BiCrO3薄膜的溶胶-凝胶制备方法

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3／Si衬底上在450℃退火条件下制备了BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶，呈（I0I）择优取向．铁电性测试表明，室温下薄膜具有铁电性，剩余极化强度为0．6μc／cm^2，漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种。     

DSP Builder实现MP3音频解码中的IMDCT

文章主要讨论如何使用 DSP Builder来实现 MP3音频解码中的 IMDCT。MDCT和 IMDCT是 2种重叠正交变换 ,也是 MPEG音频标准中运算量最大的 2种运算 ,主要应用在数字信号处理当中。采用正弦递归循环公式 ,实现 IMDCT的内核 ,得到一种该变换的高效实现方法 ,这种方法特别适合 VLSI的并行实现     

整合素αvβ3对正常和癌变的人滋养层细胞分泌基质金属蛋白酶的影响

胚胎植入过程中,滋养层细胞对母体子宫内膜的侵润过程与肿瘤的迁移非常类似,显著区别在于前者是受严格调控的有节制侵润.利用体外培养的人早孕胚胎细胞滋养层细胞和人绒毛膜上皮癌细胞模型,通过RT-PCR、明胶酶谱和免疫细胞化学分析等手段,对比研究了整合素αvβ3对正常和肿瘤细胞产生基质金属蛋白酶的调节.结果表明,正常细胞滋养层细胞和绒毛膜上皮癌细胞均可产生整合素αvβ3;整合素αvβ3抗体能够促进正常滋养层细胞产生基质金属蛋白酶的能力,但抑制绒毛膜上皮癌细胞中基质金属蛋白酶的分泌.这表明整合素能够调节基质金属蛋白酶表达,同时也表明正常和肿瘤化的滋养层细胞中基质金属蛋白酶的表达存在截然不同的调节机制.     

正交设计法优化纳米Fe_3O_4的合成工艺条件

采用液相共沉淀法制备纳米级Fe3O4颗粒,并利用芷交设计法对制备纳米级Fe3O4颗粒的影响因素如Fe3 /Fe2 的物质的量比、制备Fe3O4的晶化温度和晶化时间等进行实验设计,利用Zetasizer粒径分布仪对所制备纳米粉的颗粒大小进行表征,据此找出最佳实验条件为Fe3O4的晶化温度为90℃,Fe3 /Fe2 的物质的量比为1:2和制备Fe3O4的晶化时间为30min,此时制得的纳米粉体平均粒径可达15nm;并利用XRD、HRTEM对所制备纳米粉进行结构表征.     

Ce~(3 )掺杂纳米TiO_2自清洁玻璃光催化性能研究

以Ge3 掺杂TiO2溶胶制备自清洁玻璃,并研究Ce3 掺杂量在紫外光照射条件下对甲苯分解能力的影响.AFM照片显示:Ce3 掺杂纳米TiO2自清洁玻璃表面膜是由平均粒径30nm的TiO2颗粒组成的,膜厚度为53nm.光催化研究表明:Ce3 掺杂纳米TiO2自清洁玻璃在紫外光条件下,具有良好的光催化效果,其甲苯分解率都在90%以上,分解时间小于120min.在质量浓度为50μg/mL的甲苯溶液中,波长为365nm紫外光照射条件下,Ce3 与TiO2摩尔比为0.02时,玻璃表面对甲苯的降解率为92.85%;Ce3 掺杂纳米TiO2自清洁玻璃膜对甲苯的光催化分解能力随的Ce3 质量分数的增加而有一最佳值98.5%,其Ce3 /TiO2摩尔比等于0.06;甲苯溶液浓度越高,自清洁玻璃表面对甲苯的分解效率越低;自清洁玻璃表面与甲苯体积比越大,分解甲苯的效率就越高.     

Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)TiO_3压电陶瓷溶胶-凝胶法制备技术研究

分析了溶胶凝胶工艺制备Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5Ti O3微粉中工艺条件的影响,得到了稳定的溶胶,并在750℃合成了颗粒尺寸为100nm左右的微粉;利用该粉体在1175℃烧结得到了性能较好的Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5Ti O3陶瓷,d33=100pC/N,Qm=193.     

无铅压电陶瓷中频滤波器的研制

采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.     

(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电性能研究

用静态法对不同制备工艺和不同PZT掺杂量的(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电系数进行了测试,发现随着PZT掺入量的增加逐渐降低PSTZT陶瓷的热释电系数.采用两步法工艺制备的PSTZT陶瓷和在较高烧结温度下制备的PSTZT陶瓷的热释电系数较大.     

掺锰改性(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)(Ba_(0.5)Sr_(0.5))_(0.06)TiO_3压电陶瓷的性能和微结构

采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.     

MgO掺杂对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3陶瓷结构和性能的影响

用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱.