移相软开关电源设计

本文详细介绍了移相全桥型零电压软开关工作原理。然后采用移相全桥技术设计一台单相交流输入220V,输出48V,输出20A,5～48V的电源样机,并给出试验结果,该电源效率达到90%。     

负反馈放大器Avmf完全解析式推导

用电路分析方法,不再使用反馈系数,导出4种负反馈放大器闭环电压放大倍数Avmf 的解析关系式.新关系式中4种电路基本放大倍数的定义相同,容易计算,不再需要考虑反馈网络的负载作用,而做单向化变换,并能直观描述各电路元件参数对闭环增益Avmf的影响.利用新关系式可导出更便于直接应用的Avmf的近似公式.     

传输线上反射与串扰的仿真分析

信号完整性是现代高速电路设计中非常重要的问题,文章对高速电路信号完整性问题中的反射、串扰和电磁干扰等问题进行分析。使用Hyperlynx仿真软件对反射和串扰问题以及经过改善后的电路进行仿真,发现对电路进行端接以后,反射和串扰都有显著的改善效果,而加大走线间距、增加驱动器上升沿等方法可以对串扰产生明显的抑制作用。     

无电镀镍浸金处理电路板在 NaHSO3溶液中的腐蚀电化学行为与失效机制

采用交流阻抗谱研究了无电镀镍浸金处理电路板在模拟电解质溶液(0.1 mol·L-1 NaHSO3)中的电化学腐蚀行为,并结合体视学显微镜、扫描电镜、X射线能谱分析等手段分析了试样表面腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.无电镀镍浸金处理电路板在NaHSO3溶液中的耐蚀性较差,浸泡12 h试样表面局部即发生变色,伴随有微裂纹的产生.电解液能够通过裂纹直接侵蚀Cu基底,并在微裂纹周围生成较多的枝晶状结晶产物,其主要组分为Cu2 S.该结晶腐蚀产物的不断生成使局部区域中间Ni过渡层与Cu基底结合部位存在较大的横向剪切应力,最终造成Ni镀层的脱离与鼓泡现象.     

手绘模拟电路图识别技术研究

主要研究手绘（印刷）模拟电路的识别技术．文章在优化图象质量和提高电路图素识别率等方面作了重点阐述．在元件识别的基础上,配合有限制的字符识别,形成了一种图象文字相结合的识别方法,提高了识别率,为电路图的自动分析打下良好的基础．     

特大规模组合电路测试数据产生方法研究

针对特大规模组合电路和全扫描设计电路提出了一种高速测试生成方法。该方法采用有限回溯测试模式产生方法生成测试码,采用ｎ（机器字长）个测试码并行的单故障传播方法模拟验证测试覆盖。测试生成与故障模拟为ｎ对１紧耦合集成方式。该方法运行１０个Ｂｅｎｃｈｍａｒｋ电路,取得了低测试长度、高故障覆盖、高效率的良好效果。     

量子电路可逆逻辑综合的研究及进展

分析了量子电路可逆逻辑综合的意义、研究现状和研究进展,给出了相关的研究方法和目前量子可逆逻辑综合研究中存在的主要问题,提出了量子可逆逻辑综合中的最小量子代价、最小化垃圾信息位、最小化门的数量和可逆逻辑综合的规模等关键技术问题的解决思路.     

单通道通讯模式异步流水线控制器

为了实现异步电路在实际应用中的低功耗、高性能特性,提出了一种基于单通道通讯协议的高速异步流水线控制单元和一种使用Muller C单元的高鲁棒性的QDI(quasidelay insensitive)异步流水线控制单元。第1种异步流水线控制单元采用独立的正反向响应电路,使得比近期提出的超高速异步流水线控制单元GasP电路的正向响应减小了50%的信号翻转。该电路使用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现,HSPICE模拟结果表明与GasP电路相比正向响应时间减少38.1%,可以工作在2.2 GHz;第2种控制器与流行的QDI异步控制器STFB(single-track full-buffer)电路相比,以较少的面积代价,实现了时序验证上的极大简化。     

求解简单液体径向分布函数的微扰方法

给出了求解简单液体径向分布函数的微扰方法,该方法把分子间相互作用势分解成参考势与微扰势之和,把径向分布函数、全相关函数、直接相关函数及桥函数表示成微扰级数的形式,假设零级桥函数为已经的参考流体的桥函数,其余级次的桥函数都为零,得到了各级函数所满足的积分方程和闭包关系.利用上述方法分别计算了单元和二元硬核Lenard-Jones流体的径向分布函数,并与用Choudhury理论计算的结果进行了比较,计算结果验证了本文方法的正确性.     

一种基于标准单元芯片电源线网的静态电压降的分析方法

提出了一种对基于标准单元芯片计算其电源线网的静态电压降的分析方法.该方法通过计算每个标准单元的功耗得到其电流源模型,然后采用导线电阻模型和标准单元等效电流源模型生成电路网络,运用逐次块松弛迭代方法求解由上述网络生成的改进节点法方程.仿真结果表明,所提出的方法能与SPICE达到同样的精度,且计算速度更快,使用内存更少.