高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

乌龙茶做青环境微机控制系统硬件与接口设计

本文介绍乌龙茶做青环境电脑控制系统中的温、湿度测量、A/D转换卡、输出控制电路的硬件、接口设计原理以及系统软件与控制方式。该系统对乌龙茶做青生产过程的环境能进行自动巡回检测,控制温、湿度达到最佳状态,并使生产过程自动化。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

西文状态下汉字图形用户界面的设计

本文讨论了在西文操作系统下汉字图形界面的实现方法,以及在这类程序中的输入控制技术。     

ATM广域网预测式流量控制方案

针对ＡＴＭ广域网的长时延特点,提出了一种预测式流量控制方案,通过预测各交换节点非受控业务流所占用的带宽,对各链路可获得带宽进行预测式分配;预测式方案结合本文作者提出的集中式流量控制机制,保证了带宽分配的公平性和链路利用的高效性;本文还在ＶＢＲ＋ＡＢＲ业务综合传输的情形下,进行了预测式流量控制方案的计算机仿真,仿真结果表明,本文的预测式算法具有带宽分配的公平性和链路利用的高效性,交换节点处缓冲队列很     

ZrO2-ZiCrAl系功能梯度热障涂层界面残余热应力研究

研究用等离子喷涂方法制备Ｚｒｏ２－ＮｉＣｒＡｌ系功能梯度热障涂层的不同梯度过渡层之间,以及与基体之间界面的残余热应力和功能梯度热障涂层厚度、组分对残余热应力的影响．方法来用热弹性有限元方法．结果所设计的功能梯度热障涂层的界面残余热应力得到有效缓和．结论对于所要保护的基体,可用有限元数值分析结果选择适当的功能梯度材料体系．     

功能梯度材料的基体与颗粒界面热应力研究

研究金属－陶瓷功能梯主材料的基体与颗粒的界面热应力。方法给出功能制备的有限元计算优化设计方案,针对所制备的梯度材料的结构特点,采用双层嵌套模型研究基体与颗粒的界面热应力与两相材料体积分数的变化关系。     

计算机网络技术的近期发展

目的 论述和分析计算机网络技术的近期发展。方法 通过分析交换技术,路由技术,第３层交换技术,实时信息传输技术和异步传输模式（ＡＴＭ）技术的特点,揭示各项网络技术适用面。结果 指出交换技术解决带宽问题,第３层交换技术解决路由瓶颈问题,ＡＴＭ等技术解雇实时信息传送问题。结论各项网技术都是针对某些实际需要提出的,都有其适用范围,用户选择时要从需求出发才能充分发挥网络的作用。     

Relationship between giant magnetoresistance of NiFe/Cu multilayers and their microstructures

The (111)-orientated NiFe/Cu multilayers were prepared by magnetron sputtering method. At room temperature, saturation magnetoresistances of NiFe/CU multilayers oscillate as a function of Cu spacer layer thickness. Two peak GMR values of 19.4%, 11.6% and 11.2%, 1% appear, respectively, at Cu sublayer thickness of t_Cu,= 1.0, 2.2 nm while the deposition pressures are 0.25 and 0.45 Pa. X-ray small-angle reflections and diffuse scattering at Cu K-edge (8.979 keV) by synchrotron radiation source were used to characterize the interfacial roughness. Diffraction anomalous fine-structure scattering (DAFS) was performed to investigate the local structure of NiFe and Cu sublayers. Results show that the deposition pressure has effect on interfacial roughness of the samples obviously, and the interfacial roughness also affects the GMR values of the samples strongly.