凝结水精处理系统工艺流程研究——以安庆电厂凝结水精处理系统为例

对安庆电厂由武汉凯迪股份公司提供的中压凝结水精处理的高速混床和再生系统的设备、设计、工艺流程的特点进行分析研究.     

VISA存储网络系统元数据管理的研究

为了提高虚拟接口存储结构(VISA)存储网络系统的性能,设计实现了基于块级的元数据管理子系统.该系统的元数据管理子系统实现了物理设备和逻辑设备的块地址空间之间的映射,支持动态地址映射、动态块重分配和热块冗余技术,可以对I/O请求的路径和数据传输的路径完全控制,从而有效地改善了VISA存储网络系统的I/O性能,使数据布局更加合理,提高了存储管理的灵活性,初步实现了负载均衡,并且使VISA存储网络系统具备了容错能力和节点的动态增加能力.测试结果表明:在加入了基于块级的元数据管理功能带来相应开销的情况下,VISA存储网络系统原型与传统存储网络系统iSCSI Linux MD相比,传输延迟减少了8.2%～21.0%,传输吞吐率提高了8.7%～11.9%.     

体心立方双层铁磁性薄膜中的自旋波能谱分析

采用界面重参数化方法,研究了体心立方结构的铁磁性材料,在界面为铁磁性耦合情况下,两层薄膜中自旋波的本征模、能带结构、色散关系.同时,重点讨论横向(平行于界面方向)自旋波对纵向(垂直于界面方向)自旋波的影响,与简立方结构的结论作了比较,结果发现:结构的变化在很大程度上影响了各种模的性质.     

基于ANSYS的药柱包覆层粘接质量敲击响应特性

包覆层界面脱粘极易使药柱局部应力集中,影响药柱正常燃烧,使其运行存在严重安全隐患。针对药柱结构在加工或服役过程中粘接界面产生分层、脱胶等缺陷所带来的结构性能差、耐久性能低等安全问题,基于数字敲击检测理论对粘结结构内预置的不同种类缺陷进行研究,得知脱粘弹性系数k₂直接影响脱粘缺陷程度,而其与敲击碰撞产生的应力持续时间呈负相关性,因此利用ANSYS软件中显示动力学模块对敲击检测模型进行仿真分析,由数据结果提取出的应力持续时间界定影响包覆层粘接质量的不同因素对其产生的影响关系与程度。实验表明敲击检测能力会因结构中局部缺陷大小、缺陷深度、缺陷位置、敲击角度的不同产生相关性影响。     

薄膜涂层材料的界面破坏准则

为了确定界面起裂位置及条件的评价方法,通过对引入假想界面裂纹的划痕实验的数值分析,讨论了界面的起裂位置.根据起裂位置的不同界面应力状态及相应的实验结果,提出了界面破坏的强度准则.实验和分析结果表明,在划痕实验中,起裂位置由最大界面剪应力决定,但起裂条件不仅与界面剪应力有关,而且与起裂位置处的界面压应力有关,界面压应力越大,导致界面起裂的界面剪应力也越大.该薄膜界面结合强度的评价准则,不受具体实验条件的影响,具有通用性.     

VB通讯控件在机房管理中的应用

用VB控件实现通讯的方法,比调用API动态连接库的方法更加方便、快捷,而且用较少的代码可以实现相同的功能．文中介绍VB通讯控件的基本属性设置和编程方法,以及AT相关指令的主要功能和使用．同时从实际操作出发,提出在Windows平台下的通信软件设计方法,给出基本通信程序．阐述在高校机房管理中,使用VB通讯控件MS Comm,通过Modem调制解调器来控制机房中的电脑电源开关,从而实现机房管理．     

Si／GaP（111）界面生长及其形成过程

研究用电子束蒸发方法把Ｓｉ淀积在ＧａＰ表面的界面生长过程。用ＸＰＳ在线测量Ｓｉ／ＧａＰ（１１１）界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况；借助Ｇａ３ｐ峰强随Ｓｉ覆盖厚度的变化确定Ｓｉ的生长模式。还用ＬＥＥＤ监测Ｓｉ生长时的表面结构状态。     

七号信令监测系统数据采集软件设计方案

七号信令监测系统在物理上包括信令监测子架、远端节点机和中心站服务器。信令监测子架是以高阻跨接在信令链路上，实时采集信令链路上的消息，远端节点机负责把采集到的原始消息进行存储、处理和分析。讨论了远端站数据采集子系统的软件设计方案和主要流程。     

界面处理和冷却条件对玻璃纤维与聚丙烯界面结合的影响 Ⅱ.不同冷却速度对界面剪切强度的影响

通过对玻璃纤维与聚丙烯界面剪切强度的测量,以及对其界面结晶形态的观测,发现界面产生横晶的充分条件是界面存在较强的相互作用和样品的缓慢冷却。提出了横晶形成机理,并推断横晶的形成会导致玻璃纤维与聚丙烯树脂界面结合强度的明显下降。用观测到的横晶与基体球晶的冲击线进一步证实了横晶形成机理     

Rare earth effect of yttrium on formation and property of Cr_2O_3 oxide film formed on Co-Cr binary alloy

The isothermal oxidizing kinetics of Co-40Cr alloy and its yttrium ion-implanted samples were studied at 1000 ℃ in air by thermal-gravity analysis (TGA). Scanning electronic microscopy (SEM) was used to examine the Cr2O3 oxide film's morphology after oxidation. Secondary ion mass spectrum (SIMS) method was used to examine the binding energy change of chromium caused by Y-doping and its influence on formation of Cr2O3 film. Acoustic emission (AE) method was used in situ to monitor the cracking and spalling of oxide films formed on both samples during oxidizing and subsequent air-cooling stages. Theoretical model simulating the film fracture process was proposed to analyze the acoustic emission spectrum both on time domain and on AE-event number domain. It is found that yttrium ion-implantation can remarkably reduce the isothermal oxidizing rate of Co-40Cr and improve the anti-cracking and anti-spalling properties of Cr2O3 oxide film. Reasons for the improvement are mainly that the implanted yttrium can reduce the grain size of Cr2O3 oxide, increase the high temperature plasticity of oxide film, and remarkably reduce the number and size of Cr2O3/Co-40Cr interfacial defects.