Fe2O3／TiO2纳米粒子的制备及其结构表征

利用酸催化的溶胶凝胶法（ｓｏｌｇｅｌ）制备了一系列不同Ｆｅ３＋掺杂量的二氧化钛半导体纳米粒子．用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＰＬ、ＵＶ等技术对其结构及其光谱特性进行了研究．     

CeO2/CNTs复合光催化剂的制备及其对抗生素废水光催化降解研究

以多壁碳纳米管(MWCNTs)为载体,硝酸锶铵为锶源,采用水热法制备CeO2/CNTs复合管光催化剂．采用场发射扫描电子显微镜(FE．SEM)对碳纳米管负载CeO2前后的形貌进行了的表征;以阿莫西林溶液的降解为目标反应,考察了催化剂的紫外光、可见光(A>420 nm)催化活性．结果表明：所制备的催化剂基本保持了原始MWCNTs的纤维状形貌,二氧化锶在MWCNTs表面分布均匀,MWCNTs增强了污染物在催化剂表面的吸附,提高了对光的吸收和利用,因此所制备的CeO2／MWCNTs复合光催化剂表现出较高的光催化活性．     

Zr^4＋对KTP晶体结构畸变性的影响

采用高温固相反应法合成了掺杂Zr^4＋的KTP晶体。用XRD对烧成产品的物相进行了系统的分析,用最小二乘法对样品的晶胞参数进行了计算,系统分析了掺Zr^4＋对晶胞参数的影响。随着掺杂Zr^4＋浓度的增加,晶胞参数明显增大,KTP中八面体畸变的程度会更高。     

掺杂和应变对硅纳米线电子结构与光学性质的调制影响

为了研究掺杂和应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构与光学性质的调制影响,基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(general gradient approximation,GGA),采用第一性原理方法开展了相关计算。能带计算表明：空位掺杂和元素掺杂均引入杂质能级,形成了N型和P型半导体材料。单轴应变则进一步减小了带隙,增强了掺杂硅纳米线的导电性,但由于应变也修饰了费米面附近能级的形貌,能带曲率突变影响了体系的导电性能。光学性质计算表明：相比于空位掺杂,元素掺杂更有效地改变了SiNWs的介电函数、吸收系数、折射率与反射率等光学参数,而单轴应变则削弱了元素掺杂的影响。拉应变提升了光吸收的范围和强度,尤其是可见光波段,使掺杂硅纳米线成为优质光伏材料,压应变则降低了对紫外光波段的吸收效率。在紫外区域,拉应变和压应变对掺杂硅纳米线的折射率与反射率的影响相反,在红外和可见光区域影响则一致。本文研究结果为基于应变和掺杂硅纳米线的光电器件设计与应用提供一定的理论参考。     

RE/Ti/Si三相流化床光催化降解水中有机物研究

用溶胶-凝胶法从硝酸钇、氯化镧和硝酸铕与钛酸四丁脂及多孔微球硅胶合成了负载型RE/Ti/Si催化剂.并用该催化剂在自制的三相流化床反应器内对含酚废水进行了光催化降解反应的研究,并对各种情况下的反应条件进行了探索.结果表明:与Ti/Si催化剂相比,催化剂RE/Ti/Si具有更好的催化活性.当光照时间为180min,催化剂的用量为7g/L,通气量为40mL/min,酚类化合物的质量浓度控制在20mg/L,光照距离为2～5cm,酚类化合物的降解率可达98%以上,比Ti/Si催化剂的降解率高10%～20%.     

有机掺杂红色发光二极管的特性研究

研究了不同掺杂浓度掺杂Alq3：DCM体系有机发光二极管的电致发光（EL）特性,根据实验结果,指出器件的EL发射峰值跟作为受体的DCM在给体Alq3中的掺杂浓度有关,应用Forster能量传递理论对其机理进行了解释。     

Dielectric,piezoelectric, and ferroelectric properties of lanthanum-modified PZTFN ceramics

Specimens of Pb_1?1.5xLa_x(Zr_0.53Ti_0.47)_1?y?zFe_yNb_zO₃(x = 0, 0.004, 0.008, 0.012, and 0.016, y = z = 0.01) (PZTFN) ceramics were synthesized by a semi-wet route. In the present study, the effect of La doping was investigated on the structural, microstructural, dielectric, piezoelectric, and ferroelectric properties of the ceramics. The results show that, the tetragonal (space group P4mm) and rhombohedral (space group R3c) phases are observed to coexist in the sample at x = 0.012. Microstructural investigations of all the samples reveal that La doping inhibits grain growth. Doping of La into PZTFN improves the dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of the ceramics. The hysteresis loops of all specimens exhibit nonlinear behavior. The dielectric, piezoelectric and ferroelectric properties show a maximum response at x ≥ 0.012, which corresponds to the morphotropic phase boundary (MPB).     

Fe3+掺杂对TiO2光催化氧化甲醇的影响

用改进的溶胶-凝胶法制备了一系列Fe^3 掺杂的TiO2光薄膜电极,并将其应用到甲醇光电氧化中．当掺杂Fe^3 的质量分数为0．25％、焙烧温度为400℃时光催化氧化甲醇的效果最好,通过SEM,XRD,UV等手段的表征,进一步验证了掺杂对一定粒径范围内的纳米TiO2粒子有效．     

Sm掺杂Ti/SnO2-Sb电极电催化氧化性能

采用涂层热解法制备Sm掺杂Ti/SnO2-Sb电极.以C6H5NO3(对硝基苯酚)为目标有机物,考察不同热处理温度、不同Sm掺杂量下制备的电极的电催化性能,采用LSV(线性扫描曲线)、降解曲线和破损的分析方法研究电极的电催化氧化性能和使用寿命.结果表明:最佳热处理温度为550℃,xSn∶xSb∶xSm=100∶10∶1电极的综合性能最好.在降解有机物试验中,不掺杂Sm的电极降解率为74.4%,掺杂率为1%的电极降解率为85.6%,掺杂率为2%的电极的降解效率仅为74.2%.因此,适量的稀土Sm掺杂有利于提高电极的电催化性能.     

Sm2O3掺杂BaZr0．25Ti0．75O3铁电陶瓷的制备及其结构、介电性能研究

采用传统的固相反应法制备了（1-x）BaZr0．25Ti0．75O3（BZT）＋xSm2O2（X=0,0．002,0．004,0．006,0．008,0．01）的铁电陶瓷,用X射线衍射和介电谱方法研究了Sm2O3的掺杂对BZT陶瓷结构和介电性能的影响．结果表明,Sm2O3的掺入没有改变BZT晶体钙钛矿结构,并且随着Sm^3＋取代浓度增大,衍射峰向高角度略有偏移,说明晶面间距减小;随着Sm2O3,掺杂量的增加,BZT介电峰向低温区移动,并且被压低展宽,BZT陶瓷介电常数和介电损耗随Sm2O3掺杂量的增加而减小,频率对各组分的介电常数影响较小,在T=300K,f=10^4Hz时,发现Sm2O3掺入量为0．01时具有较大的介电常数和较小的介电损耗．