载银活性炭/过氧化氢对焦化废水的催化氧化作用

用载银活性炭与过氧化氢处理焦化厂废水，在pH值为3左右，反应时间5h的条件下，废水中的有机物被催化氧化，其CODcr值可由2351．3mg．L^-1降到300mg．L^-1以下，去除率达87．67％以上。     

永梅坳陷带铜银矿床区域控矿规律与成矿模式

永梅坳陷带是我国华南地区重要的铁铜多金属成矿带．本文探讨了该成矿带中铜（伴生）银矿床的区域控矿规律及成矿模式．重点研究了沉积环境、岩相建造、不同类型构造、火山活动及热水活动对铜银成矿的控制作用．研究结果表明，铜银成矿作用主要发生在各大地构造演化时期的裂陷拉张阶段，空间上分布于相应时期形成的坳陷盆地及其有关的沉积建造中，矿床定位于同沉积断层控制的次级洼地、层间破碎带及火山构造中，成矿作用与热水活动和火山活动具有密切关系，并显示出多阶段叠加和改造的特点．     

冀东变质核杂岩中银金矿床地质地球化学特征

赋存于中元古宙长城系常州沟组的洞子沟银矿床和尖宝山金矿床是由密云-都山变质核杂岩构造体系所控制的一组矿床.其成因为中元古宙火山岩浆活动形成的沉积矿源,后经中生代的变质核杂岩构造岩浆体系叠加改造而成.洞子沟银矿床具有层控迭加改造的特点;尖宝山金矿床则具有破碎蚀变岩型矿床的特点.两矿床的围岩蚀变类型以及微量、稀土元素特征也表现一定的相似性.它们是中元古宙大红峪期和中生代印支、燕山等多期次的伸展构造环境下岩浆活动的产物.矿床在变质核杂岩中所处的构造部位及其矿体赋矿围岩性质的不同决定了它们不同的矿化特点.对该类矿床的成矿机制也做了初步探讨.     

Ag/石墨烯复合涂层的制备及抗菌性能

首先用改进的Hummers法制备氧化石墨烯（GO）; 其次用原位还原法将银氨溶液中的Ag纳米粒子通过还原剂葡萄糖和GO复合, 获得Ag/GO胶体; 最后在真空干燥条件下得到Ag/GO涂层, 并用真空阶梯热还原技术制备Ag/还原氧化石墨烯(rGO)涂层. 利用X射线衍射、 扫描电子显微镜、 透射电子显微镜等方法对膜样品结构形貌进行表征, 并用润湿角测量仪和抑菌环方法分别检测样品的亲/疏水性和抗菌性能. 实验结果表明: 石墨烯基膜材料与基底结合较好, Ag纳米粒子在石墨烯片层间呈球形均匀分布, 粒径为20~50 nm; 纯GO和rGO膜表面未见菌落, 大肠杆菌与金黄色葡萄球菌均未出现有效抑菌环; 复合Ag纳米粒子后, 涂层的抑菌效果得到显著提高; 与Ag/GO复合膜相比, Ag/rGO复合膜呈更强的抗菌活性, 即低温退火有助于提高石墨烯基复合涂层的抗菌性能.     

金银铜多金属黄铁矿烧渣综合回收试验研究

根据黄铁矿烧渣的物理、化学性质特征,完成了多金属综合回收试验.结果表明:烧渣组成以氧化铁为主,并含有贵金属及有色金属,部分金、银、铜包裹于黄铁矿等硫化物中,而锌主要以铁酸锌形式存在.对烧渣进行氰化浸出,在试样未磨情况下,采用石灰调节矿浆pH=10～11、矿浆浓度35%、浸出时间24 h、氰化钠耗量6 kg.t-1的试验条件,可以获得金、银浸出率分别为67.25%、60.08%;采用浮选法处理烧渣可获得金品位8.66 g.t-1、回收率为37.82%的浮选产品,其中银品位和回收率分别为100.3 g.t-1、20.26%;对浮选尾矿直接进行氰化浸出,可获得金、银浸出率分别为96.85%、70.08%.     

基于β-Anderson型铬钼氧酸阴离子为配体的Ag(I)配合物合成及结构表征

使用常温溶液合成方法,成功合成出了2个新的基于β-Anderson阴离子{Cr(OH)6Mo6O18}3-配体的Ag(Ⅰ)离子配合物:[{Ag(C6H5NO2)2}2][Ag{Cr(OH)6Mo6O18}(H2O)2](C6H5NO2)21和(NH4)3[Ag{Cr(OH)6Mo6O18}][Ag2(H2O)2{Cr(OH)6Mo6O18}]·10H2O2,并通过元素分析、单晶X射线分析、红外表征、热重分析和X射线粉末衍射等技术确定了化合物的组成和结构.配合物1是β-Anderson{Cr(OH)6Mo6O18}3-阴离子使用桥氧桥连Ag(Ⅰ)离子,形成一维链状结构;其配阳离子是Ag(Ⅰ)离子与异烟酸吡啶环氮连接,形成线性结构的{Ag(C6H5NO2)2}+配阳离子,由于存在AgAg和吡啶环π-π弱相互作用,在晶体结构中形成双聚{Ag(C6H5NO2)2}2+2结构,并且进一步与多酸阴离子端氧弱配位连接,形成二维结构.配合物2的主体结构是由Ag+和β-Anderson结构阴离子{Cr(OH)6Mo6O18}3-通过配位键连接形成二维网状结构.     

Ag在Si表面吸附的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si（220）晶面的最佳吸附位置,并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构．研究表明：Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)晶面的穴位,此时的吸附能最低,其值为5.2569eV,属于强化学吸附;同时由于在Ag/Si(220)体系中,Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用,以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄,导电性急剧增大．     

BiPO4/Ag3PO4新型可见光催化剂的制备及其性能研究

采用共沉淀法,在不同焙烧温度下,以AgNO3,Bi(NO3)3·5H2O和NaH2PO4为原料合成了一系列不同BiPO4与Ag3PO4掺杂比例的BiPO4/Ag3PO4复合型光催化剂,采用紫外可见漫反射光谱、扫描电子显微镜、荧光光谱等技术对所得光催化剂的光吸收区间、形貌、光致发光等性质进行了表征.结果显示,这些光催化剂能吸收400～500 nm波长的光,是一类新型的可见光催化剂.通过罗丹明B的可见光催化降解评价了该类光催化剂的活性.随着掺杂比例的增大,光催化活性依次减弱;随着焙烧温度的升高,光催化活性先增强后减弱.焙烧温度为350 ℃,BiPO4与Ag3PO4的摩尔百分比为5%的光催化剂活性最高,在40 min内可将200 mL浓度为12 mg/L的罗丹明B溶液完全降解.     

光催化还原法制备载银二氧化钛

利用重金属离子光催化还原技术在不同条件下制备不同的Ag/TiO2,并用TEM等方法对这些催化剂的载银量、银的分布进行表征,同时利用这些Ag/TiO2催化剂对亚甲基蓝和甲基橙进行降解实验。结果表明Ag/TiO2对亚甲基蓝和甲基橙的脱色效果较TiO2有很大提高,而且载银量存在最佳值。在还原体系中加入EDTA时,可以适当提高催化剂的载银速度。     

Optimization of mechanical properties of Sn-3.8Ag-0.7Cu alloys by the additions of Bi,In and Ti

Bi, In and Ti were added to Sn-3.8Ag-0.7Cu (SAC387) solder alloy to optimize the mechanical performance. The alloying effects of Bi, In and Ti on the microstructure, thermal and mechanical properties of SAC387 based solder alloys were investigated. The results demonstrate that adding 3.5 ?wt % of Bi could refine the microstructure, optimize the thermal properties, and improve the tensile strength. Meanwhile, the ductility of the solder alloys reduced evidently. Adding 2.8 ?wt % of In into SAC387–3.5 ?wt %Bi alloy could increase both the strength and ductility, which is attributed to the beneficial effect of In addition, as adding In could improve the solubility of Bi in the β-Sn matrix. Meanwhile, the melting point was reduced, and the wettability improved with the addition of In. Introducing amounts of Ti into SAC387–3.5 ?wt % Bi-2.8 ?wt % In alloy could further increase the strength. However, the ductility was significantly reduced when 0.8 ?wt % of Ti was added due to the formation of the coarse Ti₂Sn₃ phase. The undercooling was remarkably reduced with the addition of Ti. The nanoindentation tests demonstrate that the hardness increased mainly due to the hardening effect of the Bi addition. Among all the samples prepared, alloy SAC387–3.5 ?wt % Bi exhibited the highest creep resistance at the ambient temperature. Further adding In and Ti into SAC387–3.5 ?wt % Bi alloys reduced the creep resistance of the solder alloys. The mechanism associated with the different mechanical responses is also discussed in this study.