界增生率，得到了系统渐近稳定、不稳定的充分条件．     

掺Sb对Bi（Pb）SrCaCuO超导电性的影响

研究了掺Ｓｂ对ＢｉＳｒＣａＣｕＯ超导电性的影响，对Ｂｉ系统料中Ｓｂ，Ｐｂ的最佳含量和烧结工艺进行了探索。     

电荷掺杂和杂原子掺杂聚硅烷的比较性理论研究

本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的聚21硅烷进行几何全优化,并对它们的几何结构和自旋密度进行了比较性理论研究.结果表明,电荷掺杂能使聚硅烷的Si—Si键长增长,其极子分布几乎遍及了聚21硅烷的整个链;而杂原子(B、P)的掺杂对聚硅烷的影响主要集中在与B、P原子相邻的Si原子上,极子分布仅局域在B、P原子附近的3~5个原子上.     

Mg2+掺杂对锰酸锂正极材料电化学性能的影响

尖晶石型LiMn₂O₄正极材料的电压平台高、原料来源丰富、生产成本低廉,但由于Jahn-Teller效应导致晶格畸变和Mn³⁺歧化分解导致过渡金属锰的溶解严重影响电池的循环性能。本文探究了不同Mg²⁺掺杂量对LiMn₂O₄正极材料电化学性能的影响。采用高温固相法制备了LiMg₍(x))Mn₍(2-x))O₄(x=0,0.01,0.03,0.05)样品,并对其组织结构和电化学性能进行分析。结果表明,所有样品均为立方尖晶石结构,呈截断八面体形貌。电化学性能测试表明,当x=0.03时,LiMg_0.03Mn_1.97O₄样品在0.2 C下具有较高的放电比容量和最高的首次库伦效率(98.44%),循环稳定性最佳;在0.5 C下循环100圈后仍具有119.3 mAh/g的放电比容量,容量保持率高达92.62%。