Ferromagnetism at 230 K in （Ba0.7K0.3）（Zn0.85Mn0.15）2As2 diluted magnetic semiconductor

We report the ferromagnetism with Cure temperature Tcat 230 K in a new diluted magnetic semiconductor(DMS)(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2isostructural to ferropnictide 122 superconductors synthesized via low temperature sintering.Spin is doped by isovalence substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is introduced by heterovalence substitution of K1+for Ba2+in(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS,being different from(Ga,Mn)As where both spincharge are induced simultaneously by heterovalence substation of Mn2+for Ga3+.The(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS shows spontaneous magnetization following T3/2dependence expected for a homogeneous ferromagnet with saturation moment 1.0μB for each Mn atom.     

基于多物理场耦合的非晶合金变压器短路特性分析

非晶合金变压器具有显著的节能优势,但是抗短路能力不足。针对在实际试验研究中非晶合金变压器绕组短路系列故障设置困难问题,本文基于电磁场-结构力场-温度场的瞬态多物理场耦合理论,建立变压器有限元三维模型。仿真了低压侧出口三相短路条件下非晶合金变压器矩形绕组的短路特性,研究了非晶合金变压器发生短路时温度剧烈升高所带来的热应力对绕组形变的影响。并对单独电磁力作用和电磁力热应力耦合作用下的绕组应力和形变进行了对比,计算结果表明热效应会对变压器形变产生较大影响,造成矩形绕组多处严重变形损坏。短路温升是变压器变形损坏不可忽略的因素,同时也是提升变压器抗短路能力中需要重点考虑的问题。     

在工作状态下感应反型层太阳电池的薄层电阻

给出了决定在工作状态下感应反型层太阳电池薄层电阻的一组方程.与以前的理论不同之处是考虑到了薄层电阻对电地工作状态的依赖性.分析中计及了电地外表面上的象电荷和二氧化硅-硅界面的界面电荷的作用.文中以氮化硅-二氧化硅-硅结构的感应反型层太阳电池作为实例,研究了它的薄层电阻与工作电压的关系.结果表明,当工作电压在0,4V附近时,薄层电阻有一最小值,而当工作电压大于0.4V时,薄层电阻随工作电压的增高而急剧增大.     

有机光电耦合器件的特性

对有机发光二极管在传感器和光电子器件上应用的可能性进行了初步研究. 用有机发光二极管和光敏二极管组成了新型光电耦合器件, 实现了电信号的隔离传输. 实验表明, 这种新型光电耦合器可用于低速模拟信号的线性隔离传输, 传送方波信号时有明显失真, 目前不适合数字信号传输.     

硼／氮共掺杂使金属性单壁碳纳米管转变成半导体

本研究小组利用硼和氮共掺杂碳纳米管构筑了大量的场效应晶体管,并对其电学性质进行了统计分析研究。结果表明。通过对单壁碳纳米管进行硼和氮共掺杂,样品中半导体性纳米管的比例由67％提升到高于97％。为了深入理解这一重要实验发现,我们利用第一性原理,计算了掺杂对单壁碳纳米管能带结构的调制作用。结果证明,硼和氮共掺杂可使金属性单壁碳纳米管的能隙被打开,转变为半导体性纳米管,但并不改变半导体性碳纳米管的导电属性,从而在理论上解释了硼和氮共掺杂调节碳纳米管能带结构的物理机制。这项工作为纳米管电子和光电子器件走向实际应用提供了一条新途径。     

Influence of O2/Ar ratio on the properties of transparent conductive niobium-doped ZnO films

Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃. The influence of O2/Ar ratio on the structural, electrical and optical properties of the as-deposited films is investigated by X-ray diffraction, Hall measurement and optical transmission spectroscopy. The lowest resistivity of 4.0×10^-4Ω· cm is obtained from the film deposited at the O2/Ar ratio of 1/12. The average optical transmittance of the films is over 90%.     

掺杂Li对MnxCu1-xO稀磁半导体电学性质的影响

系统地研究了Li掺杂MnxCu1-xO稀磁半导体样品的制备。采用固相反应法,通过改变掺杂浓度、制备工艺等方法获取不同的样品,通过比较、拟合Nyquist图,找出最佳的掺杂方法,并利用交流阻抗谱法分析样品的结构及其电学性质。     

磷化铟从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变

用两种方法研究了InP从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变,第一种是基于等焓的方法,另外一种是根据柯西平衡判据.利用从头算平面波赝势密度泛函理论研究了InP在一系列高压下的电子结构和弹性常数,同时根据等焓条件发现InP从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变压强是12.1 GPa,与根据柯西平衡判据得到的结果一致,从而说明用这两种方法来研究晶体的结构相变是可行的.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体微重力生长研究进展

空间微重力环境为理解被地面重力场掩盖的晶体生长现象与规律、探索新的晶体制备工艺提供了独一无二的平台.我国学者在过去的30多年里进行了Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体的空间生长研究,主要进展有:在微重力条件下得到了器件级的半绝缘GaAs,基于其制备的低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路性能明显超过地基器件;通过抑制熔体静压力的作用,实现了GaSb及InSb两种材料的非接触Bridgman生长,并大幅降低了材料的位错密度;深入研究了浮力对流、Marangoni对流及旋转磁场驱动的强制对流对组分微观偏析的影响规律;将垂直梯度凝固法应用于半导体合金生长,获得了组分均匀分布的GaInSb材料.本综述回顾了以上方面的研究进展,并对半导体空间材料科学的未来挑战进行了展望.     

半导体光催化氧化技术的研究进展

作为一种高级氧化工艺，半导体光催化氧化技术能有效降解多种对环境有害的污染物，使污染物矿化为CO2、H2O及其他无机小分子物质．在诸多半导体光催化剂中，TiO2由于无毒、催化活性高、氧化能力强、稳定性好、成本低，成为最常用、也是最具潜力的一种光催化剂．阐述了TiO2光催化氧化的反应机理，介绍了决定TiO2光催化性能的因素及提高其活性的方法，总结了光催化反应器的发展及影响光催化反应效率的因素，并展望了半导体光催化氧化技术的前景，指出了今后的研究方向．