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991.
将菲利浦公司的模拟电视信号采集处理芯片TDA8275、TDA8290和该公司的解码芯片SAA7133,同三星公司的具有PCI接口的ARM9核S3C2510A相结合,设计出具有存储电视节目和上网功能的机顶盒,具有一定的应用价值和市场前景. 相似文献
992.
射频溅射法和电弧离子镀法制备的纳米TiO2薄膜性能比较 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频磁控溅射法和电弧离子镀法制备了纳米TiO2薄膜,并利用XRD、UV-VIS、AFM及通过亲水性和光催化实验对两种方法制备的TiO2薄膜进行了对比表征.结果表明,磁控溅射法的薄膜生长速率只有电弧离子镀法的1/30;前者仅需较低的退火温度就能形成完善的锐钛矿结构;虽然两者有相近的紫外吸收边,但是前者有较大的紫外吸收;磁控溅射法制备的TiO2薄膜表面呈现针状晶结构和具有较大的比表面积;在暗室中保存5 h后,磁控溅射法制备的TiO2膜水的接触角恢复到1°,而后者达到20°;对于光催化降解苯酚,前者有较大的降解率. 相似文献
993.
系统地计算了Nd:YCOB晶体对于1 064 nm的倍频(SHG)、1 061 nm的自倍频(SFD)和808 nm与1 061 nm的自和频(SSFM)时的最佳相位匹配方向和相关非线性系数,结果显示YCOB对1 064 nm的SHG、THGⅠ类相位匹配下的最佳方向不在主平面而是分别位于(θ=66.5°,Φ=143.5°)、(θ=108°,Φ=76.18°)或等价方向(θ=72°,Φ=103.9°),deff分别为0.561 pm/V、deff=0.431 7 pm/V,Ⅱ类条件下的SHG最佳匹配方向为(θ=86°,Φ=73.6°),deff为0.217 pm/V;对Nd:YCOB的1 061 nm的SFD和SSFMⅠ类条件下的相位匹配方向分别位于(θ=66,°Φ=143.3°)和(θ=64,°Φ=133.9°),相应的有效非线性光学系数deff分别为1.004 pm/V和0.894 8 pm/V. 相似文献
994.
建立了一种简便、快速、准确的检测CYP2C9基因Arg144Cys位点和Ile359Leu位点多态性的新方法.该方法采用与模板具有1个碱基错配的引物通过PCR在扩增产物中引进限制性酶切位点,即扩增引进限制性酶切位点(amp lification-created restriction sites,ACRS),其中通过上游引物在扩增Arg144Cys位点的片断中引入AvaⅡ切点,使得野生型基因CYP2C9*1和突变型基因CYP2C9*2的PCR产物中分别含有2个和1个AvaⅡ切点;通过下游引物在扩增Ile359Leu位点的片断中引入MvaⅠ切点,使得野生型基因CYP2C9*1和突变型基因CYP2C9*3的PCR产物中分别含有1个和2个MvaⅠ切点.将来自Arg144Cys位点和Ile359Leu位点的PCR产物各取一份测序,表明错配碱基成功引入PCR产物中.将包含Arg144Cys位点的PCR产物用AvaⅡ消化,将包含Ile359Leu位点的PCR产物用MvaⅠ消化,然后通过聚丙烯酰胺凝胶电泳-银染进行基因分型.由于野生型基因和突变型基因的PCR产物中都至少含有1个酶切位点,能完全避免因限制性核酸内切酶失活或酶切不完全而导致的基因分型错误. 相似文献
995.
以TiO2/SiO2为光催化剂, 在紫外光作用下, 讨论了NO2存在时, 庚烯在TiO2/SiO2上的吸附和光催化降解作用. 通过GC-MS和FT-IR, 分别测定了3种不同体系的反应产物, 从而推测出可能的反应机理. 实验结果表明, TiO2/SiO2对庚烯的最大吸附量Mmax=3.10
mg, 当存在NO2(44.64 μmol/L)时Mmax=3.80 mg. 在光催化降解庚烯的反应中, 当NO2加入量较大(NO2≥89.28 μmol/L)时, 庚烯降解反应速率加快, 但矿化度比无 NO2时的小. 相似文献
996.
两种谷胱甘肽过氧化物酶模拟物抗紫外线损伤的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
考察了紫外线照射小鼠胸腺细胞后, 对细胞存活率、 细胞周期、 细胞凋亡、 脂质过氧化程度以及外源性活性氧含量变化的影响, 表明紫外线对胸腺细胞有严重损伤. 研究了谷胱甘肽过氧化物酶(GPX)的模拟物2-硒桥联β-环糊精和2-碲桥联β-环糊精抵抗紫外线损伤细胞的能力, 结果表明, GPX模拟物能有效地保护细胞, 防止紫外线引起的损伤. 相似文献
997.
采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al2O3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其他物理特性的方法.对Al2O3薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长相互关系的分析,获得了Al2O3薄膜在400~1 100 nm区域内的折射率、吸收系数与入射光波长的关系式,以及Al2O3薄膜厚度的计算公式. 相似文献
998.
粉体颗粒粒度对粉末冶金法制备泡沫铝材料的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用自制的Al-Si合金粉末为原料,将粒度为d<74μm,74μm相似文献
999.
以C鳞片,SiC,B4C和TiO2为原料,在2000℃热压合成C-SiC-B4C-TiB2复合材料.研究复合材料在600~1400℃静态空气中的恒温氧化行为,利用TG/DTA研究复合材料氧化机理,利用XRD,SEM研究复合材料恒温氧化后表面相组成和氧化层剖面的显微结构.结果表明不同C鳞片含量的复合材料的氧化动力学曲线均为抛物线,氧化层可分成氧化膜和过渡层,C鳞片质量分数为20%的复合材料在1400℃时有很好的抗氧化自还原能力,表面生成致密的氧化膜,氧化膜的成分为未形成玻璃态的TiO2或SiO2.TiO2固溶体,组织形貌为枝条状. 相似文献
1000.
以杂环做端基的高自旋双自由基分子的理论研究 总被引:6,自引:6,他引:0
研究了以杂环做端基的高自旋分子对自旋稳定性的影响,用UB3LYP/ 6-31G*方法计算得到分子构型与自旋交换的性质.结果表明:以-·N-O做自旋中心,苯做耦合单元,吡啶、嘧啶、三嗪为端基的分子,-·N-O自由基的体系非常稳定性,同时分子中三重态以三嗪为端基的稳定性最稳定,以嘧啶为端基的稳定性最低;以-·N-S, -·N-O, -·N-NH做自旋中心,苯为耦合单元,吡啶为端基的分子,分子中三重态稳定以-·N-S 为自旋中心的最稳定,以-·C-O为自旋中心的稳定性最低. 相似文献