水合二氧化硅的微米-亚微米-纳米的三层结构

通过电镜实验,观察到水合二氧化硅具有微米亚微米纳米三次结构。具有此三次结构的水合二氧化硅透明性好,易被破碎、分散。依据橡胶填充实验,此水合二氧化硅具有优异的橡胶补强性能。     

TiO_2/Ag表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)光谱

本文报道了TiO_2/Ag修饰基底材料上吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)光谱研究,通过扫描电镜观察了TiO_2/Ag的表面形貌,研究了Cl~-和激光照射对其SERS光谱的影响.     

化学气相淀积反应器内TiCl_4氧化反应动力学

采用原位红外测试技术,在线观测了化学气相淀积反应器内TiCl_4的均相氧化反应。捕获了两种重要活性中间体TiCl_3和TiOCl_2,从而导出该反应的机理模型。并采用尾气红外定量分析方法得到了TiCl_4氧化反应的动力学方程及反应活化能。反应活化能:66.8 kJ/mol,指前因子:2.45×10~2/s。     

热处理对电解二氧化锰阴极性能的影响

经不同温度处理的电解MnO2具有不同的电性能。当处理温度等于（或低于）100℃时，MnO2与Zn组成的碱性电池开路电压和工作电压（在电流强度为77－308μA／cm^2时放电)几乎不变，但放电曲线较陡。当处理温度等于（或高于）200℃时，电池的上述电压均随处理温度的上升而逐渐下降，但放电曲线较平坦，且随放电深度增加，极化变化较大，处理温度200℃为电性能的转变温度。在不同的处理温度中，以经200℃处理过的电解MnO2的放电容量为最大。这些电性能的变化与电解MnO2的吸附水和晶型变化有关。     

气相硝化制备硝基环己烷的工艺研究

常压下以二氧化氮为硝化剂在玻璃管式反应器中可使环己烷转化,气-质联用分析确证其产物主要是硝基环己烷.考察了反应温度、反应物配比及停留时间等对环己烷硝化反应的影响.结果表明,在反应温度240℃下,硝基环己烷选择性可高达89.31%.     

硫化NiW/Al2O3上H2同时催化还原SO2和NO的反应机理

研究了硫化NiW/Al2O3催化剂上的NO分解反应、H2还原NO反应以及H2同时还原NO和SO2反应.在活性评价及XRD和XPS表征的基础上提出了H2同时催化还原SO2和NO的反应机理.结果表明,NO在硫化催化剂上可以完全分解,但由于催化剂晶格硫遭到严重氧化,因此还伴随着SO2的生成.该氧化作用导致了催化剂中晶格硫的大量流失和催化剂的失活;在NO反应体系中引入等摩尔的H2后,晶格硫的流失速度减缓,流失程度得到一定抑制.这是因为H2能与晶格硫竞争消耗NO解离出的Oad,此外,被氧化的晶格硫一部分还可进一步被还原,返回到催化剂晶格;在SO2和NO同时还原体系中,550℃时,SO2和NO的转化率都可达到100%,单质硫产率超过90%.稳定性测试表明,10 h后催化剂仍能保持高活性,没有发生失活.这主要是因为反应气中的SO2能够被H2还原为元素硫物种,从而可以对晶格硫进行源源不断的补充.     

四氯化钛在富勒醇中水解反应研究

讨论了四氯化钛在水中和富勒醇中的水解反应,并用氨水调节PH值,分别得到了形貌和组成各异的产物,并分别用X-射线多晶衍射(XRD)和电子透射电镜(TEM)和红外光谱对各种产物进行了表征。     

二氧化硫脲的制备研究

以硫脲和双氧水为原料合成二氧化硫脲，通过对不同反应条件，如温度、pH值、原料配比等的考察，确定了最佳反应条件；通过选择不同的溶剂，在反应体系中加入合适的促进剂、稳定剂、催化剂，明显加快了反应速率，提高了二氧化硫脲的产率，降低了成本，具有广阔的市场前景和经济效益。     

Effects of deposition parameters on the properties of VO2 thin films

The vanadium oxide thin films are deposited for microbolometers by radio frequency reactive sputtering method at room temperature. The effects of the oxygen partial pressure on the deposition rate, electrical properties and compositions of the films are discussed. The as-deposited VO_x thin films with x value of nearly 2 are deposited by adjusting the oxygen partial pressure. After oxidation annealing of these films in air, the VO₂ films with high temperature coefficients of resistivity (about -4%/℃) and low resistivity can be obtained. The square resistances of the films are in the range of 100 kΩ/squ?300 kΩ/squ. All films are deposited at room temperature and annealed at 400℃, in which the compatibility between VO_x deposition process and MEMS (micro electromechanical systems) is greatly improved.