HS-I 型电能表数据分析处理系统

介绍了ＨＳ－Ｉ型电能表数据分析处理系统的结构及主要性能指标。阐述了在本系统中采用的若干技术。该系统集用电计划、营业管理为一体,实现了用电数据的实时采集,在线抄表和终端管理部门的核算、开票全过程的计算机管理,避免了传统的手工操作带来的错误或其它人为干扰,是一种性能价格比较高的新型智能系统,大大提高了县级电力部门的现代化管理水平。该系统已通过省级鉴定并已投入批量生产。     

PC系列微机可读写电子磁盘的设计与实现

介绍了一种多功能可读写电子仿真磁盘，它不仅可以完全替代传统磁盘及驱动器，而且还可以用来固化用户的应用程序．它仍可利用丰富、灵活、功能强大的磁盘操作系统软件，对用户来说如同操作传统软磁盘一样，而其读写速度、可靠性、结构安装及性能价格比都是传统的磁盘所不能比拟的．它具有３６０ｋＢＲＯＭ和２５６ｋＢ带掉电保护静态ＲＡＭ，实际所占内存空间仅４ｋＢ．它特别适用于环境恶劣并要求高可靠性、高存取速度的工业现场实时自动检测及控制方面存储用户程序和数据的应用．     

LCD的组成及其应用

以SEDl335F控制器组成的LCD显示器为例，对点阵式液晶显示器的硬件结构、编程方法进行了分析和阐述，并给出了火灾报警控制系统的应用实例．     

CMOS图像传感器技术特点的分析与研究

分析CMOS图像传感器的原理、性能。从特点上比较各个类型CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题。     

Wide Symmetrical Dynamic Range PWM Neuron Circuit with Power Efficient Architecture

IntroductionAs the most important block in artificial neuralnetworks (ANNs) ,the behavior of the neuronstrongly influences the performance of the wholenetwork. The sigmoid function is popularlyadopted as the activation function of artificialneurons.The pulse stream approaches,which isoften used to model a neuron with this function,has a digital stream output as an analoginformation axis[1] .There have been several kindsof pulse stream neuron circuits[2 4 ] .The circuitproposed by Haycock and…     

一种高性能CMOS运算放大器的原理分析

通过对ELANTEC公司的EL5X20 CMOS Rail-to-Rail运算放大器的版图结构、电路原理进行分析。利用UMC公司的hspice level49(sim3．3)0．6um N阱双多晶双金属高压工艺MODEL进行运算放大器参数仿真拟合，研究了国外的先进放大器设计方法，为高性能放大器研制奠定了基础．     

CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析

针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.      

低噪声CMOS电荷灵敏前置放大器

为了满足辐射探测器的读出密度要求,完成了低噪声CM O S专用集成电荷灵敏前置放大器的设计和测试。采用0.6μm CM O S工艺,电路面积为260μm×210μm,功耗为15.9mW,比传统的电荷灵敏前放的电路密度至少提高了3个数量级。测量得到的噪声结果为:在成形时间为1μs时,零电容噪声为1 377.1 e,电容噪声斜率为43.7 e/pF。噪声的实测结果和理论分析比较吻合,间接测量了使用工艺NM O S的1/f噪声系数,为低噪声设计提供了参考依据。     

一种用于高速激光回波信号处理的专用CMOS集成电路芯片

提出了一种用于激光回波信号处理的高速CMOS集成电路设计方案。该芯片主要采用了RGC跨阻放大器、MOS_L、改进型Cherry-Hooper宽带放大器级联等结构,组成了脉冲激光测距的接收通道。仿真得到了90 MHz带宽,134 dB.Ω增益的整体性能。在0.5μm CMOS标准工艺线上流片后,封装并进行了测试。测试结果表明该电路具有2.4 mV的均方根噪声和对短脉冲具有6 ns的响应延时。     

CMOS工艺片上传输线研究

对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究.从理论上分析了传输线分布参数和损耗,利用0.13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库,在0.1~30 GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试.利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数.研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型.