高铅掺氟Bi系超导体的研制

本文首次报道了五种高铅量Bi系超导体Bi_(2-n)Pb_nSr_2Ca_2Cu_3O_(y-x)F_x(n=1.0,1.2,1.4,1.6,1.7)的制备,x在1.0～1.4的范围内,n依次取上述值时。超导体的T_(co)分别为113.6K,112K,104K,88K,78K。X射线粉末衍射,红外光谱等分析表明,n=1.0～1.4时超导体仍具有2223相结构特征;n=1.6,1.7时表现出新的结构特点,此外从化学动力学观点初步探讨了CuF_2,PbO在超导相形成过程中的作用。     

冷原子吸收与原子荧光法测定 As、Sb、Bi、Hg 的方法研究

样品经王水分解后，调制成１０％的ＨＣｌ介质。移至自制的Ｈｇ发生器中，加入ＳｎＯ２还原，以空气作载体，将Ｈｇ原子蒸气载入测Ｈｇ仪吸收管，冷原子吸收测Ｈｇ。便可实现一次溶矿与原子荧光连测样品中的微量Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｈｇ。检出下限分别为：Ａｓ０．１８μｇ／ｇ；Ｓｂ０．０６７μｇ／ｇ；Ｂｉ０．０８７μｇ／ｇ；Ｈｇ０．０１１μｇ／ｇ。ＲＳＤ％分别为Ａｓ１１％；Ｓｂ６．３％Ｂｉ７．１％；Ｈｇ１．２％。     

Bi系2223单相超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Bi系2223单相超导材料表面和内部的正电子寿命谱,利用三态捕获模型对材料的本征寿命和缺陷分布作了估算,讨论了湮没过程的物理机制以及和材料结构特征之间的联系。     

乙醇分子在Bi(111)表面上的吸附和自组装

利用低温扫描隧道显微镜研究乙醇分子在半金属Bi(111)表面的吸附和自组装.在低覆盖度下,乙醇分子主要以单体和二聚体的形式吸附在衬底表面.随着覆盖度的增加,形成少量的分子链和大量结构稳定的六聚体结构.高覆盖度下的乙醇自组装结构经310K退火2h后,得到大面积的乙醇自组装薄膜.乙醇自组装薄膜的晶格常数是:a=630pm,b=380pm,θ=89°,这与乙醇晶体的晶格常数不同.乙醇自组装薄膜的形成得益于分子间的较强的相互作用,这种作用力可以主导分子与衬底间的作用.     

包边注塑的浇口位置对黏合撕裂强度的影响

针对汽车玻璃塑料包边成型生产中易出现黏合撕裂强度不足的问题,文章研究了浇口位置的设定方法,根据生产中玻璃的形态和塑料包边断面的变化情况,建立包边注塑通用简化模型;根据玻璃嵌件的物理特性,设定熔体与玻璃、模具之间的边界条件,建立传递方程;分别运用数值计算和试验方法得到沿流道方向和包边横截面上的温度和压力分布,分析不同浇口位置对黏合撕裂强度的影响。结果表明,在综合考虑玻璃几何形状的前提下,在位于曲率变化较大的位置附近设定浇口,有利于保障压力平衡且减少注射和保压阶段温度的波动,对包边注塑的浇口设计和工艺、模具设计有指导作用。     

Ti-50Ni激冷合金薄带的组织、相变和形状记忆行为

用熔体激冷法制备了Ti-50Ni合金薄带,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪、示差扫描量热仪和弯曲试验研究了Ti-50Ni激冷合金薄带的显微组织、相组成、相变和形状记忆行为。结果表明,铸态和退火态Ti-50Ni激冷合金薄带都具有良好的形状记忆效应,其显微组织呈树枝状,由马氏体和母相组成,冷却时都发生A→R→M二阶段相变,加热时铸态和400~500℃退火态激冷合金薄带发生M→R→A二阶段相变,550~600℃退火态则发生M→A一阶段相变。随退火温度升高,马氏体逆相变温度T_A、R正相变温度T_R、R逆相变温度T_(Rr)和马氏体相变热滞△T_M升高,马氏体正相变温度T_M和R相变热滞△T_R降低。     

一种用Bi-CMOS技术实现的模糊控制器

提出一种新型的用Bi-CMOS技术实现的模糊控制器，该模型控制器隶属函数产生电路、取小运算电路和解模糊化电路，隶属函数产生电路可编程输出多个非线性函数，解模糊化电路采用归一化电路实现法运算，该模型控制器是可集成在一块芯片上的高速、低功耗系统。     

InCu熔体结构的多度域分形分析

基于高温X射线衍射实验,利用多域分理论研究了InCu熔体内原子簇在不同温下时空特性,表征了InCu金熔体几构特征.果显示,In,In-1wt.%CuIn-20wt.%Cu熔体构是种部分重叠多域分构,InIn-1wt.%Cu低维分维数随着温升高而升高,In-20wt.%Cu熔体低维分维数随着温升高出现不规则变化,且分维数可作为构敏感参数反映金构变化.In-57wt.%Cu熔体构也存在分特性,但不存在多域特性.利用多域分模,计算了In,In-1wt.%CuIn-20wt.%Cu熔体多域分过区域原子个数,由模计算所lnN-lnr曲线与实验所致,lnN-lnr曲线最大误差不超过1.22%,多域分范围熔体构有着对应联系,测多域分过区域与熔体构特性有关.利用超微粒聚制释了熔体分貌.     

无接触熔炼电磁约束压强计算及熔体外形确定

在对高导电率材料提纯过程中引入无接触电磁约束熔炼技术,可以避免熔体与坩埚接触,有效地阻止坩埚带来的杂质污染.从熔体局部径向压强平衡方程出发,提出电磁约束压强的概念和计算方法,通过模拟计算确定熔体外部形状.使用自制水冷铜坩埚,以铝为原料,在大气条件下实现了无接触电磁约束熔炼实验.结果表明被约束的熔体外部形状与计算结果相符,说明所提出电磁约束压强的计算方法是正确的.     

锗酸铋熔体的热力学性质

采用最大拉力圆环法精确系统地测量了锗酸铋熔体体系xBi2O3-(1-x)GeO2在0.15相似文献