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221.
为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个新的扩展电阻公式以代替费时的二维数值计算。模拟结果与实验数据吻合,对6微米工艺和等比例缩小的3微米工艺CMOS电路中的闩锁效应进行了计算和比较。 相似文献
222.
223.
224.
赵玉山 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》1989,(1):24-31
本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器的新电路结构。用SPICE—2G6电路模拟程序,并以MOS晶体管的第二类模型参数对所设计电路进行了模拟。模拟结果表明:当电源电压为±8V时,输入信号范围可达10V;在此范围内,对X方向和Y方向的平衡差动输入信号,电压传输特性的最大非线性误差分别为满度输出的0.81%和0.52%;对X方向和Y方向输入信号的-3 dB带宽分别为0~1.5MHz和0~0.6MHz;在0~1 MHz带宽内的输出噪声电压为1.51mV。 相似文献
225.
介绍了一种工作在低电源电压下的CMOS四象限模拟乘法器,为保证在较低的电源电压下较大的线性电压输入范围和较小的非线性失真,电路采用了特殊的设计。SPICE的模拟结果表明,在±2.5V电源电压下,线性输入范围大于±1.5V,在此范围内该电路的皮失真小于0.8%,-3dB带宽分别大于3.0MHz和8.5MHz,功小于1.4mW。 相似文献
226.
针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型,计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6.3meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0,006等参数比较符合物理事实.并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系、结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用。 相似文献
227.
采用列交换和校正因子估算的方法,实现了一种降低CMOS图像传感器列固定模式噪声的电路结构.该方法通过交换列处理电路和模数转换器,对噪声进行平均处理,同时估算校正因子,用于像素输出过程中噪声校正.整体结构具有动态自适应性,降低约37%列固定模式噪声.该方法无需提高列处理电路一致性和速度,适用于CMOS图像传感器内部的图像实时处理过程. 相似文献
228.
229.
蒋青 《重庆邮电学院学报(自然科学版)》1998,10(3):47-51
首先讨论了组合函数的分解,然后给出ROM实现组合网络获得优化设计的ROM平行分解和串行分解两种方法。函数分解法可提高ROM芯片利用率,节省ROM容量。 相似文献
230.
CMOS折叠-插值A/D转换器是一种新颖的高速,低功耗转换器,文中在芯片设计的基础上分析了这种转换器的结构在视频应用时潜在的气泡效应及其压缩消除技术,设计了采用气泡升降法的压缩电路及芯片,取得了较好的压缩效果。气泡铲应是高速A/D中普遍存在的可靠性问题,文中同样为尽可能消除其它高速A/D的气泡失效提供了适用的分析和对策。 相似文献