等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

黑线仓鼠幼鼠温度选择动态与其恒温机制建成预测

用自制的陆生动物温度选择仪研究黑线仓鼠幼体的选择温度随日龄变化的规律。并用模型ｄＴ／ｄｔ＝λ（Ｔ－Ｃ１）（Ｔ－Ｃ２）拟合实验数据效果良好，表明黑线仓鼠幼鼠日龄－选择温度可用该方程的解来描述。从而可预测黑线仓鼠幼鼠恒温机制建成的程度。     

光学介质膜在短型格兰.汤普逊棱镜中的应用

提出了一种冰洲石晶体－光学介质膜结构的短型格兰．汤普逊棱镜设计，研究了全反射光在薄膜上的透射深度，以及透射深度与棱结构角和光波长的关系。     

一种基于I／O通道的智能控制接口设计

在分析了ＰＣ系列微型机Ｉ／Ｏ接口现状的基础上，提出了一种适用于微机控制领域的通用智能接口的设计方法，并对接口的编程和调试作了详细的讨论。     

石墨炉原子吸收光谱法测京万红中的镉

本文研究了利用石墨炉原子吸收光谱法测定京万红中镉．以ＨＮＯ３－ＨＣｌＯ４－Ｈ２Ｏ２处理样品，转化为测定溶液。残留的ＨＮＯ３、ＨＣｌＯ４对测定无影响。可检测０．００２４μｇ／ｇ的镉；精密度达２．４％；回收率在９５－１１０％．     

顶羽菊素的分离和鉴定

从采自青海西州的顶羽菊(Centaurea picris Pall)中分得的一种新的天然偶氮化合物,经 UV.IR.NMR.MS 解析并与合成的目标物对比分析,推定其结构式为2,4-二(邻甲基偶氮苯)-1-萘酚(2,4-Bis(o-tolylazo)naphth-l-ol),定名为顶羽菊素(Centautin).     

单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

高灵敏显色剂meso-四-(4-甲基,3-磺基苯)卟啉间接分光光度法测定微量硫化物

本文利用汞（Ⅱ）－ＴＴＰＳ４的显色反应间接分光光度法测定微量硫化物，灵敏度高，选择 性、稳定性均好．已应用本法测定了温泉水、工业废水中微量硫化物，结果满意．     

系统解耦的一种设计方法

本文给出了在多输入多输出的非解耦系统中,采用单位输出负反馈的系统结构,并且系统前向通路串入解耦补偿器组.可实现系统解耦的一种方法.并分析了系统的解耦条件和解耦补偿器的作用原理,给出了解耦补偿器传递矩阵 G,(s)的计算公式和设计方法.     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。