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211.
针对应用于CMOS图像传感器的传统固定步长自动曝光方法曝光过程缓慢的缺点,设计了一种快速自动曝光控制方法.在相同光照强度下,CMOS图像传感器的曝光强度值与增益值和曝光时间的乘积的比值是一个常量值,基于这一感光特性,根据当前的曝光时间、增益值和图像强度统计值判断出当前的光照强度,基于光强范围查找表,得到最优曝光时间,从而实现快速自动曝光调节.经过MATLAB算法评估,这种曝光方法在暗光情况下正确曝光平均帧数为3.6帧,而传统曝光方法需12.6帧;强光情况下正确曝光平均帧数为3.6帧,而传统曝光方法需要8.8帧.经过FPGA实际验证,这种方法能够很好地应用于CMOS图像传感器,在保证图像正确曝光的情况下实现快速调节曝光时间和增益值. 相似文献
212.
采用GSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明.该电路可以在0.9~1.5 V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708 V,温度在0~60℃之间时.温度系数不超过44 ppm/K,电源抑制比为66 dB,最大功耗小于0.5 μW.基于GSMC0.13 μmlP8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图.版图面积约为0.2 min×0.15 mm. 相似文献
213.
基于CMOS图像传感器的纳型卫星遥感系统设计 总被引:4,自引:0,他引:4
为满足纳型卫星的遥感系统要求,设计了一套基于互补型金属氧化物半导体CMOS图像传感器的纳型卫星遥感系统,采用PC机模拟星上数据处理系统的功能,通过控制器局域网CAN(controller area network)总线实现了对CMOS相机的控制和图像传输等功能.通过热循环实验,得到了该CMOS相机平均暗输出和暗不一致性随温度的变化曲线,预测其适于在10~25℃的空间温度环境中工作,并可经受-25~60℃的卫星舱内温度变化. 相似文献
214.
PDP选址驱动芯片高压管设计 总被引:4,自引:0,他引:4
PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出,其中高压管的设计是关键,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV—CMOS结构及其中的高低压转换电路,采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析;通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V,工作电流大于40mA。 相似文献
215.
辛锋 《萍乡高等专科学校学报》2006,7(3):96-100
红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。读出电路是其关键部件,良好的读出电路性能在红外焦平面阵列中发挥着重要的作用。本文重点列举了一些最新的CMOS读出电路单元结构,并对它们各自的特点作了简要的比较,同时给出了一些结构对应芯片上的主要参数,最后简单介绍了读出电路的未来发展方向。 相似文献
216.
对 CMOS存储器中地址译码器的开路故障进行了分析和分类 ,得出了其中有一类开路故障不能用常用的测试算法可靠的测试出 ,给出了测试该类开路故障的测试方法以及针对该类开路故障的容错性设计方案 相似文献
217.
218.
提出了一种提高混频器线性度的方法:采用交叉差分的结构取代原有的混频器结构.改进后,输出信号的三次谐波会被消除,混频器的三阶截止点也得到改善.混频器工作电压1.8V,射频信号5GHz,电路采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的先进设计系统ADS(advanced design system)对电路进行仿真设计.仿真结果表明,经过改善后,混频器IP3提高3.5dB(线性度提高),转换增益提高4.8dB. 相似文献
219.
设计了一款适用于单芯片集成真空传感器的10位SAR型A/D转换器.轨至轨比较器通过并联两个互补的子比较器实现.信号采样时,比较器进行失调消除,提高电路的转换精度.电路采用0.5μm2P3M标准CMOS工艺制作.系统时钟频率为20MHz,输入电压范围为0~3V.在1.25MS/s采样率和4.6kHz信号输入频率下,电路的信噪比为56.4dB,无杂散动态范围为69.2dB.芯片面积为2mm2.3V电源电压供电时,功耗为3.1mW.其性能已达到高线性度和低功耗的设计要求. 相似文献
220.
本文较详细地介绍了光盘的区域等角速度格式,并根据实物精确分析了这类光盘的区域分布和定位情况及光盘上有关部分的系统和介质信息与数据结构。 相似文献