Effect of Na~+ in situ doping on LiFePO_4/C cathode material for lithium-ion batteries

Li_1-XNaXFePO₄(X = 0, 0.01 or 0.05) composite cathode materials were synthesized by the simple solvothermal method. SEM images showed that Na doping had little effect on the morphology of particles, which provided a guarantee for its excellent electrochemical performance. Charge/discharge data revealed that an appropriate amount of doped Na could improve electrochemical performance. Li_0.99Na_0.01FePO₄ showed excellent rate capacity and cycle s...     

12C与133Cs反应中Ba同位素的Qgg产额依赖

使用47MeV/u12C离子轰击133Cs靶,由多核子转移反应产生Ba同位素。使用放射化学方法,从133Cs和反应产物中分离出产物Ba,再使用高纯Ge探测器测量Ba放射性同位素的γ活性,根据Ba同位素的活度和其他相关数据,确定Ba同位素的产生截面。通过分析测得的Ba同位素的厚靶平均产生截面,发现缺中子Ba同位素的独立截面不遵从规则的Qgg系统性。该结果可用重离子碰撞中的次级过程加以解释。     

元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响

基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga₂O₂晶体结构和电子性质的影响. 结果表明： 掺杂B,C,Mg,Si,P元素可使晶体结构发生改变, 并改变掺杂体系的电子性质； 与本征Ga₂O₂晶体相比, 这几种掺杂元素体系的带 隙均减小, 这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.     

GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控

运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了第Ⅴ主族原子（P，As，Sb）替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明，第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内，在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大；在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时，电流不随电压的变化而变化，继续增大中心半导体沟道长度，电流大小接近于0，器件呈现显著的整流特性.