用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征

采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.     

现代农业背景下的我国棉农技术创新行为的影响因素分析

选取棉花节水滴灌技术和机械化采棉技术为研究对象,根据869户棉农调研数据,采用Logtistic模型对影响棉农采用轻简化生产技术的影响因素进行了计量分析。结果表明,中国棉农的技术创新行为受到多种因素的影响。其中,技术本身的经济收益特征因素是关键因素,外部制度环境因素是重要因素,棉农自身特征因素的影响相对较弱。     

Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism

Ge-SiO₂ thin films were deposited on p-type Si substrates using the radio frequency (rf) magnetron sputtering technique with a Ge-SiO₂ composite target. Films were annealed in N₂ ambience for 30 min at 300℃—1000℃ with an interval of 100℃. Through the X-ray diffraction, the average size of Ge nanocrystals (nc-Ge) was determined. They increased from 3.9 to 6.1 nm with increasing annealing temperature in the range of 600℃—1000℃. Under ultraviolet excitation, all samples emit a strong violet band centered at 396 nm. With the formation of nc-Ge, the samples exhibit another emission of orange band with the peak at 580 nm and its intensity increases with the increasing size of nc-Ge. The peak positions of two bands do not shift obviously. Experimental data indicate that the violet band comes from GeO defect and the orange band originates mainly from the luminescence centers at the interface between the nc-Ge and SiO₂ matrix.     

Co/ZnO颗粒膜的超顺磁性研究

对金属颗粒与氧化物半导体颗粒膜的超顺磁特性用Ｌａｎｇｅｖｉｎ函数进行了拟和，理论与实验结果符合的较好，同时分析了样品的磁矩随退火温度的变化关系。     

热磨处理对秸秆原料酸碱性和表面自由基的影响

热磨处理不仅改变了秸秆原料的形态，而且改变了秸秆原料的化学组成、酸碱性与表面特性，有利于改善脲醛树脂对秸秆的胶合性能。笔对比分析了热磨前后稻草与麦秸原料的pH、缓冲容量以及表面自由基浓度。结果表明：稻草与麦秸秸秆原料呈弱碱性，缓冲容量远高于普通木材；热磨处理获得的稻草与麦秸秆纤维呈弱酸性，其缓冲容量比稻草与麦秸秸秆有一定幅度的下降，不过仍高于一般材料；稻草与麦秸秸秆的表面自由基浓度只有普通木材原料的1／10；热磨处理所得秸秆纤维的表面自由基浓度比处理前增加了约4－7倍，效果非常显。     

基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响

采用离子束溅法，在单晶Si（100）基片上制备CNx薄膜。研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响。结果表明：随着基片温度的提高，薄膜生长致密，表面光滑；薄膜硬度逐渐提高，但温度升高到200℃后，硬度增加缓慢。同时，基片温度升高使薄膜中的N含量增加，促进C－N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时，薄膜中产生α－C3N4晶相。     

CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。     

射频溅射法制备氟碳高分子膜的泛黄问题研究

为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性，对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究，采用颜色光学中测定色差的方法对泛黄程度作了定量测试，得出不同功率、工作压力和靶距与膜的泛黄程度间的关系，测试结果表明，泛黄程度随着溅射功率的增加而增加，随着工作压力的增加而减小。     

高密度磁记录纳米颗粒膜磁性的蒙特-卡罗模拟

用蒙特－卡罗方法对Co-C和CoPt-C纳米颗粒膜的磁特性进行模拟研究。模拟中，假设磁性颗粒为球形、单畴，易轴随机取向。对包含hcp结构、直径为3nm的Co颗粒的Co-C膜给出了湿度从3K到300K的磁滞回线，超顺磁驰豫的截止温度约20K；对包含fct结构CoPt的CoPt-C膜给出了300K时平均颗粒尺寸从4nm到6nm，对应于不同尺寸分布下的磁滞回线。模拟显示，由于fct结构CoPt-C有特大的各向异性，因而具备超高的矫顽力，可以满足超高密度磁记录的需要。以上模拟的结果与Co-C颗粒膜和CoPt-C颗粒膜的实验结果一致。     

氧化锌基薄膜的制备及其光学性质的研究现状

ZnO作为制造高效率短波长发光和激光器件的理想材料,在磁学和电学等方面已经取得了巨大的研究进展,但是在掺杂状态对调控ZnO薄膜的发光行为方面至今鲜有报道。介绍了ZnO薄膜材料的基本结构和特性,综述了ZnO基薄膜的制备技术及其优缺点。此外,借助紫外发光和可见发光这两种发光机制,探讨了Co、Sn单掺及Co、Sn共掺ZnO薄膜的可见光发光特性,同时指出掺杂元素和掺杂量对薄膜能带结构的影响。最后,对ZnO基薄膜材料的应用工作和今后的发展方向进行了展望。