正电子散射中的关联极化势

本文提出了一种无任意参数的正电子与原子的关联极化相互作用势，并用之对氩原子激发阀值（１１．０７ｅＶ）以下的低能正电子被Ａｒ散射的截面进行了计算，对计算结果进行的分析及与实验的比较证明了所提极化势模型的合理性。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑电子、杂质与声子的相互作用，利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量，对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系，结果表明，杂质－声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。     

高偏压Al-MgF_2-Au(Cu)隧道结的结构、导电和发光

本文对我们所发明的Al-MgF_2-Au(Cu)薄膜发光器件[1]的内层结构、导电过程和发光机理做了进一步的研究,对以前报导的一些结论作了原则性的修正:前所报导的Al-MgF_2-Au结内层的实际结构是Al-Al_2O_3-MgF_2-Au,而不仅仅是Al-MgF_2-Au;且正是由于Al_2O_3膜的存在,方才使MgF_2膜得以具有绝缘作用。是来之负电极的隧穿电子,而不是MgF_2膜内的热电子,导致了该结的导电和发光。据此,本文对该结在高偏压下的logL∝V的新型伏安特性曲线及其发射光谱中位于3.4ev(3600)附近的截止频率给出了理论解释;从而得出:电子隧穿,激发SPP,然后SPP退激发光的这一物理过程,即使在Al、Au两电极间的绝缘层厚度由3μm左右增加到20μm左右时,也可依然存在。     

锌钴合金及其耐蚀性的电化学研究

采用线性电位扫描、极化电阻、交流阻抗等实验方法，研究弱酸性氯化钠电解液中锌－钴共沉积及其耐蚀性．实验表明：镀层的钴含量随着镀液的钴含量和电流密度的增加而增加．在电解液含钴２．５ｇ／Ｌ左右，电流密度１．５～２．５Ａ／ｄｍ２，ｐＨ值５．０～５．６，温度范围２０—３０℃的条件下镀层的极化电阻Ｒｐ比较大。镀层的腐蚀电化学行为说明：镀层腐蚀产物的阻挡作用提高了锌钴微合金镀层的耐蚀性．在本实验条件下，在弱酸性氯化钠溶液中，锌—钴共沉积属于异常共沉积．     

有感应或极化时带电体系的相互作用能

本文首先一般地证明:在存在静电感应时,带电体系的相互作用能表达式中要出现1/2因子,然后举例说明出现1/2因子的物理缘由。     

极化态n—p散射

n—p散射是研究核力的重要实验,它间接地证明了核力与电荷无关。本文着重探讨极化态下n—p散射的四种情形,得出微分截面公式,计算自旋反转截面及几率。最后导出非极化态n—P散射的相关结论。     

边界条件对温度梯度铁电薄膜极化和相变性质的影响

在平均场理论的框架下,采用横场伊辛模型研究了两种不同的边界条件(自由边界条件和固定边界条件)对温度梯度铁电薄膜极化和相变性质的影响.由于薄膜内部的温度梯度分布导致了铁电畸变,使得薄膜的弹性热应力增加,引入分布函数来描述不同边界条件下赝自旋相互作用强度的变化.通过研究发现自由边界条件下的薄膜的极化强度和相变温度要高于固定边界条件下的薄膜的相应值,同时薄膜厚度和温度梯度的变化对固定边界条件下的铁电薄膜的影响要更加显著.     

Logistic曲线拟合与预测在我国旅游市场中的应用

讨论了外加驱动场和原子介质自发辐射量子相干来调控固定腔中四能级原子介质的古斯-汉欣位移.研究表明,原子介质的自发辐射量子相干对古斯-汉欣位移的影响较大,在具有一定强度的自发辐射量子相干时,外加驱动场的强度和失谐对透射光和反射光的古斯-汉欣位移调控最为明显,可以实现大的古斯-汉欣位移.     

分数维方法研究有限深抛物量子阱中的极化子

采用分数维方法研究了有限深抛物量子阱中的极化子自陷能及其有效质量.得到在阱宽很小或很大时,极化子自陷能和有效质量趋向于三维体材料的情况;在量子阱分数维取极小值时,极化子的自陷能和有效质量取极大值.