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31.
电厂粉煤灰的特征及其综合利用   总被引:17,自引:0,他引:17  
粉煤灰是燃煤电厂排出的固体废弃物,主要成分有SiO2、Al2O3、CaO、Fe2O3等。粉煤灰是一种高分散度的固相集合体,含有大量的非晶质的空心微珠。矿物组分主要为未燃尽的碳粒、α-石英、方解石、钙长石、赤铁矿、磁铁矿和残留的煤矸石等。粉煤灰具有较好的活性,是人工火山灰质材料,常被利用于城镇建设之中。对粉煤灰中空心微珠、碳粒、铁粉、氧化铝的分选和利用,既能提高粉煤灰的综合利用率,又有较高的经济价值,是保护环境、变废为宝的有效途径。  相似文献   
32.
论高炉精料     
提出高炉精料应考虑铁矿石、焦炭及合理的炉料结构三个方面。对铁矿石精料的要求八字诀是:“高、熟、稳、好、少、净、匀、小”;对焦炭精料要求的四字诀是:“高、低、少、好”。并认为今后应更加重视铁矿石及焦炭的热态冶金性能。  相似文献   
33.
通过X射线衍射相分析、光电子谱分析及金相分析等手段,对B4C在铁基摩擦材料中的作用及机理进行了研究,结果表明,B4C在铁基摩擦材料加压烧结过程中能与铁发生反应,生成一种新相Fe2B.在摩擦磨损过程中,加入的B4C并没有直接起到摩擦组元的作用,而是通过生成的Fe2B起作用.在一般负荷工作条件下,Fe2B主要起摩擦组元的作用;在重负荷工作条件下,Fe-Fe2B共晶体起润滑组元的作用.  相似文献   
34.
在四氢呋喃溶液中测量了3-甲基-4-甲氧基-4’-硝基二苯乙烯(MMONS)的三阶非线性光学效应.发现其在1.06μm处具有较大的非共振二阶非线性光学超极化率,并据此计算了其晶体的三阶非线性光学系数,χ(3)=2.52nm2/V2,与著名的PIS同数量级.非线性光学响应时间小于50ps,表明MMONS的非线性光学效应是由于分子中π-电子的极化引起的.此结果表明MMONS可能成为有价值的非线性光学材料.  相似文献   
35.
电磁复合铸造新工艺   总被引:2,自引:0,他引:2  
电磁复合铸造新工艺曹志强金俊泽(大连理工大学铸造工程研究中心116024)关键词:电磁成型;复合材料;连续铸造分类号:TG249.7由于电磁搅拌技术不和液态金属接触,无污染,在连续铸钢过程中得到普遍采用,主要用于二冷区的晶粒细化〔1、2〕.但该技术...  相似文献   
36.
本文分析了炮孔堵塞材料的作用机理,受力情况及在炮孔中运动速度规律.根据爆破理论.得到了炮孔堵塞材料的最大长度和最佳长度.  相似文献   
37.
高脆性材料亚临界裂纹扩展机制的细观力学分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文从细观力学角度研究了高脆性材料亚临界裂纹扩展机制。根据线弹性断裂力学理论和量子力学理论的近似计算,从理论上求得了经验的亚临界裂纹解理扩展速率公式。理论计算与陶瓷材料的实验结果符合得很好。  相似文献   
38.
测定保温材料导热系数的自补偿圆管法⒇王素美宗祥康施明恒(东南大学动力工程系,南京210018)测定工程保温材料,特别是管形保温材料导热性能,一般采用圆管法[1].圆管法的基本原理是通过圆筒壁的一维稳态导热[1,2].被测试材做成圆管状,置于圆管导热装...  相似文献   
39.
热爆SHS法制备金属陶瓷块体工艺过程研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用热爆自蔓延高温合成法简便,快捷地制备了钨基金属陶瓷块体,分析研究了影响热爆SHS反应的各种因素;经对起始温度和稀释剂对材料气孔率的影响研究发现:起始温度的升高,稀释剂含量的减少,均有利于材料的致密化;而不同起始温度时,稀释剂含量对气孔率的影响存在一最佳值,该最佳值相对应的绝热温度在钨的熔点附近。  相似文献   
40.
Efficient polymer light-emitting diodes (PLEDs) with violet blue emission were fabricated using blends of copolymers of paraphenylene-co-silafluorene (PSiF6-PPP) and polymer of poly (9,9'-alkyl-3,6-silafluorene) (PSiFC6C6). The performances of the devices are sensitive to the blend ratio. When the mass ratio of PSiF6-PPP to PSiFC6C6 is 1 : 3, the highest external quantum efficiency is 1.96% at luminance of 105 cd.m2, its electroluminescent (EL) spectrum peaks at 398 nm and full width at half maximum is 67 nm. The improvements of the device performances were due to the energy transfer from PSiFC6C6 to PSiF6-PPP and the balanced injection of electrons and holes.  相似文献   
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