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101.
聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
一种聚酰亚胺薄膜电容栅FET微型湿度传感器已经初步研制成功,这是一个n沟道增强型器件,具有曲折栅结构;沟道长约10μm,宽〉800μm,栅区绝缘层厚约300nm(SiO2+Si3N4);一个Au-PI-Al纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上,本文报道该PI-HUMFET的结构设计;工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。  相似文献   
102.
c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.  相似文献   
103.
高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
姜恩永   《科学通报》1996,41(4):370-373
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘,但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和 磁化强度(Bs一258 T严之后.制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4]. 然而,由于它是亚稳相,迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单 晶薄膜,并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线.关于 卜;刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁.作者曾详 细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷,本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜,井清 晰地观察到了沿[l叫和[110方向的电子衍射花样.磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高 达 264~ 289 Wbha’.  相似文献   
104.
离子束溅射制备的C-N薄膜   总被引:2,自引:0,他引:2  
Liu和Cohen采用经验模型和从头计算法计算了假想结构共价键化合物β-C_3N_4的弹性模量和结构性能。结果表明:该种共价键化合物的弹性模量与金刚石相当,其结构至少是亚稳态的,该种材料不仅具有高硬度,而且具有良好的导热性和热稳定性。为此,这种新型超硬材料受到了普遍关注,人们开始采用不同的实验方法合成β-C_3N_4.Wixom利用含氮的有机化合物进行冲击波合成,结果只得到了一些金刚石颗粒;Maya等人采用几种含氮的有机化合物进行高温热解,也未观察到碳氮成键的迹象。采用磁控溅射法合成β-C_3N_4时,得到的是非晶的C-N薄膜,其中含有极少量的纳米晶体。最近,Niu等人报道:采用脉冲激光蒸发高纯石墨并通进原子氮可制备出含有β-C_3N_4晶相的碳氮薄膜,薄膜中的氮含量可以达到40%。Gouzman等人采用低能氮离子注入到石墨表面,结果观察到氮的化合态,说明了β-C_3N_4的存在。  相似文献   
105.
杨国伟  袁放成 《科学通报》1996,41(14):1273-1274
<正>以C60,C70为代表的富勒烯材料,自Kr(?)tschmer等人发现其有效制备方法之后,已成为材料科学研究的热点之一,被认为在半导体、超导体、有机导体、非线性光学、金刚石薄膜合成、有机化学、医药、润滑等方面有着巨大的潜在应用价值.尤其是作为一种新型光学材料而倍受人们关注.C60由于具有共轭大π电子云体系而表现出强烈的三阶非线性光学效应,使其有可能成为十分有前途的非线性光学材料,而其反饱和吸收特性则使其可以制成光限幅器件、光双稳器件和全光学开关等.本文研究了沉积于粗糙介质表面C60薄膜的波导Raman散射(waveguide Raman scattering).波导Raman散射是结合集成光学和Raman散射的一种测试介质上薄膜性能的灵敏方法,文献[4]报道了C60薄膜的波导Raman散射现象,但是用的光源为100mW的Ar+激光.然而,这种较强的激光有可能破坏C60膜中的分子结构诸如发生聚合反应等,从而影响其本征的Raman谱.本文报道了采用30mW的He-Ne激光为激发光源,观察到粗糙介质表面C60薄膜的波导Raman散射增强效应.  相似文献   
106.
用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱   总被引:1,自引:0,他引:1  
对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验,观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰,重复实验时,峰基本消失,经氢等离子体在 ̄900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现,推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的,这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。  相似文献   
107.
定值法膜厚监控参数的确定   总被引:5,自引:0,他引:5  
定值法监控技术是制备对称周期膜系的有效方法,本文采用数值计算方法确定定值法膜厚监控参数,实验表明,此方法准确、可靠、方便。  相似文献   
108.
用激光束扫描淀积的方法,成功地在ZrO2(Y),LaAlO3基片原位生长高质量的YBa2Cu3O7-x高温超导薄膜,其临界温度达到90K以上,SEM及XRD分析表明,薄膜沿C轴择优外延生长,其结晶性很好,表现光滑均匀。  相似文献   
109.
用四氯化碳溶解样品后去与稀酸溶液一起于水浴中加热回流使淀粉进入水相,除掉四氯化碳后在沸水浴中加热回流使淀粉水解为葡萄糖。在加热条件下,以次甲基蓝作指示剂,用样品溶液滴定标定过的碱性酒石酸铜溶液。计算葡萄糖的含量,再换算成淀粉的含量。本法测定结果回收率99.81%,变异系数0.16%,方法准确可靠。  相似文献   
110.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备   总被引:2,自引:1,他引:2  
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到  相似文献   
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