光电可逆计数器系统的设计

通过对光电可逆计数器系统的研究，分析设计了以CMOS集成电路为基本组成部分，配合光电探测电路，电压放大电路波形整形电路，从而对光信号干涉条纹进行计数，达到高精度测试目的。     

CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究

以反相器电路为例。介绍了CMOS集成电路的工艺结构；采用双端pnpn结结构模型，较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理；介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成。这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障。     

基于CMOS APS的微型数字式太阳敏感器

研制了一种适用于微型航天器的两轴数字式太阳敏感器,其光学系统由CMOS APS图像传感器和MEMS工艺制作的孔阵列结构光线引入器组成.敏感器外形尺寸68 mm×68 mm×58 mm, 质量小于300 g, 功耗低于2.5 W, 更新率优于2 Hz.该文介绍了CMOS APS图像传感器的优势及其在太阳敏感器中的应用,以及所研制微型太阳敏感器的系统硬件、软件设计.对微型太阳敏感器样机进行了标定,结果表明微型太阳敏感器在±64°视场以内精度优于0.1°, ±10°视场以内精度优于0.02°.     

一种高速低相位噪声锁相环的设计

设计了一种1．8V、SMIC0．18μm工艺的低噪声高速锁相环电路．通过采用环行压控振荡器,节省了芯片面积和成本．通过采用差分对输入形式的延时单元,很好地抑制了电源噪声．与传统的简单差分对反相器延时单元相比,该结构通过采用钳位管和正反馈管,实现了输出节点电位的快速转变,整个电路芯片测试结果表明：在输入参考频率为20MHz、电荷泵电流为40μA、带宽为100kHz时,该锁相环可稳定输出频率为7971MHz—1．272GHz的时钟信号,且在中心频率500kHz频编处相位噪声可减小至-94．3dBc／Hz。     

CMOS集成电路设计技术探索和分析

CMOS集成电路其本身具有较强的工作性能,并且运行时功耗相对较低,被广泛地应用在电子元器件的设计中。在集成电路技术迅猛发展的情况下,随着芯片集成的强化与电路性能的提高,在对产品进行开发的过程中采用传统方法和手段显然已经不能与快速发展的现代社会相适应了。因此,对集成电路的设计技术进行探索和分析,并不断地进行升级、改造和完善,是其发展的必然要求。该文对CMOS集成电路的特点进行了分析,并且对于其设计技术进行了进一步的探索。     

无源射频识别标签整流电路的分析与设计

整流电路的设计是无源射频识别(RFID)标签的关键技术之一.基于两种传统的整流电路,分析影响其输出电压和能量转换效率(PCE)的几个因素,在此基础上提出了一种改进的整流电路.该电路采用栅极交叉连接的结构来消除天线到芯片的阈值电压压降,并通过增加两个MOS管作为开关来抑制芯片到天线的电荷回流.电路的设计仿真结果显示,该整流电路具有较高的输出电压和PCE.     

计算机BIOS与CMOS相关性分析与故障处理

阐述了BIOS与CMOS的关系,对系统BIOS故障引起死机和CMOS造成的死机故障分别进行分析,并给出了各自的处理措施,探讨了BIOS设置选项注意的问题。     

低剂量γ辐射对视频品质的影响及其改善方法

利用~(60)Coγ放射源对CMOS图像传感器进行辐照实验,结合其损伤机理分析造成视频画面品质下降的影响因素,并初步提出改善方法.对所采集监控画面的平均亮度及R、G、B三种色彩通道强度的变化进行了分析.实验结果表明,CMOS图像传感器在辐照剂量率为5 Gy/h时随着累积剂量的增大,监控画面的平均亮度增大,噪点增多且发生绿色色偏.可以通过如下方法改善视频品质:将传感器部分与信号处理部分分离并加装外层屏蔽体;采用浅槽隔离结构与耗尽区相隔离且有较低夹断电压的光电二极管结构;通过程序调节色彩平衡.     

波导全息指纹图像传感器实验研究

为解决传统的光电指纹图像传感器尺寸、重量和功耗过大的缺陷 ,提出了一种新型基于波导全息元件、光纤束及 CMOS图像传感器等微光学器件的指纹图像传感器。介绍了波导全息指纹图像传感器中的波导全息元件、成像系统及计算机接口部分设计制作原理。实验研究的结果表明仪器中微光学元件的应用显著地降低了尺寸、质量和功耗 ,使指纹图像传感器更易于集成和应用 ,波导全息指纹图像传感器还能获取更高质量的指纹图像     

一种分辨率为9位的高速CMOS比较器

一种高速ＣＭＯＳ比较器,采用二级正反馈结构和一级推挽输出结构,通过优化传输速度和增益,在３μｍ工艺中,模拟表明它的最小分辨率±ＬＳＢ为±４．９ｍＶ,输入动态范围为±２．５Ｖ（±２．５Ｖ电源电压）,相应于９位比较精度,而工作频率达３０ＭＨｚ．用单层金属、双层多晶硅ＣＭＯＳ工艺实现,版图面积为２９５μｍ×２６６μｍ,功耗９．７２ｍＷ．