基于Bresenham算法的四步画直线算法

通过分析计算机图形学中的画直线的Bresenham算法，以及由此改进的“对称算法”、“二步法”，提出将“对称算法”和“二步法”结合形成“4—点画线算法”，与Bresenham算法相比，该算法可以将画线效率提高近2倍。     

基于XML和J2EE的一个通用数据模型

基于多层体系结构的Web应用数据模型是开发企业级应用所要研究的主要问题．J2EE是目前广泛推崇的基于多层体系结构的强大商务系统架构．XML的优势之一在于能将数据表示和数据内容相分离．利用Java语言，在J2EE的架构上实现对XML文件的数据处理，具有重要的现实意义．通过分析J2EE架构和XML技术，结合两者的优点，依据数据处理过程的功能模块和组件化思想，提出一个通用数据模型．该模型具有扩充性、平台无关性和可靠性的特点，是一个通用的Web应用模型．     

固体电解质Li4+xBxSi1-xO4-yLi2O的合成及导电性

用溶胶－凝胶法制备了Li4 xBxSi1-xO4-yLi2O(x=0.1-0.6;y=0.0-0.5)离子导体材料，并用DTA－TG，XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试，结果发现用溶胶－凝胶法可降低Li4 xBxSi1-xO4的合成温度；随Li2O的掺入可增强基质材料的致密性并可提高其离子的导电性能。     

多边形的等积三角剖分

2000年，美国数学家Stein提出了一个很一般的猜想：任何特殊多边形不可能划分为奇数个面积相等的三角形，并证明了猜想对边数不超过6的特殊多边形成立．借助Sperner引理与2-进赋值函数证明：对任何正整数n＞6，存在边数为n的特殊多边形，并证明猜想对边数为7的几类典型的特殊多边形成立．     

官能团化聚丙烯对Mg(OH)2/PP断裂形态的影响

制备了Mg(OH)2/PP及其官能团化聚丙烯（FPP），丙烯酸（AA）改性复合材料，用SEM研究了复合材料的冲击与弯曲断口形态。研究表明FPP或AA加入及其在DCP存在AA原位形成FPP强化Mg(OH）2）/PP复合材料中粒子与基体间的相互作用。改善界面黏结和改变复合材料的断裂行为。原位形成FPP改性Mg(OH)2/PP复合材料中作用更加明显，但其作用效果与AA，Mg(OH)2用量有关。     

Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究

以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷，研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响，利用DTA，TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末，测试了由x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体3h，单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2／3)直接形成，没有出现中间相。1000℃预烧，1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷具有最佳的微波介电性能：ε=87．1，Qf=8710GHz。     

含苯并三氮唑的三脚架化合物及其配合物研究

合成了两个新的三脚架结构化合物；1，1，1-三（1-苯并三氮唑基甲氧甲）丙烷（A）和三[2，1-苯并三氮唑基甲氧基）乙基]胺（B），获得了它们和一些过渡金属离子形成的配合物，并用元素分析，红外光谱，摩尔电导和热分析等手段对其进行了表征。     

玉米幼苗热激诱导抗冷性过程中钙的效应

 玉米幼苗在冷胁迫前经过热激处理或CaCl₂浸种后再热激处理,其存活率,抗氧化酶GR的活性、可溶性蛋白质中热稳定蛋白质和游离脯氨酸的含量在的冷胁迫中均发生了变化,发现热激处理幼苗的这些参数高于对照,而最高的是CaCl₂浸种后再热激处理的,表明热激能提高玉米幼苗的抗冷性,而Ca²⁺对上述热激处理有加强作用.     

环木菠萝烯醇阿魏酸酯的结构研究

 从云南玉溪产米糠油中,分离得到一个活性三萜化合物环木菠萝烯醇阿魏酸酯(1),其结构经2D-NMR及化学转化确定.     

静电键合用微晶玻璃的研究

采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm.