真空蒸发制备（Cd,Zn）S薄膜及性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｓ薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔００２〕晶向的择优生长取向．薄膜的性能随Ａ值（Ａ＝ＺｎＳＺｎＳ＋ＣｄＳ）和蒸发条件而变化,薄膜为ｎ型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率     

农业旅游资源开发研究

探讨了农业旅游资源的类型和特点,分析了农业旅游资源开发的现状和存在问题,在此基础上,提出了农业旅游资源开发的基本策略。     

YSZ薄膜的阻抗谱测量及其电学性能的研究

应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了不同温度下的ＹＳＺ薄膜的阻抗谱,利用Ｂａｕｅｒｌｅ等效电路模型研究了ＹＳＺ薄膜的电导率随温度的变化规律,探讨了掺杂氧化物（Ｙ２Ｏ３）对ＹＳＺ薄膜电导率的影响,其结果表明：ＹＳＺ薄膜的阻抗谱是一个完整的半圆,圆心稍低于实轴,在５００℃时,ＹＳＺ薄膜的电导率为０．０１４Ω＾－１ｃｍ＾－１,且随着测试温度的升高,ＹＳＺ薄膜的电导率增大,稳定剂浓度对ＹＳＺ薄膜的电导率有显     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

具有优良绝缘性能的Ta2O5介质膜

介绍了一种具有优良绝缘性能的Ｔａ２Ｏ５介质膜,它由溅射／阳极氧化二步法工艺制备而成。用原子力显微镜对Ｔａ２Ｏ５膜进行了表面形貌分析,对它的电特性进行了测试,并与溅射Ｔａ２Ｏ５膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜进行了比较。结果表明,溅射／阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜的漏电流比溅ＴＭＤＦＡ２Ｏ５膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜分别减少了３－４和１－２个数量级,击穿场强也远高于后２种膜。     

Correlation between structure and hardness of magnetron sputtering deposited CNx films

Carbon nitride films are deposited on Si (001) substrates by reactive dc magnetron sputtering graphite in a pure N2 discharge. The structure of carbon nitride films has been probed using Fourier transformation infrared, near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) and high resolution electron microscopy (HREM), and the hardness has been evaluated in nanoin-dentation experiments. FTIR spectra show that N atoms are bound to sp1, sp2, and sp3 hybridized C atoms. C1s NEXAFS spectra show that the intensity of π* resonance is the lowest for the film grown at substrate temperature TS = 350℃, with a turbostratic-like structure and high hardness, while it is the highest for the film grown at TS = 100℃, with an amorphous structure and low hardness. The correlation between the structure and hardness of carbon nitride films has been discussed.     

氧浓度和衬底温度对透明导电Cd2SnO4薄膜光学性质的影响

采用射频溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜,报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高,衬底温度越高,则薄膜透射率、折射率越大,而消光系数越低。对这些结果,从ＣＴＯ膜的晶格九,氧空位等角度进行了理论分析。     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

用阳离子置换法制备汞系高温超导薄膜

介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法．采用Ｔ１ 系外延超导薄膜作为先驱薄膜,将Ｔ１ 系超导薄膜在Ｈｇ 气氛下进行热处理,用Ｈｇ 置换先驱薄膜中的Ｔ１,进而生成Ｈｇ 系外延超导薄膜．用此方法,成功地在ＬａＡｌＯ３ （００１）衬底上制做出了高质量的ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ 超导薄膜．Ｘ－光衍射θ－２θ扫描和极图测试表明,薄膜具有很纯的超导相和很好的外延结构．超导临界温度可达１２２Ｋ．在７７Ｋ温度下,临界电流密度达到３．４×１０６ Ａ／ｃｍ ２,在１１０Ｋ 温度下,临界电流密度仍可保持在０．７×１０６Ａ／ｃｍ ２ ．     

用中等能量离子辐射方法研究C60膜结构变化

在２００ｋｅＶ重离子加速器上,使用１２０ｋｅＶ的Ｈ＋,Ｈｅ＋,Ｎ＋,Ａｒ＋等离子对Ｃ６０分子薄膜进行了辐射处理,对辐射后Ｃ６０膜的Ｒａｍａｎ谱进行了系统地分析研究．离子辐射会影响Ｃ６０薄膜的结构,不同的辐射注入剂量会使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,这一现象的产生与辐射离子的剂量大小有关,并存在一剂量阈值．研究表明Ｃ６０分子的聚合与辐射碰撞过程中的电子能损有关,而Ｃ６０薄膜非晶碳化现象则主要受核能损的影响