GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

C和Ti双注入H13钢抗腐蚀钝化层的形成

用多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀坑,发现注入层表面已经形成了具有一定厚度钝化层.这种钝化层既能抗酸性腐蚀,又具有优良的抗碱性点蚀特性.测量结果表明,在C注量不变时,增加Ti注量可使抗腐蚀特性增强;而在Ti注量不变时,增加C注量可使抗点蚀特性增强.     

CH3CSNH2／NH4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征

一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理     

各类Ti基合金阳极用于电解MnO2（EMD）的研究

本文报道了各类Ti基合金阳极（纯Ti,Ti—C,Ti—B,Ti—Ni,Ti—Mn（Ⅰ）（涂层）,Ti—Mn（Ⅱ）（合金）〕用于电解MnO_2（EMD）的实验研究工作.经二周期的连续电解（一周期为30天）,电流密度i.d=100A/m~2),纯Ti阳极钝化严重,从中筛选出Ti—Mn阳极及Ti—Ni阳极为最佳。     

交流阻抗法对几种铜缓蚀剂比较研究

采用交流阻抗法研究了在ＮａＣｌ溶液中缓蚀剂ＢＴＡ、ＴＴＡ、５ＭＢＴＡ ＣＢＴＭＥ对铜电极的缓蚀行为并进行了比较。４种缓蚀剂的缓蚀性均随浓度的增加而增加，当浓度达到７０ｍｇ／Ｌ时缓蚀性最佳。缓蚀剂浓度低于２０ｍｇ／Ｌ时ＢＴＡ、ＴＴＡ、５ＭＢＴＡ有效好的缓蚀性，超过４０ｍｇ／Ｌ时ＣＢＴＭＥ的缓蚀性明显优于其他３种。复合配方试验结果表明，当缓蚀剂总浓度为４０ｍｇ／Ｌ，ＢＴＡ与５ＭＢＴＡ复配的最佳比例为２     

在EMD生产过程中Ti基Ti—Mn合金阳极的电化学极化

用控制电位稳态极曲化线法研究了Ti基T1－Mn合金阳极分别在25℃、50℃、80℃的40％H2SO4。及1mol／LMnSO4－20％H2SO4溶液中的电化学极化行为；结果表明：Ti-Mn合金阳极的极化白线类似于纯Ti阳极，但临界钝化电流密度ib及维钝态电流密度ib均有所提高，钝化区有明显的缩减，对EMD工业中纯Tii阳极Ti－Mn合金阳极的钝化机理作了讨论；作者认为Ti-Mn合金阳极优于纯Ti阳极．     

F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比

在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进后产品的中位寿命比原产品约有一个数量级的提高。     

镀锡板无铬钝化液喷射特性数值模拟

通过计算流体力学软件数值模拟和物理实验相结合的方式,研究了喷涂时喷盘的转速、间距、喷盘与带钢之间的距离及喷盘数量对粒度分布和雾化效果的影响.研究表明:喷盘转速越高,雾化出的液滴速度越快,液滴直径越小,雾化效果越好,选取喷盘转速为6000r/min;喷盘与带钢之间的距离为100mm时,带钢宽度范围内液滴粒度分布效果最佳;喷盘之间的间距变化时,液滴干涉区域和液滴之间的碰撞随之变化,间距80mm效果最佳.采用获得的参数制得的无铬钝化产品优于原钝化产品,表明了参数选取的合理性.     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。