一类非线性退化半导体方程弱解存在性的研究

目的研究非线性退化半导体方程在初值u0,v0∈L2 (Ω)的条件下,其混和初边值问题弱解的存在性。方法利用截断的方法先将原问题正则化,对正则化问题的解做估计,并利用紧性引理。结果通过取极限证明了原问题解的存在性。结论在满足一定假设条件下,非线性退化半导体方程存在弱解。     

α-SiC和α-SiC:H体系的电子态

本文用EHT方法计算a-SiC和a-SiC:H体系的电子态.得到的结果表明,由悬挂键引起的禁带中的电子态可因氢原子饱和而消失,与实验结果相符.     

非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

电镀非晶态Ni-P合金的研究

采用Ni-P合金阳极在Watt型镀液中电镀,获得了高光洁度、高硬度和耐蚀的非晶态Ni-P合金镀层,建立了最佳工艺条件,并研究了温度、电流密度及镀液中H_3PO_4含量等对沉积速度,合金中磷含量,合金硬度等的影响;对Ni-P合金镀层结构的研究结果表明,采用Ni-P合金阳极,可使合金镀层具有更高的含磷量,且变化范围较小,在研究范围内获得的Ni-P合金均为非晶态结构。     

掺杂氮化铝中局域磁矩的第一性原理计算

理想的稀磁半导体具有良好的室温铁磁性,氮化铝(AlN)稀磁半导体虽然具有宽的带隙和透光性,但由实验重复性差等原因,一直未得到广泛的应用.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算掺杂硼(B)的AlN中局域磁矩的变化规律.通过分析电子结构发现,掺杂B后的AlN稀磁半导体中出现了明显的局域磁矩,其大小为2μB.     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。     

非晶金属的激波微晶晶化、纳米晶化

用X-rayDiffraction(XRD)研究激波对FeCuNbSiB非晶合金的影响。结果表明:一定强度的激波能使非晶态转变为晶态,而且晶粒尺寸在100纳米范围内。     

解M/a-Si势垒区泊松方程

本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的.     

衬底温度和退火处理对类金刚石非晶碳膜光电发射谱的影响

在硅衬底下,用等离子辉光放电的方法制备了一组衬底温度为20℃、100℃、200℃和280℃的样品。在光电子能谱仪中测量了它们在HeⅠ(21.2eV)激发下的UPS谱。此外还测量了衬底为常温的样品在退火温度为200℃、350℃、500℃、700℃和800℃时的UPS谱。实验结果表明,衬底温度在200℃至280℃时,金刚石成分略有增加,当退火温度低于350℃时,金刚石成分有所增加,但高于350℃后,迅速向石墨方向转化。本文对实验结果进行了讨论,认为氢在其中起了重要作用。