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661.
将氧化石墨烯修饰到玻碳电极上,并用扫描电镜对其在电极表面的结构形貌进行了表征。考察了该修饰电极对12种金属离子的选择性,对Hg2+的选择性最好,通过循环伏安法对该修饰电极与裸电极进行比较,修饰电极具有明显的化学响应。研究结果表明,对Hg2+测定的最佳实验条件为:0.10 mol/L 醋酸钠-醋酸缓冲液(pH 3.64) 2.5 mL,1.0 mol/L KNO3 6.5 mL。在1.0~10.0 μmol/L范围内,测定Hg2+的线性回归方程为:ΔI=2.7241CHg+9.0936(CHg的单位μmol/L),线性相关系数为0.9977,检测限(DL)为0.90 μmol/L。11次的相对标准偏差(RSD)为2.8%。回收率在99.4%~101.6%之间。我们用电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)同时对样品进行了测定,两种方法测定结果相比较吻合性很高。 相似文献
662.
利用二氧化锡修饰碳糊电极开展过氧化氢的检测.采用循环伏安法和电流-时间曲线法对H2O2进行测定.研究磷酸缓冲溶液的pH、二氧化锡修饰含量等因素对该修饰电极测定H2O2的影响.在优化实验条件(pH=5.7,SnO2与石墨的质量比为1∶5)下,H2O2检测线性范围在1.0×10-5~2.19×10-3 mol.L-1内,还原峰电流与H2O2浓度呈良好线性关系.检测限为2.5×10-6mol.L-1(S/N=3).该传感器具有制备简易、成本低廉、响应快、灵敏度高、稳定性好等特点,具有较好的应用前景. 相似文献
663.
制备了纳米金-多壁碳纳米管复合物修饰电极,用循环伏安法研究了多菌灵在该修饰电极上的电化学行为.结果表明,多菌灵在1.08V处出现了一个不可逆氧化峰,该氧化过程受扩散控制.在1.0×10-6 mol/L~1.0×10-4 mol/L范围内,脉冲伏安法的氧化峰电流与多菌灵浓度呈现良好的线性关系.该复合物修饰电极可快速、方便、灵敏地检测溶液中多菌灵含量. 相似文献
664.
利用原子转移自由基聚合(ATRP)法合成了一种新的供体-受体双嵌段聚合物聚对(二苯胺基)苯乙烯-聚(2-(2-蒽醌甲酰氧基)甲基丙烯酸乙酯(P1-b-P2)。供体段是富电子的三苯胺段,受体段是缺电子的蒽醌段。该双嵌段聚合物的单体结构通过核磁(NMR)加以表征,聚合物通过凝胶渗透色谱(GPC)、差示扫描量热法(DSC)、紫外光谱(UV-vis)、荧光光谱(PL)和循环伏安(CV)法加以表征。GPC和紫外吸收测试表明聚合物数均分子量约为7600,最大吸收波长为305nm,CV测试计算发现受体段比供体段长,与GPC测试结果一致,表现出更好的受体性能。 相似文献
665.
用循环伏安法制备了聚天青Ⅰ修饰玻碳电极,用交流阻抗对修饰电极进行了表征,研究了乳糖酸阿奇霉素在修饰电极上的电化学行为,并用差分脉冲伏安法对其进行了测定.结果表明:该方法对乳糖酸阿奇霉素在1.97×10-5~5.41×10-4 mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为:IP=-0.068 43c-5.189,检出限为8.15×10-6 mol/L,相关系数为R=0.990 2. 相似文献
666.
在0.1mol·L~(-1)LiCl(w)——0.05mol·L~(-1)TPAsTPB(nb)体系中,采用四电极半微分循环伏要法,探讨了过氧化氢存在下FeCl_3(w)与FeCP_2(nb)电对在水/硝基苯界面的电子传递催化波的特性,所得半微分极谱峰良好,峰电流e,与Fe(Ⅲ)浓度成正比,与氧化剂过氧化氢浓度的平方根有线性关系.且通过对体系半积分曲线的对数分析,估算了有关常数。 相似文献
667.
研究了一种分子结构中含有较多膦酸基的膦酸盐型防垢剂.对这种防垢剂的合成条件进行了正交试验优化.按优化条件合成的防垢剂对碳酸钙垢、硫酸钙垢、硅酸钙垢均有预防作用;在最佳浓度下对碳酸钙和硫酸钙的防垢率接近100%,对硅酸钙的防垢事可达90%以上,这种防垢剂溶液对钢铁的腐蚀率低于油田模拟注入水,且对地层无伤害,可用吸附法设置在近井地层中使用. 相似文献
668.
膨润土对有害气体吸附性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
王银叶 《山西师范大学学报:自然科学版》1995,9(2):30-33
本文研究了天然膨润土对几种化台物蒸汽的吸附性能,考察了膨润土作为吸附剂时的最佳条件。 相似文献
669.
周志华 《南京师大学报(自然科学版)》1990,(1)
该文阐述了定位红外光谱在界面电化学中应用的原理,并解释了差谱。特别介绍了这种方法在电化学中的最新应用状况。 相似文献
670.
吸附剂的再生直接影响吸附精制工艺的成败,决定了吸附过程能耗及吸附剂寿命.对吸附过程中已被轻质芳烃饱和的13X型分子筛的再生脱附剂进行了筛选、比较.结果表明,工厂中副产C5 馏分是合适的脱附剂.研究表明.温度、空速等因素对脱附效果有影响.脱附温度应高于300℃。脱附剂空速可随工艺要求在LHSV变化范围为0.8~1.25 h-1内选择.所得结果为6# 溶剂油吸附脱芳精制工艺中再生工序的设计和操作提供了依据. 相似文献