全文获取类型
收费全文 | 21882篇 |
免费 | 704篇 |
国内免费 | 1191篇 |
专业分类
系统科学 | 212篇 |
丛书文集 | 957篇 |
教育与普及 | 749篇 |
理论与方法论 | 79篇 |
现状及发展 | 135篇 |
研究方法 | 1篇 |
综合类 | 21644篇 |
出版年
2024年 | 98篇 |
2023年 | 416篇 |
2022年 | 452篇 |
2021年 | 527篇 |
2020年 | 441篇 |
2019年 | 452篇 |
2018年 | 281篇 |
2017年 | 334篇 |
2016年 | 469篇 |
2015年 | 629篇 |
2014年 | 700篇 |
2013年 | 937篇 |
2012年 | 1173篇 |
2011年 | 1300篇 |
2010年 | 1312篇 |
2009年 | 1295篇 |
2008年 | 1463篇 |
2007年 | 1451篇 |
2006年 | 1206篇 |
2005年 | 1148篇 |
2004年 | 1062篇 |
2003年 | 1053篇 |
2002年 | 1027篇 |
2001年 | 863篇 |
2000年 | 551篇 |
1999年 | 452篇 |
1998年 | 369篇 |
1997年 | 322篇 |
1996年 | 305篇 |
1995年 | 255篇 |
1994年 | 244篇 |
1993年 | 215篇 |
1992年 | 212篇 |
1991年 | 238篇 |
1990年 | 175篇 |
1989年 | 149篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 54篇 |
1986年 | 24篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 6篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 313 毫秒
301.
用沉淀法合成了掺杂Y~(3 ),La~(3 )的CaSO_4:Eu~(2 )稀土发光材料,研究了材料的晶体结构和荧光光谱,根据实验结果,所制样品基本上属正交晶系、C_(2v)空间群,Eu离子在CaSO_4中的激发峰为基态到4f~65d(E_g),(T_(2g))激发态的跃迁;样品发射主峰位于383um,属于Eu~(2 )的~5P_(7/2)→~8S_(2/7)跃迁,说明样品中Eu离子主要以Eu~(2 )的形式存在。CaSO_4:RE(La,Y)本身没有荧光,Y~(3 ),La~(3 )掺入CaSO_4:Eu中未改变基质的晶型结构,但可增强CaSO_4:Eu中Eu~(2 )的荧光强度。 相似文献
302.
以1,3 二芳基 1,3 丙二酮为原料,经过二次烷基化反应合成了1,3 二芳基 2 甲基 2 碘甲基 1,3 丙二酮.产物结构经红外光谱、核磁共振光谱和质谱得到了证实. 相似文献
303.
采用量子化学从头计算法。计算了聚苯硫醚(PPS)热引发可能产生的自由基与氧分子反应的势能面,为探讨聚苯硫醚热交联机理,从根本上找出克服其发生深度交联的方法提供依据.结果表明:PPS自由基与氧分子的反应是一个迅速的自发反应过程、 相似文献
304.
应用现场椭圆偏振光谱技术并结合循环伏安法。研究了镍电极表面Ni(OH)2与NiOOH的相互转化,以均匀膜模型拟合实验数据获得表面膜厚度的变化规律,采用以光学参量变化速率(Vop)为参数的椭圆偏振光谱方法能直接反映出体系的特征.Vop参量与表面膜厚度的变化率间存在密切关系,Vop反映了电极表面表面膜厚度的变化率. 相似文献
305.
基于J2EE的分布式体系及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
以分布式体系结构为核心,介绍其基本原理。着重介绍J2EE架构及相关技术,并描述一个基于J2EE应用系统的模型。对该模型的设计模式和其中业务逻辑的封装和实现进行详细论述。 相似文献
306.
Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。 相似文献
307.
308.
多束高斯叠加模型光束与超高斯光束传输特性比较 总被引:2,自引:1,他引:2
李宾中 《西南师范大学学报(自然科学版)》2003,28(1):79-83
基于Wigner分布函数和强度矩方法,研究了多束高斯叠加模型光束(MGB)的光束特性,推导出了M^2因子和束宽的解析表达式。对多束高斯叠加模型光束(MGB)和超高斯光束(SGB)的传输变换特性作了比较研究,结果表明,具有相同M^2因子的MGB和SGB光束在广义菲涅耳数相同的平面上具有十分相似的横向光强分布,尽管其束宽和传输距离可能不相同。 相似文献
309.
Ni2MnGa铁磁形状记忆材料 总被引:1,自引:0,他引:1
铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。 相似文献
310.
利用双水相分配技术从甘草中提取甘草酸盐,测定了不同分子质量PEG/(NH4)2SO4双水相体系的分配系数,并利用改进Diamond—Hsu模型对此双水相体系的分配系数进行了数学关联。得到比较好的结果。 相似文献