Bi_2O_3-SiO_2系统高温熔体研究进展

Bi_2O_3-SiO_2系统是一类重要的无机硅酸盐系统,其晶体材料具有光学、光电、电导、声光、压电等性能。本文综述了目前对于Bi_2O_3-SiO_2系统高温熔体的认识,分析了Bi_2O_3熔体的相变。Bi_2O_3-SiO_2系统高温熔体的液相状态、相平衡及熔体结构,最后阐明了该领域研究热点、可能的应用以及需要进一步研究开发的课题。     

高Tc超导材料Bi_2Sr_2CuO_6和Bi_2Sr_2CaCu_2O_8的晶格振动对称性分析

本文运用群论方法,对高T_c Bi 系超导体中的Bi_2Sr_2CuO_(?)和Bi_2Sr_2CaCu_2O_8的晶格振动模进行了系统的对称性分类.给出了其布里渊区中(?)点,X 点和△线振动模式的对称分解和对称化基.     

NiAl金属间化合物熔体旋转法制备工艺参数研究

研究了金属间化合物快速凝固薄带的成型过程和影响薄带质量的工艺参数。提出了熔体在喷嘴处进行层流流动的经验关系式，给出了金属间化合物快速凝固薄带制备的最佳工艺参数。     

纳米双相钕铁硼永磁合金的织构及磁畴

为开发纳米复合永磁材料高磁能积的潜力,用熔体快淬法制备各向异性的纳米双相快淬带。X光衍射结果表明,Nd9Fe85-xNbxB6(x=0,0.5,1.0)快淬带中存在垂直于带面的Nd2Fe14B[00L]织构,其自由面上的织构强于贴辊面。x=1.0时,在15m.s-1的快淬速度下的择优取向度为94%。磁力显微镜观察表明晶粒间存在强烈的交换耦合作用。x=0.5时的快淬带具有较强交换耦合作用及高织构度,因此具有最佳磁性能。其剩余磁极化强度为1.130T,内禀矫顽力为519.8kA.m-1,最大磁能积为121.2kJ.m-3。     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.     

高分子熔体和浓溶液的流变性能研究──（Ⅱ）高分子流体的本构方程和其物料函数

从前一报所提出的具有多重缠结限制作用的高分子非线性粘弹性理论出发，推导出了高分子流体的回忆函数、一般化的积分型本构方程和多种流场分布下的多种物料函数：１）稳态简单剪切流；２）稳态单轴拉伸流；３）小振幅的振动剪切流；４）稳态剪切流前和后的应力增长和应力松弛；５）稳态拉伸流动停止后的应力松弛．提出了一种从流动曲线来测定物料函数中的粘弹性参数ηｏ，Ｇ，ｎ＇和α的新方法．从多重缠结和多重蠕动机理推导出了ηｏ和τｔ同Ｍ的定量关系式，并得到了实验证实．最后以大量高分子流体的流变性能实验数据（η（γ），ψｌ（ω）和η（ω））对所得的静、动态剪切物料函数进行了验证，证实了所提出的非线性粘弹性分子理论与实验有较好的符合．     

SnBi／Cu界面Bi偏聚机制与时效脆性抑制

长期时效的SnBi／Cu界面出现的Bi偏聚导致的界面脆性大大限制了Sn．58Bi低温无铅焊料的使用,因此有必要在理解其产生机制的基础上研究抑制界面Bi偏聚及时效脆性的方法．本文首先根据SnBi／Cu焊接界面在液态反应（回流焊接）和固态时效过程中的Bi偏聚行为讨论了偏聚形成的机制,而后阐述了Cu基体合金化和回流温度对Bi偏聚行为的影响,并讨论了合金化抑制Bi偏聚的微观机制．此外还比较了SnBi／Cu和SnBi／Cu．X焊接接头的拉伸、疲劳性能和断裂行为,证明了在消除界面Bi偏聚之后SnBi／Cu界面在拉伸和疲劳载荷下均不会出现脆性断裂,最后基于以上理解提出了消除界面脆性的新工艺方法     

Bi系高温超导体低温红外吸收谱特征峰分析

本文分析了Bi系高温超导体低温红外吸收光谱中位于1265cm-1处的红外吸收峰．着重分析了该吸收峰强度的变化特点及其与超导体内部微观结构的联系．分析表明该吸收峰与Cu－O键的伸缩振动有关,该吸收峰的强度随温度的变化与Bi系高温超导体内载流子与声子的耦合作用密切相关．此外,该吸收峰的强度与Bi系高温超导体的超导特性有联系．     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

ZnO压敏陶瓷实际Bi元素的含量

建立了压敏陶瓷实际Bi元素含量检测品质的控制方法,讨论了烧结方式、温度及保温时间对Bi元素挥发量的影响,研究了实际Bi元素含量对压敏陶瓷显微结构、电性能的影响.实验表明,采用电感耦合等离子体光学发射光谱仪检测样品Bi元素含量,实际检测极限为1.0×10-6.通过优化烧结,有效控制了Bi元素挥发,从而获得均匀的显微结构和预定晶界,得到电学性能优良的ZnO压敏陶瓷.