纳米TiO_2薄膜制备过程中的影响因素

介绍溶胶-凝胶法制备纳米TiO2薄膜的工艺，采用实验研究与理论分析相结合的方法，讨论了薄膜制备过程中影响制膜质量的加水方式、加水量、乙醇量、水解温度、烧结及提拉条件等主要工艺因素，最终获得制备纳米TiO2薄膜的优化工艺．     

转光剂的制备及在农膜中的应用

以稀土碳酸物、邻菲咯啉与噻吩甲酰三氟丙酮为原料合成了Ce0．5Sm0．5（TYA）3（Phen）H2O的配合物，该配合物能有效吸收270～380nm范围的紫外光，在约400nm处产生强的蓝色荧光；经差热热重测定（DTG），分析了配合物的热稳定性和热分解行为；与聚乙烯膜具有很好的结合力，且不影响薄膜的加工工艺，在薄膜加工中原有组分的光学性能保持不变。     

磁控溅射制备FeSi膜的性质

本文利用JGP-560CⅧ型带空气锁的超高真空多功能溅射系统在Si（100）和玻璃基底上沉积了介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜和磁性薄膜,通过实验研究得到各种薄膜较好的镀膜条件;并采用可变入射角椭圆偏振光谱仪对其中一些薄膜的光学性质进行了分析,研究了制备条件对薄膜在可见光范围内光学性质的影响;还研究了直流溅射、射频溅射、反应溅射的特点和它们的适用范围。     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

CVD金刚石膜中的缺陷

研究了利用直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)制备的大面积金刚石膜中的缺陷问题.研究表明:金刚石膜中的缺陷包括表面缺陷、晶内缺陷和晶界缺陷,以及由于内应力产生的金刚石膜宏观和微观裂纹.金刚石膜中的缺陷与制备工艺参数有着密切关系.     

Sb-Se系和Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质微观结构及光学性能研究

利用X射线衍射仪 ,分光光度计对Sb Se系和Ge Sb Te系相变光盘记录介质材料非晶态薄膜相变前后结构的变化 ,光学性能进行了系统的研究 ,X射线衍射分析表明 :SbSe非晶态薄膜退火后有Sb的析晶峰 ,SbSe2 有Se的析晶峰 ,符合化学计量比的Sb2 Se3 全部是Sb2 Se3 的共晶峰 .GeSb2 Te4 非晶态薄膜在热退火过仇逐首先形成fcc亚稳相 ,升高退火温度 ,Fcc相转变为稳定的hex相 ,GeSb4 Te4 非晶态薄膜退火后在发生上述变化的同时 ,还有Sb的析晶峰 .分光光度计测试表明 :Sb Se系非晶态的光稳定性很不理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化太快 .对于Ge Sb Te系合金 ,在各种波段处 ,两种合金都有较大的反衬度 ,其非晶态的光稳定性也较理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化不大     

棉花膜下滴灌田间小气候规律的试验研究

试验研究表明，棉花膜下滴灌的田间小气候优于普通沟灌，在光、温、水等方面能够较好配置，从而可充分利用光热资源，提高棉花的产量和品质。     

复合金刚石薄膜的介电特性

利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成（CVD）装备制备了复合金刚石薄膜，并对其表面和断面分别进行了扫描电镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和Raman光谱表征，研究了该复合结构的介电性能，利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系，结果表明，复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成，薄膜的表层结构体现了纳 米金刚石的特征，复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点，介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜，是一种较好的电子材料，可应用于金刚石薄膜半导体器件的制备。     

有机极化电致发光进展

对近年来极化电致发光及其材料的进展进行了综述 ,主要介绍了极化电致发光器件的制备、液晶薄膜取向方法以及有机功能材料的性能和应用     

螺吡喃吲哚啉类光致变色化合物的合成与LB膜研究

合成了光致变色化合物6′-硝基-1-乙基-8′-二十二酸甲酯-3,3-二甲基螺[2H-1-苯并吡喃-2′,2-吲哚啉)(简称SP2-22)和6′-硝基-1-十八烷基-8′-二十二酸甲酯-3,3-二甲基螺[2H-1-苯并吡喃-2′,2-吲哚啉](简称SP18-22)。制备了单分子层的Langmuir-Blodgett Films(简称LB膜)。根据膜的表面压力-面积等温曲线(π-A),研究了光线、温度、pH值及掺入正-十八烷的量等因素对SP18-22成膜性能的影响,发现了当成膜组分中SP18-22与正-十八烷的摩尔比为1:2时,其成膜性能最佳。