高精度温度测量系统的设计

介绍了利用高精度温度传感器AD590以及LMX31系列的V/F变换芯片构建的高精度温度测量系统，并运用MAX354芯片实现了8通道的循环检测功能．对系统的测量结果运用C语言在基于单片机的平台上进行了解算．给出了一种实用的高精度温度测量系统设计，在硬件电路、元件选型以及软件设计思路给出了明确方案．经过实际应用表明，此系统实现了高精度的温度测量．     

二苯胺类双席夫碱配体的非线性光学性质理论研究

运用有限场FF/PM3、FF/AM1及ab initio HF/6-31G方法从理论上探讨二苯胺双席夫碱类化合物分子结构特征、构象转化等对电子性质及非线性光学性质的影响,分析了双席夫碱配体偶极矩、极化率、超极化率对构象的依赖关系,为研究二苯胺双席夫碱配合物的非线性光学性质和发光特性奠定了基础.结果表明二苯胺双席夫碱类化合物具有较大的非线性光学系数,从理论上为进一步探索优质非线性光学材料提供依据.     

挤压变形对AZ31镁合金组织和性能的影响

采用500T挤压机试验研究了挤压变形对AZ31镁合金组织和性能的影响。结果表明，挤压变形AZ31镁合金组织以绝热剪切条纹和细小的α再结晶等轴晶为基本特征。挤压变形可显著地细化镁合金晶粒并提高镁合金的力学性能。随挤压比的增大，晶粒细化程度增加，晶粒尺寸由铸态的d400μm减小到挤压态的d12μm（min）；强度、硬度随挤压比的增大而增大，延伸率在挤压比大于16时呈单调减的趋势。     

AZ31镁合金的高温热压缩流变应力行为的研究

在Gleehle-1500热模拟机上对AZ31镁合金在应变速率为0.005-5s^-1、变形温度为250-450℃条件下的流变应力行为进行了研究，结果表明：流变应力行为强烈地受到变形温度的影响，当变形温度低于300℃，流变应力呈现幂指数关系；当变形温度高于350℃时，流变应力呈现指数关系，在本实验条件下，AZ31镁合金热变形应力指数n为7，其热变形活能Q为112kJ/mol。     

玉米秸秆木素的化学结构及热解特性

采用木聚糖酶处理与缓和酸水解相结合的分离方法从玉米秸秆皮质部和玉米全秆中分离出木素，所得木素称为EAL木素．用定量核磁共振磷谱（31^P-NMR）分析了EAL木素的化学结构，并用热重分析法初步评价了分离木素的热解特性．结果表明：玉米全秆EAL木素主要由愈疮木基单元（G-unit）和对羟苯基单元（H-unit）两种结构单元组成；玉米秸秆皮质部EAL木素主要由对羟苯基单元组成；皮质部EAL木素和全秆EAL木素的失重曲线基本相同；在800．00℃时，全秆木素未被分解的部分占12．38％，而皮质部的占21．06％．     

AZ31镁合金热变形过程中的流变应力

在Gleeble-1500热模拟试验机和UTM5305实验机上以不同的变形条件对AZ31镁合金进行高温热变形试验,研究该材料在高温热变形过程中的真应力应变。研究结果证明:在变形过程中的AZ31镁合金的真应力随应变速率增大、变形温度降低而升高。在压缩变形过程中的真应力峰值、真应变和动态再结晶与拉伸变形过程相比有明显差异;该镁合金热变形过程中的真应力为用包含Arrhenius项的Zener-Hollomon参数来描述,其压缩拉伸变形激活能分别为132.38 kJ/mol和Q=255.26 kJ/mol.     

细胞灌注装置的研制及31P NMR谱测试

研制一套细胞灌注装置,将该装置与核磁共振技术联用监测细胞内31P谱。结果表明:本装置温度、流量和压力稳定可控;细胞灌注核磁共振联用方法可在线检测细胞的31P谱,能推测药物作用下细胞内部能量代谢变化。     

AZ31镁合金的研究进展

综述了AZ31镁合金基本特征,讨论了主要合金元素对AZ31镁合金组织和性能的影响、AZ31镁合金的力学性能以及AZ31镁合金的晶粒细化、超塑性的研究现状,对AZ31镁合金的发展前景进行分析,指出应加强其成形技术、镁基复合材料和AZ31镁合金基础理论的研究．     

大应变挤出切削制备AZ31镁合金超细晶带材工艺研究

运用大应变挤出切削(LSEM)方法,采用前角为15°且切屑压缩比λ可调节(分别为1.5,1.0和0.5)的组合刀具制备了具有超细晶结构的AZ31镁合金带材,分析了带材的成型性和形貌,并对比分析带材的显微组织和测量显微硬度。结果表明,切屑压缩比对带材成型有直接的影响,LSEM能显著地细化AZ31镁合金的晶粒及改善其显微组织;晶粒细化后,AZ31镁合金的维氏硬度获得近33%的提升。     

AZ31镁合金等离子体电解氧化工艺优化

利用四因素（Na2SiO3浓度、KOH浓度、电解氧化电压和电解氧化时间）,三水平的田口正交矩阵设计法优化工艺条件,并用动电位极化曲线扫描评价陶瓷膜的耐腐蚀性能。结果表明：镁合金等离子体电解氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能受田口正交矩阵中各水平的影响显著,其中KOH的浓度影响最大;陶瓷膜的耐腐蚀性能的最优实验参数是：Na2SiO3浓度为20 g/L、KOH浓度为4 g/L、电解氧化电压为300 V和电解氧化时间为40 min。