微机使用技巧——CMOS解密

<正> CMOS中存储的数据非常重要,除了系统时间和日期外,还记录了计算机的各项配置参数。但是,当CMOS中的数据因电池电压不稳定,或由于病毒发作而遭到破坏时,微机都有可能瘫痪。特别是象学校这样的公共机房,由于上机人员流动频繁,CMOS经常被加密,致使非计算机专业用户难以正常、顺利地上机。下面根据本人在工作中的经验,总结出四种CMOS解密方法。     

4×16数字转换通道电路的工作原理及其应用

论述了4×16数字转换通道电路的工作原理,并论述其在视频范围的应用.     

用MISS实现静态随机存取存贮器的研究

本文提出了一种新型静态随机存取存贮器。(SRAM)。它利用金属-绝缘体-半导体开关(MISS)的负阻特性来存贮信息。与现行的利用双稳态触发器作存贮电路构成的(SRAM)相比,单元电路可由六支管子减至两管(记为2-SRAM)。因而这种2-SRAM有利于提高SRAM的集成度,并且在理论上分析还有利于提高SRAM的存取速度。     

微机速度与CMOS的高级配置有关

本文叙述了合理设定微机ＣＭＯＳ高有配置菜单中相关项的参数，可改善和提高微机的启动，操作，运行速度。     

0．6μm CMOS工艺串行接口电路设计

采用0．6VmCMOS工艺设计了AES加密模块的串行接口单元电路，提高了AES加密芯片的数据吞吐量。基于CMOS互补逻辑的电路结构降低了的功耗，实现了与核心电路的电平匹配。全定制的设计方法优化了电路性能和版图面积，提高了设计可靠性，降低了研究成本。     

XMS/EMS及其编程技术

本文介绍了XMS/EMS的工作原理及编程方法,然后对EMS的功能调用作了简要介绍,最后给出了使用EMS的例子。     

应用于对等速率10G-EPON的10Gbit/s突发模式激光驱动器设计

针对IEEE 802.3av标准所定义的对等速率万兆以太无源光网络(10G-EPON)ONU相关应用,设计了一种10 Gbit/s突发模式激光驱动器芯片,并对调制电路和偏置电路的设计进行了改进,以实现较短的突发开启/关断转换时间.本设计采用低成本的0.18μm CMOS工艺进行流片,整个芯片面积为575μm×675μm.测试表明:该芯片可工作在10.312 5 Gbit/s的速率上;当电源电压为1.8 V时,可对50Ω负载提供高达36 mA的调制电流.突发开启/关断转换时间均小于0.2 ns,远低于IEEE 802.3av标准所规定的上限.该突发模式激光驱动器的输出满足10G-EPON时序参数的规定,适用于10G-EPON ONU相关应用.     

2.4GHz 0.18μm CMOS Doherty 功率放大器设计

文中采用SMIC 0.18μm CMOS 工艺设计了一款2.4GHz Doherty结构功率放大器。两子功放均采用两级放大结构,提高了功放的功率增益和功率附加效率（PAE)。模拟显示最大功率输出为28.75dBm,对应PAE为43％,功率1dB压缩点输出功率为26.71dBm, 对应PAE为38％。功率增益为24dB。与以往报道的CMOS Doherty功放相比,PAE和功率增益均得到了明显的改善。     

神奇的背照式CMOS

7年前,我写过一篇科学小品,题为《数码相机史话》,发表在《科学24小时》2004年第七八合刊上。拙文对数码相机中的感光耦合元件（英文为ChargeCoupledDevice,CCD）作了详尽介绍。相对于传统的胶卷,那时候,数码相机中崭露头角的核心元件CCD已是革命性的元件了。