因子von Neumann代数上的P点＊-Lie导子

运用算子论方法研究因子von Neumann代数上的P点*-Lie导子.设M是Hilbert空间H(dimH≥2)上的因子von Neumann代数,证明了线性映射ф:M→M对所有的A,B∈M都有AB=P(P是一个固定的非平凡投影),如果满足ф([A,B]*)=[ф(A),B]*+[A,ф(B)]*,则ф是*-导子,其中[A,B]=AB-BA,[A,B]*=AB-BA*.     

基于最大差距的置信度评估算法

通过分析传统基于概率度量的K邻近置信度评估方法,提出一种基于最大差距的置信度评估方法,并在UCI数据集上对两种方法进行对比实验.实验结果表明,基于最大差距的置信度评估方法在宏平均召回率、宏平均精度及所用时间上均优于K邻近置信度评估方法,从而可进一步优化半监督分类学习中数据样本的置信度评估.     

伞齿轮精锻模超塑成形热喷涂层的超塑性固相扩散焊接

本文研究了３Ｃｒ２Ｗ８ＶＡ钢伞齿轮精锻模型腔火焰喷涂Ｇ１１２ＷＣ合金层及在模具精密成形时涂层的超塑性扩散焊接。在８２０℃，应变速率ε为３×１０－４ｓ－１的压缩条件下．基材和涂层均发生超塑协调变形，实现稳定可靠的超塑固相连接。研究表明，此时涂层孔洞闭合，涂层颗粒间界及涂层与基材的结合界面完全焊合。超塑性扩散焊接涂层的结合强度与高频和火焰重熔涂层相当，其耐磨性比高频重熔和火焰重熔高２０％～３０％，比改善前３Ｃｒ２Ｗ８ＶＡ模具高达６０％以上。     

S_2O_8~(2-)/CaO·Fe_2O_3光催化降解罗丹明B的研究

采用共沉淀法合成新型催化剂S2O28-/CaO.Fe2O3粉体。用红外光谱对其结构进行表征,并考察了助催化剂H2O2的用量、催化剂的投加量以及不同光源对罗丹明B溶液催化降解的影响。实验结果表明,所研制的S2O28-/CaO.Fe2O3粉体为固体超强酸,粒径处于纳米数量级,且其在紫外光区556 nm处有个紫外特征峰。在浸渍液(NH4)2S2O8浓度为0.5 mol/L、S2O28-/CaO.Fe2O3投加量为0.03g/25 mL、H2O2用量为1.00 mL/25 mL下,对浓度为0.6 g/L的罗丹明B溶液在自然光下静置1 h,其降解率可达99.2%。同时还初步探讨了催化降解过程中物理现象与化学性质分析、酸中心的形成机理及催化剂失活的可能原因。     

北京棒杆菌天冬氨酸激酶突变体P184Q的酶学性质表征

通过分析谷氨酸棒杆菌天冬氨酸激酶(AK)的结构,筛选可能影响别构抑制剂结合的Pro184位点,对其进行饱和定点突变,成功筛选出突变菌株P184Q.酶学性质研究表明:突变体P184Q的V_(max)比野生型(WT)提高了3倍;n=1.39,低于WT的值(2.6),正协同性下降,同时Km值减小,对底物的亲和力增大;P184Q最适pH=6.5,最适反应温度为25℃,半衰期为2.8h;P184Q对金属离子和有机溶剂均表现出良好的抗性,解除抑制剂苏氨酸和甲硫氨酸、赖氨酸和甲硫氨酸、苏氨酸和赖氨酸、赖氨酸对酶活力的抑制作用.     

罗丹明B-7碘-8-羟基喹啉-5-磺酸胶束体系荧光熄灭法测定钒

研究了在HAcNH4 Ac介质中钒罗丹明B 7碘 8羟基喹啉 5磺酸表面活性剂四元体系的荧光特性 ,提出了以罗丹明B 7碘 8羟基喹啉 5磺酸溴代十六烷基三甲铵荧光熄灭法测定钒的方法 .该法测定V(Ⅴ )的线性范围为 0 .1～ 6.0 μg/L ,检出限为 0 .0 0 68μg /L .采用适当掩蔽剂 ,测定了自来水中的微量元素钒 ,获得了满意的结果     

偏Doi-Hopf模的Maschke型定理

通过引入偏Doi-Hopf模积分映射的概念, 证明了经典表示理论中的Maschke型定理在偏Doi Hopf模条件下仍成立, 即如果(H,A,C)是带有正规积分映射的偏Doi-Hopf数据, 映射f: M→N是偏Doi Hopf模同态, 则只要f作为右A 模映射存在截面映射（收缩映射）, 则f作为偏Doi-Hopf模映射也存在截面映射（收缩映射）.     

8PSK中频数字化发射机中多级滤波器的研究与设计

本文介绍了8PSK调制方式的原理和相应中频数字化发射机的系统结构,并进一步提出了发射机中多级滤波器各自的作用及实现方法。针对数字化基带成形的处理特点,该文提出一种基于分布式算法和查找表的高速成形滤波器实现方法以基于现场可编程门阵列（FPGA）芯片实现根升余弦FIR,滤波器,以及由CIC内插滤波器实现了发射机中的增采样功能。整个设计采用硬件描述语言VerilogHDL实现,通过仿真验证了以这些方法来实现相应的功能是可行的。     

基于DDS算法的新型多功能开关电源的研制

提出了一种三相交流36 V开关稳压电源的设计思路.此设计采用TOP系列单片开关电源芯片来代替传统的线性稳压芯片,利用高频变压器来代替传统变压器,极大的缩小设计体积;采用高性能8位单片机ATmega8模拟DDS算法来进行编程控制,从而产生交流36 V,400 Hz中频逆变稳压输出.