TaAgN复合膜显微结构、力学性能和摩擦性能的研究

采用非平衡反应磁控溅射法制备了TaAgN复合膜。利用X射线衍射仪、CSM纳米压痕测试仪和摩擦磨损测试了复合膜的显微结构、力学性能和摩擦性能。结果显示,TaAgN复合膜由面心立方结构的TaN相和底心斜方结构的Ta₄N相组成。随着Ag靶功率的增加,硬度H、弹性模量E、弹性恢复W_e和H³/E²值均呈先升高后降低的趋势,最大值分别为34 GPa,394 GPa,57%和250 MPa。随着Ag靶功率的增加,TaAgN复合膜室温下的平均摩擦因数呈降低趋势。当Ag靶功率为25 W时,随着温度的升高,TaAgN复合膜的平均摩擦因数逐渐减小。     

多晶硅薄膜太阳电池电子辐照研究

利用静电加速器对多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照实验。电子能量为1MeV,分别以1014e/cm2、1015e/cm2和1016e/cm2电子辐照注量进行辐照,首次获得了多晶硅薄膜太阳电池在高注量的电子辐照后,性能衰降比晶体硅大的结果。结合太阳电池理论和半导体材料的电子辐照效应给出了合理的解释。     

Microstructure and optical properties of Ag5In5Te47Sb33 phase change thin films with high reflection in thermal annealing process

The microstructure and optical properties of Ag-5In-5Te 47Sb 33 phase change films with high reflection in the thermal annealing process were systematically reported. The as_deposited film is amorphous and its crystalline temperature is 160℃. The annealed films are crystalline. The crystalline phases are AgInTe-2, AgSbTe-2 and Sb when annealed at low temperature. When annealed at 220℃, the AgInTe-2 phase disappears and the amount of AgSbTe-2 is the largest. The research of electronic transmission microscopy shows that the morphology of AgSbTe 2 is sphere and that of Sb is bludgeon. The reflection of the annealed films is higher and reaches its peak value at 220℃.     

射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.     

钛表面制备多孔氧化膜的研究

以硫酸和磷酸为电解液,工业纯钛为阳极,不锈钢为阴极,恒电流阳极氧化的方式在钛表面直接获得TiO2多孔氧化膜,经过500℃热处理,促进氧化膜由非晶体向晶体的转变.采用扫描电镜和X射线衍射对阳极氧化膜的形貌和结构进行了分析,研究了电流密度、电解液种类以及浓度对TiO2多孔氧化膜形态和晶型的影响,并探讨了其形成机理.结果表明,以磷酸为电解液时钛表面仅生成锐钛矿相的TiO2,而以硫酸为电解液时钛表面生成锐钛矿和金红石两种晶相的TiO2.     

硅基薄膜太阳电池研究现状

硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析。     

C60/十八烷酸Langmuir-Blodgett膜滑动摩擦机制的分子动力学模拟

采用分子动力学方法模拟研究了C60/十八烷酸Langmuir-Blodgett（LB）单层膜混合系统的滑动摩擦行为．模拟结果显示：与纯的十八烷酸单层LB膜系统相比,含有C60分子的混合系统具有更低的剪切压．分析结果表明,在滑动过程中,C60分子被局域在由长链分子形成的空穴里,并且在整个滑动过程中发生滚动振荡行为;系统间的摩擦力主要来自于C60分子与十八烷酸单层膜之间的作用力,而十八烷酸单层膜与十八烷酸单层膜之间的作用力很微弱.     

微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。     

膜厚与硅含量对硅基铜膜的电导率和残余应力的影响

与铝相比铜膜具有电导率高,抗电迁移能力大而代替铝膜作为集成电路的内连线和地线,其残余应力和电导率是两个重要的参数．本文对硅片上铜膜的残余应力和电导率进行了研究．结果表明,膜中的残余应力随膜厚的增加而增加;硅含量越多,残余应力越小;电导率随膜厚的增加而增加直到趋于最大值;硅含量越大,其导电率越小．     

二甲亚砜中电沉积La—Co合金膜的研究

研究在非水溶剂二甲亚砜中电沉积La-Co合金膜。体系中加入柠檬酸为络合剂,聚乙醇－100为添加剂,用于改善沉积层的质量。在沉积过程中,应用了恒电位电解技术和脉冲电解技术。所得La-Co合金膜的表面是光滑,致密。粘附性好和有金属光泽。恒电位电解技术沉积得到的La-Co合金膜中La的质量分数是22．42％－50．29％,脉冲电解技术沉积得到的La-Co合金膜中La的质量分数是1．46％－42．63％。脉冲电解技术沉积得到的La-Co合金膜通过电镜观察发现金属粒子的大小约为100nm。