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991.
采用先合成含硫醚键的单体, 后进行低温溶液缩聚的方法, 合成高分子量的新型聚芳硫醚酰胺类树脂-聚芳硫醚砜酰胺(PASSA)和聚芳硫醚酮酰胺(PASKA), 其特性粘数分别为0.72 dL/g(NMP为溶剂)和0.62 dL/g(浓硫酸为溶剂), 并对单体及聚合物进行结构与性能表征. 通过热分析得出聚合物PASSA和PASKA的玻璃化温度分别为279.9 ℃和188.7 ℃, 热分解温度分别为461.5 ℃和467.08 ℃, 表明PASSA和PASKA具有优良的热性能; 溶解性实验表明, PASSA和PASKA是一种耐化学腐蚀性的树脂. 相似文献
992.
三聚氰胺热解产物的特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
以有机物三聚氰胺为初始原料, 在真空条件下使其热解(1 000 K). 采用X射线衍射(XRD)、 透射电子显微镜(TEM)、 X射线光电子能谱(XPS)、 化学元素分析(EA)和傅里叶红外光谱(FT-IR) 分析样品的形貌、 成分和结构. 结果表明, 在真空条件下, 三聚氰胺全部分解, 分解产物为片层石墨相C3N4. 相似文献
993.
采用溶胶-凝胶并结合热处理工艺制备LiMn2O4粉体,并利用X射线衍射对粉体的结构进行了表征。结果表明,以硝酸锂、硝酸锰、聚丙烯酸(PAA)为原料,获得了均匀稳定的溶胶。PAA与金属离子摩尔比为0.3∶1时,燃烧热既能满足结晶所需要的热量,又可避免杂相Mn2O3的产生。凝胶烧结过程中在450°C时开始形成尖晶石LiMn2O4纳米粉体,随着烧结温度的升高,LiMn2O4颗粒粒径逐渐增大,结晶度提高,晶体生长更加完整。 相似文献
994.
采用传统固相烧结工艺制备了La掺杂量分别为0,0.1,0.25,0.5 mol的BaBi4Ti4O15 (BBT) 压电陶瓷.通过SEM和XRD分析了BBT陶瓷的表面形貌和物相结构;用介电常数测试仪(LCR)和准静态d33测试仪分别测量了陶瓷的介电常数,介电损耗和压电常数.结果表明:A位La掺杂并未改变BBT陶瓷的晶体结构; 虽然随着La掺杂量的增加(从0~0.5 mol),陶瓷的烧结温度有所提高(从1120℃提高到1150℃),然而它拓宽了BBT陶瓷的烧结温区(从20℃提高到50℃),并细化了陶瓷晶粒; La掺杂量为0.1时,BBLT陶瓷的压电常数比未掺杂的陶瓷增大了将近一倍(13pC/N),同时,与其它掺杂量的BBLT陶瓷相比,该掺杂量的BBLT陶瓷具有同频率下最大的介电常数及最小的介电损耗. 相似文献
995.
锰酸锂电池循环性能的改进 总被引:1,自引:1,他引:0
采用商品化的LiMn2O4和石墨作为正负极材料制作锰酸锂电池,并利用XRD和SEM表征LiMn2O4原料的结构和形貌.研究不同正负极料量比对电池性能的影响,对各个料量比电池循环之后的正极进行XRD分析.研究结果表明:LiMn2O4容量随着正负极料量比的增大而增大,最高达到106 mA·h/g,而电池的循环性能随着正负极料量比的减小而改善,正负极料量比为2.35时,170次循环后电池容量保持率为87.3%,并且在循环过程中,电池循环性能随着循环的进行而改善;循环后的LiMn2O4晶胞发生收缩,LiMn2O4的结构稳定性提高,并且其晶胞收缩程度随着正负极料量比的减小而增加. 相似文献
996.
研究Fe2(SO4)3对竹炭进行表面改性的工艺以及除氟机理。改性实验方法为采用硫酸铁浸泡竹炭,以对氟离子的去除作为目标函数进行研究。研究结果表明:当溶液中Fe2(SO4)3质量浓度为5g/L,pH值为2.43,温度为30℃,改性搅拌时间为7h时,氟离子去除率达到91.7%;改性前后竹炭的官能团未发生较大变化,仅C-O键伸缩振动有一定程度的增强;其除氟机理主要是氟离子与载入竹炭内的铁离子发生配位反应,从而提高了除氟能力。 相似文献
997.
以吡咯和对氨基苯乙酮、3,5-二氯-对氨基苯乙酮、3,5-二溴-对氨基苯乙酮为原料合成了杯[4]吡咯,优化了合成条件,并通过1HNMR,13CNMR和元素分析对化合物的结构进行了确证. 相似文献
998.
在紫外光激发下,植物生长调节剂萘乙酸(NAA)和吲哚-3-乙酸(IAA)均能发射荧光,最大激发/发射波长分别为λex/em=291/337nm,λex/em=287/371nm。研究了酸度、光照时间、温度及共存物对荧光强度的影响。建立了多元校正不经分离同时测定NAA和IAA两组分的新方法。NAA和IAA线性范围分别是6.44×10^-8-29×10^-6mol·L^-1,1.94×10^-8-3.88×10^-7mol·L^-1;最低检测限为2.10×10^-8mol·L^-1,1.08×10^-8mol·L^-1。该法对两组分合成样及强化水样均有较好的解析能力,回收率在92%-103%之间。 相似文献
999.
1000.
Aran背斜是伊朗卡山区块主要勘探目标,前期勘探已揭示其目的层库姆组C4亚段为一套典型的裂缝性储层.在Aran背斜三维地震构造精细解释基础之上,利用并改进构造线曲率法,五点二次拟合法,对贯穿该构造的276条剖面开展了曲率计算,并编制了C4段顶最大曲率平面分布图.结合断裂系统分布,总结出该构造裂缝发育主要分布在背斜的长轴、高点及北西倾伏端,依据曲率值分布,将该背斜划分为3个裂缝带,并依次对其进行了评价,揭示了裂缝发育分布规律.上述认识对该构造的进一步勘探具有参考意义。 相似文献