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21.
采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO(x=0.01~0.42)纳米晶,X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分锌离子的占位,用振动样品磁强计研究了Zn1-xCoxO系列样品的磁性能,发现当x≤0.12时,样品呈现明显的室温铁磁性.此外,研究了合成过程中反应液的pH值、钴的掺入量和产生的沉淀等因素对Zn1-xCoxO磁性能的影响,并初步探讨了反应机理. 相似文献
22.
利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在. 相似文献
23.
硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析。 相似文献
24.
25.
基于第一性原理计算方法研究了CdxZn1-xSe三元合金以B3(闪锌矿),硫钒铜矿(P43 m)及四方(P42 m)相存在时的结构、电子和光学特性.对这些三元合金中的晶格常数、体积弹性模量及能带隙的大小对Cd含量x的依赖关系进行了分析.计算和讨论了这些合金中的角动量投影态密度的分布和变化情况.对CdxZn1-xSe三元合金的一些光学特性,如介电函数、折射系数和能量损失函数,也进行了计算和讨论,计算中所用的入射光子能量范围为0~25eV.研究结果与文献中已有的数据相当吻合. 相似文献
26.
《自然科学进展(英文版)》2020,30(2):208-212
It is known that developing Fe-based amorphous alloys with the saturation flux density(B_s) higher than 1.65 T is a major challenge.In present work,effects of C addition on magnetic properties of Fe-based amorphous alloys were systematically studied.It has been found that the addition of C can significantly increase the saturation flux density(B_s) and the magnetic flux density at 800 A/m(B_(800)) of the Fe-B-C-Si-P amorphous alloys.After the addition of C,the B_s of the amorphous alloys increase from 1.61 T(Fe_(83)B_(13)Si_3 P_1) to 1.65-1.71 T(Fe_(83)B_(13-x)C_xSi_3 P_1,x=1.5,2,3 and 4). The Fe_(83)B_(10)C_3 Si_3 P_1 amorphous alloy possesses excellent soft magnetic properties with high B_s of 1.71 T and low H_c of 1.5 A/m.It shows that density increase of the alloys and weakened metalloid-sp/metal-d bonding caused by C addition contribute to the increment of B_s.It suggests that the newly developed high-performance amorphous alloys possess great potential in application. 相似文献
27.
为了提高光伏发电效率,降低独立光伏发电系统成本,将强光特性的单晶硅电池和弱光特性的非晶硅电池复合应用在发电系统中。通过对太阳电池的I-V特性分析,构建复合光伏阵列输出功率与辐照强度、温度之间的关系,通过辐射量、日照时数等气象参数对定容量的独立光伏发电系统进行了光伏复合组件的优化研究。 相似文献
28.
供压敏元件用的氢化微晶硅薄膜的制备 总被引:1,自引:1,他引:0
供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm~(-1)~16Scm~(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和喇曼谱,测定晶粒尺寸和结晶体体积比分别为42~68A和60~70%。随着工艺条件的改变,在玻璃衬底上8000A厚的n型微晶硅膜的纵向效应灵敏系数(G因子)可达到-24.4~-30.5。 相似文献
29.
束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了用离子束溅射淀积非晶硅(a-Si)和氢化非晶硅(a-Si:H)的方法,提供了加速电压和衬底位置改变对薄膜暗电阻率的影响结果,通过有关淀积工艺条件的研究,得出了一些有用的结论。 相似文献
30.
Dinesh K.Pandya 《复旦学报(自然科学版)》2007,(5)
1 Results Inducing order in spin degree of freedomof charge carriers in conventional semiconductors and gettingroomtemperature ferromagnetism(RTFM) is an ongoing challenge in realizing spintronic devices . 相似文献