ZnO量子点的制备及其条件优化

利用溶胶-凝胶法在乙醇溶液中制备出ZnO量子点。通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱对合成量子点的合成条件(反应温度、反应时间、摩尔比)进行了优化。结果表明,在反应温度为40℃、反应时间为1 h、Zn Ac2与Li OH的物质的质量比为1∶2时,得到的ZnO量子点的发光性能最佳,此时能产生明亮的黄绿色荧光。     

CdTe单晶薄膜的热壁外延

CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg_(1-z)Cd_zTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底,从     

CdTe薄膜的制备和后处理研究

用近空间升华法制备CdTe薄膜，研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构、衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。对CdTe薄膜进行了加热后处理研究。结果表明，加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长。     

水相合成ZnSe量子点光诱导荧光增敏的pH效应

在水相中以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,通过Zn2 离子和NaHSe反应合成了ZnSe量子点(ZnSe QDs).新合成的ZnSe QDs几乎无荧光,经紫外光照处理后呈现强的带边发射,量子产率显著提高.由于紫外光照可以诱导键合在ZnSeQDs表面的TGA发生光解产生S2-离子,因而与溶液中过量的Zn2 离子及TGA共同作用,在ZnSe QDs表面上形成ZnS壳层,电镜实验结果直接揭示了紫外光照处理后ZnSe QDs粒径的显著增加.研究发现,pH值的变化直接影响ZnSeQDs表面TGA的光催化光解,导致了ZnSe QDs的光诱导增敏作用对溶液pH值的依赖关系.在碱性条件下(pH 8~12),光诱导增敏效率随着溶液pH值的提高而增强,同时ZnSe QDs对光的稳定性也随之增强.     

CdTe的ICB淀积和成膜特性

应用一种新的薄膜淀积技术──ＩＣＢ方法，对ＣｄＴｅ薄膜的淀积进行了系统的研究。在单晶Ｓｉ及玻璃衬底上演积的ＣｄＴｅ膜具有定向生长的大晶粒结构，其晶粒尺寸、取向度与离化电流、加速电压等可控实验参数之间的关系在实验结果中得到了反映。通过考察入射原子团与表面的相互作用，研究了表面迁移能力以及电荷存在对成膜特性的影响。     

银掺杂对石墨烯/CdTe量子点复合物荧光发射性能的影响

在氮气保护下, 水相中以巯基丙酸与巯基石墨烯为稳定剂, 制备得到银掺杂石墨烯/CdTe量子点复合材料. 荧光发射光谱表明: 掺杂银离子后, 石墨烯/CdTe量子点复合物的最大荧光波长发生明显红移, 且随加热时间的增加而增大, 直至平衡, 该平衡过程符合二级反应动力学吸附模型的规律; 当银离子初始质量浓度为18.75,37.50,56.25 mg/mL时, 利用二级吸附动力学公式可推算最大荧光发射波长分别684.93,735.29,746.27 nm. 可见银离子初始质量浓度越大, 达到平衡后最大荧光发射波长越大,  最大荧光发射强度依次减小. 为得到较大的荧光发射波长及荧光发射强度适中的量子点, 最优银离子添加量为37.50 mg/mL.      

基于反乳相法制备的荧光量子点在防伪加密方面的应用

采用反乳相法制备了一种由聚合物包裹的钙钛矿量子点油墨,在由水相和油相相混合形成的反溶剂中,通过将钙钛矿量子点直接包覆在其中悬浮的聚合物内。形成的微小疏水性颗粒,均匀分散于水中的同时,在疏水性聚合物外壳层的包覆下,可以稳定悬浮于水溶剂中,有可能用于信息的加密处理。基于反乳相法将三种聚合物材料：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯树脂(PS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与卤化铅钙钛矿量子点相结合制备的卤化铅钙钛矿量子点油墨,在不同溶剂中表现出不同的光学特性及随时间衰减的稳定性。利用几种防伪油墨在不同溶剂下不同材料的时间衰减情况,可以对信息实现有效的时间维度上的加密和解密工程。成功设计了滤纸上的加密信息,在365 nm紫外灯照射下对信息进行安全加密和解密。     

CdTe量子点对人乳腺癌细胞MCF 7/ADM的化学增敏作用及其机制研究

利用纳米材料CdTe量子点作为增敏剂, 四甲基偶氮唑蓝(MTT)法检测细胞活力的实验表明CdTe量子点增强了阿霉素对于MCF 7/ADM的毒性, 而对非耐药的MCF 7无增敏作用. 然后利用免疫印迹法和免疫荧光染色法检测发现CdTe量子点提高了MCF 7/ADM细胞的自噬水平, 且这种自噬水平的上调与化学增敏效应是相关的, 以上结果提示CdTe量子点通过诱导MCF 7/ADM细胞发生自噬, 增强耐药性细胞对DOX毒性的敏感性.     

CdTe量子点对HeLa细胞的初步标记

采用巯基丙酸作为稳定剂在水相中合成了水溶性的CdTe量子点,并通过量子点外层包被的羧基实现了量子点与兔抗人癌胚抗原抗体和山羊抗兔免疫球蛋白的链接.把链接了兔抗人癌胚抗原抗体的量子点溶液和链接山羊抗兔免疫球蛋白的量子点溶液作为荧光探针,利用直接法和间接法分别对HeLa活细胞和固定细胞进行了标记.通过荧光显微镜成像观察到直接法和间接法均可以对HeLa细胞进行标记,但间接法具有更好的特异性,表明可以通过癌细胞表面的癌胚抗原与抗体之间的免疫反应实现对癌细胞的荧光标记.     

不同光强下石墨浆作背接触的碲化镉太阳电池的I-V特性

对石墨浆作背接触的碲化镉太阳电池进行了不同光强下发光二极管的I-V测试. 通过对发光二极管光照过程中I-V曲线的分析,表明：同一光照强度下,光照时间的增加使得电池的串联电阻下降,填充因子增加,理想因子减小,即电池的二极管特性得到了改善;不同光照强度时,光强的增加使填充因子减小,理想因子增加、反向饱和电流密度以及开路电压增加.