Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

有机低维单晶生长炉的设计

对区域熔融法生长有机低维单晶的炉体结构做了新的设计和实验，同时成功地生长出有机材料ＡＢＰ纤维和薄膜两种形态的低维单晶。     

残铝在35CrNi3MoV钢中的作用

研究了残铝在３５ＣｒＮｉ３ＭｏＶ钢中的作用与作用机理。结果表明，３５ＣｒＮｉ３ＭｏＶ钢的最佳残铝含量为０．０１０％Ａｌ。     

低气压条件下绝缘子污闪特性的研究

污秽绝缘子的闪络电压Ｕ和大气压力户之间的关系为Ｕ＝Ｕ。（Ｐ／ｐ０）ｎ，Ｕ０是该污秽绝缘子在标准大气压户。下的闪络电压。作者用固体污层人工污秽试验方法研究了不同形状绝缘子在不同污秽度下以及在不同大气压力下的污闪电压，并研究了在交流和直流电压分别作用下的污闪电压差别。试验结果表明，上述公式中的指数ｎ在交流电压下的数值大于直流电压。对于形状简单的绝缘子ｎ值不受污秽程度影响，对于形状复杂的绝缘子ｎ值受污秽程度的影响。ｎ值变化的原因在于绝缘子伞裙间的电弧桥络现象。     

复Fuzzy矩阵的概念及其运算法则

本文在分析Fuzzy矩阵与Grey矩阵的基础上,提出复Fuzzy矩阵的概念,并讨论了复Fuzzy矩阵的基本运算性质,为进一步研究大系统的因素分析,系统预测、决策以及复杂系统的控制等问题奠定了数学基础。     

量子霍尔电阻作为电阻自然基准的研究

本文介绍了量子霍尔效应（ＱＨＥ）作为电阻自然基准的前景．并研制了一种量子霍尔电阻（ＱＨＲ）的测量系统，在４．２Ｋ的温度下对ＱＨＲ进行了精密测量，测试了多个ＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ异质结的ＱＨＲ，其量值为２５８１２．８４６Ω，测量不确定度约为１×１０－６。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

利用直接数字式频率综合技术（DDFS）综合低频扫频系统的的原理和方法

本文论述利用ＤＤＦＳ技术综合低频扫频系统的原理方法以及ＤＤＦＳ技术的特点．     

用多路数字FIR滤波器实现动目标多卜勒反射波跟踪的硬件电路设计

讨论了飞行体生地杂波中检测运动目标反射波的基本原理；并提出了一种对动目标反射波进行自动跟踪的数字系统，本文着重讨论该跟踪数字系统的硬件电路设计及其工作原理．     

酸性媒介黑T低温低铬染色工艺的探讨

对酸性媒介黑Ｔ低温低铬染色工艺进行试验研究．结果表明，用氨／盐溶液在一定条件下预处理的羊毛，在８０～８５℃下加适当稀土染色、其上染率高于常规染色，染色牢度达到常规染色水平，并能减少红矾用量、降低纤维损伤、节约能量和染料、降低铬污染．