银杏外种皮提取物浸种对三种植物种子萌发和幼苗生长的影响

本文研究了不同浓度银杏外种皮提取物浸种对小麦、玉米、大豆萌发和幼苗生长的影响.结果表明:低浓度提取物可提高小麦、大豆和玉米种子的萌发率、发芽率;促进幼苗地上和地下部分生长,其中作用最明显的为500倍提取物的稀释液.在萌发期,500倍稀释液浸种液处理:提高小麦和玉米幼苗的淀粉酶和叶绿素的含量,促进大豆幼苗叶绿素和蛋白质含量提高,而高浓度的银杏外种皮提取物稀释液处理则降低小麦和玉米幼苗的淀粉酶和叶绿素的含量,也使大豆幼苗叶绿素和蛋白质含量降低.     

高光谱遥感图像异常检测研究进展

高光谱遥感图像异常检测即是对遥感图像中与背景存在显著光谱差异的像元进行识别,它在灾害预测和环境监测等领域具有很大应用价值.异常检测受到遥感学界的普遍重视,这些年来对异常检测开展的研究取得了不少成果.高光谱图像异常检测研究最初基于传统数据处理和信号分析方法,随着高光谱图像数据处理研究的深入及数据挖掘技术和智能学习方法等相关技术的发展,现在呈现智能和联合处理的新方向.文章对异常检测算法近来的研究进展进行的介绍以期为异常检测的相关研究提供一定参考.     

面向高光谱影像分类的改进局部切空间排列降维

提出多策略提升的局部切空间排列算法来解决常规局部切空间排列降维在高光谱影像分类中计算复杂度高的问题.通过引入随机映射来预先减少高光谱影像波段数,降低后续k-邻域和局部切空间构建的计算复杂度;采用递归兰索斯切分算法快速构建近似k-邻域,降低常规k-邻域构建的计算时间;采用快速近似奇异值分解算法提高全局排列矩阵的本征分解计算速度.利用两个不同的高光谱数据集,设计4组实验来分析多策略速度提升的局部切空间排列算法的计算性能和分类效果.实验证明,相比常规局部切空间排列方法,多策略提升的局部切空间排列方法损失约1%左右的总体分类精度却能够提高至少3倍的计算速度.     

超导纳米线单光子探测器研究新进展

现代科学技术已经发展到利用单个光子的量子态载运信息和进行计算.因此,高效、灵敏地探测单个光子是量子计量、量子通信、非线性光学等量子信息科学研究中最基础的技术之一.超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种新型单光子检测器,具有暗计数低、探测速率高、检测频谱宽等优点,在众多领域存在潜在应用.本文概述了超导单光子探测器的工作机制和理论模型,重点介绍了兼容4inch硅工艺的SNSPD器件的关键技术工艺,如器件设计、材料结构、制备工艺和封装技术等.研制的超导单光子探测器,在1550nm波段,系统的单光子检测效率最高达到75%,暗计数小于100cps,与国际最好水平相当.在不断提高SNSPD性能研究的同时,还开展了利用SNSPD进行光子数分辨的研究,以及将其应用于光时域反射仪(OTDR)中,进行长距离光纤状态的分析和检测研究.     

SASI高光谱数据在油气勘探中的应用

以最新获取的准噶尔盆地吉木萨尔地区高光谱SASI数据为例,首先对该数据进行坏波段去除,大气校正以及波谱重建等预处理;然后对重建数据进行降维降噪,提纯和N维可视化,并且基于光谱特征吸收峰的光谱识别准则,提取出与贮藏油气有关的方解石和伊利石的光谱信息,最后运用混合调制匹配滤波技术对异常区填图.结合已有地质资料分析和野外验证,所提取出的蚀变信息与油气区地质情况基本吻合,准噶尔盆地为高光谱遥感技术勘探油气提供一定的地质依据.     

硬夹矸大采高工作面煤壁稳定性分析

目前,大采高工作面采矿工作以其安全性高、生产能力强、资源回升快等优点在矿区得到了广泛应用。笔者分析了煤层硬夹矸对大采高工作面煤壁稳定性的影响机制,并在理论分析基础上,结合室内试验、现场实测方法,对煤层硬夹矸片帮机理进行了验证。     

胜宏科技(惠州)股份有限公司

正胜宏科技(惠州)股份有限公司于2006年7月落户惠阳区淡水镇新桥村行诚科技园,占地面积23万多平方米。胜宏科技是惠州市区域科技上市成长型企业、惠阳区百亿元培育企业,同时也是中国印制电路行业协会(CPCA)的常务理事单位,是行业标准的制定单位之一。公司专业从事高精密度多层线路板的研发、生产和销售,主要产品为双面板、多层板(含HDI)等,产品广泛用于计算     

X波段0.18μm CMOS5位数字移相器

设计了一款应用于相控阵雷达系统,工作频段8 GHz~12 GHz,中心频率为10 GHz的5位数字移相器,该移相器采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现.五位移相单元分别为11.25°、22.5°、45°、90°和180°,其中180°移相单元采用高-低通滤波器型结构,其余移相单元采用低通π型滤波器结构.通过合理选择参数模型和拓扑结构,优化版图布局设计,实现了电路性能并给出仿真结果.在工作频率范围内,32种移相状态的相位均方根误差1.08°,幅度均方根误差1.14 d B,插入损耗值保持在14 d B~20 d B范围内,版图尺寸为2.85×1.15 mm2.     

高效功率放大器温度可靠性研究

该文研究了Ga N HEMT开关类功率放大器的直流特性和功率传输特性随温度变化的现象.本文基于Ga N HEMT设计了开关E类功率放大器,并通过加速寿命试验的方法研究了该功率放大器的直流和交流温度特性.研究表明由于Ga N HEMT的高温退化特性使得所设计的开关E类功率放大器的工作电流、小信号增益及最大输出功率等随温度升高均有降低.     

一种用于大电流LED驱动的高侧电流检测电路

针对LED驱动中宽输入电压范围和高精度检测的要求,提出了一种高侧电流检测电路.采用互补金属氧化物半导体(CMOS)器件作为放大器,通过检测串联在电路中的采样电阻两端电压差的大小,用滞回控制方法控制电流回路的通断,能精确控制0.5~5 A的输出电流,在5~40 V电压下达到了3%的检测精度.该电路结构简单,通过0.6μm5~40VCMOS-双重扩散金属氧化物半导体(CDMOS)工艺流片验证,芯片测试结果表明电路工作良好,能满足要求.