Transparent anatase titania films: A critical study on optical properties

Titania thin films are prepared by electron beam evaporation and deposition conditions are optimized.X-ray diffraction studies have shown a polycrystalline nature of the films with anatase phase.The pr...     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mossbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2 μm,磁性层的厚度为1 μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应,在两磁性层之间加入了绝缘层SiO2,在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大,磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

2007～2011年内蒙古农业大学与西部三所农业大学SCI收录论文比较统计分析

根据文献计量学原理,以美国科学情报研究所(Institute for Scientific Information,ISI)开发的SCI为信息源,检索2007～2011年内蒙古农业大学以及山西农业大学、甘肃农业大学和新疆农业大学等3所西部高校的SCI论文,采用文献计量学方法,在时间分布、文献质量、著者及其单位、期刊等角度进行统计分析,并通过与3所西部农业高校的SCI论文之间的对比展示了内蒙古农业大学的科研论文现状,同时提出了一些建议。     

ITO退火膜的光学和电学特性

对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．     

城镇土地等级体系研究——以新疆生产建设兵团农垦城镇为例

研究了以类型为基础,试点城镇土地定级估价为参考,样点地租地价资料为依据,建立一定地区范围内城镇土地等级体系的理论和方法.新疆生产建设兵团农垦城镇土地等级体系的案例研究表明了这一方法的合理性和可行性.其研究成果不仅为兵团农垦城镇的土地管理提供了科学依据,同时为其它地区城镇土地等级体系的建立提供了研究实例     

锆对Cr-Si-Al电阻薄膜微观结构和电性能的影响

研究了退火态Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr薄膜的微观结构和电性能。结果表明，溅射态非晶薄膜Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr在加热到700℃的过程中，主要折出2种晶化相：Cr(Al,Si)2和Si纳米晶化相，其中Cr-Si-Al-Zr薄膜中的晶化相Cr(Al,Si)2包含有少量Zr原子。Zr原子的加入抑制了晶化相的形核和长大，从而Cr-Si-Al-Zr薄膜与Cr-Si-Al薄膜相比，需更高的退火温度才能达到趋于零的电阻温度系数。因此，Cr-Si-Al-Zr薄膜具有更好的电学稳定性能。     

表面活性剂和固体粒子对动态界面剪切粘度的影响

对表面活性剂和固体粒子参与形成的油水界面膜的动态界面剪切粘度性质进行了研究．结果表明非离子表面活性剂壬基酚聚氧乙烯（4）醚（polyoxyethylene（4）nonyl phenyl ether）、阴离子表面活性剂油酸钠在0．04％（质量分数）浓度下其界面剪切粘度随时问延长而逐渐降低，然后趋向恒定；而蒙脱土界面剪切粘度随时间延长而逐渐上升，然后趋向恒定．     

Langmuir膜相变分子动力学模拟的改进

运用分子动力学方法研究了气－液界面单分子膜的结构和相变特性。模拟中采用了新的头基模型，发现在压膜过程中，膜的结构存在相变，在排列比较疏松时，由于引力作用，分子趋向于聚集成团，出现类似于Ｄｏｍａｉｎ和Ｄｅｆｅｃｔ的结构。脂肪链一般均倾向于相邻的分子，且算得的倾斜角与其它文献的结果不同，分子的倾角随面密度的增大而减小，能量计算表明分子链内无序的主要原因是脂肪链两端二面角的扭曲造成的，膜在压得较紧时较有     

农业物料飘浮速度测试仪的设计与试验

本文介绍了一种农业物料飘浮速度测试仪，对设计中的几个技术问题进行了说明．并对多种农业物料进行了试验测试．为农业物料分离、以选及输送装置设计提供了设计依据．     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.