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911.
通过分析数字上变频器系统的工作过程及其主要参数对输出信噪比的影响,合理设计差分电压、预加重电路和高速串行发送器等的布局,有效提高数字上变频电路的性能.实际仿真和硬件测试表明,所设计的数字上变频器可将基带信号直接上变频到907.2 MHz频率上,实现阻带衰减达35 d B,提高了发射端信号的有效性和准确性,可以满足全数字发射机的应用要求. 相似文献
912.
数值计算分析是一种研究高速碎片特性的有效方法.利用硼硅酸玻璃作为基材,在真空环境下接受高速碎片冲击,模拟爆轰试验场景,根据硼硅酸玻璃表面的损伤形貌,通过数值计算得到高速碎片的质量与速度分布情况.研究表明,高能內爆产生的碎片质量为10-7~10-3 mg,速度为5.2×103~10.0×103 m/s.计算结果可为高能內... 相似文献
913.
为了研究高台阶抛掷爆破台阶坡面速度场分布规律以及实现对最大抛掷速度和最远抛距的预测,以相似理论为基础,基于台阶模型试验相似准则,在试验场按相似材料配比浇筑了5个以黑岱沟露天煤矿为原型的相似材料台阶模型,并进行了单排孔台阶模型爆破试验.基于高速摄影观测结果,得出台阶坡面鼓包中心运动速度呈现出加速-匀速-二次加速-减速"的特征,并基于相似理论预测出高台阶抛掷爆破中抛体的最远抛距为108.11 m,最大抛掷速度为24.01 m/s. 相似文献
914.
基于N-S方程及k-ε两方程紊流模型,采用有限元法对2列高速列车在隧道内交会时引起的车内压力变化及各参数对乘坐舒适性的影响进行了仿真分析.研究结果表明:2列高速列车在隧道内会车时的瞬变压力值与列车会车的地点、列车长度、列车速度及列车的密封指数均有关系,同车长、车速、密封指数的情况下,会车在隧道中部时瞬变压力变化值最大;同隧长、车速、密封指数的情况下,会车于相同地点时,较长车长的瞬变压力最大变化值要高于较短车长的;当列车的密封指数大于15s时,各种计算工况均能满足列车内瞬变压力容许值1.25kPa/3s的评价标准. 相似文献
915.
916.
王智 《科技导报(北京)》2016,34(16):121-138
2016年美国光纤通讯展览会及研讨会(OFC)报道了光传输速率105.1 Tbit/s、传输距离14350 km的实验方案,高速光传输技术日渐成熟丰富,全光交换成为全光网的关键。光交换网络节点对高速光信号进行处理,主要包括全光逻辑、波长变换、全光缓存、全光计算等核心全光信号处理技术。本文在课题组研究工作基础上,介绍现代高速光通信中全光数字信号处理技术。 相似文献
917.
基于山科PLC的高速灌装线专用控制系统 《山东科学》2016,29(1):116-120
针对食品安全、溯源及监管的需求,在已有高速灌装线上加装了基于OmniView的视频检测系统,设计、开发了高速灌装生产线专用控制系统。控制系统应用WINCE Qt 4.7.3,基于山科PLC平台开发,具有包装外观质量检测、不良产品剔除以及生产日期/条码&二维码/批次编码校验等专用功能,实现了灌装、检测的融合。该系统已经在大容量装液体食品无菌砖型纸盒灌装机中应用,满足了灌装线的高速要求,运行稳定、可靠,提升了灌装产品的质量,为产品的整个追溯过程提供了依据。 相似文献
918.
针对有代表性密闭取芯岩芯平行样,分别进行油水饱和度和油水高速离心驱替实验核磁共振分析,定量获得
储层目前剩余油饱和度、采出油相对量、可动油饱和度及驱油效率上限等参数,对比各参数建立储层可动剩余油饱和
度核磁共振分析方法。研究表明,建立岩芯饱和油束缚水状态和水驱油的最佳离心力分别为2.250 MPa 和0.220 MPa,
4 个渗透率级别(>50、[10,50)、[1,10)和<1 mD)储层采出油饱和度分别为23.49%、16.81%、8.70% 和9.99%,可动油
饱和度分别为50.34%、43.76%、29.67% 和22.89%,可动剩余油饱和度分别为26.85%、26.95%、20.97% 和12.90%,由
于储层非均质性影响,大于10 mD 储层采出油明显高于10 mD 以下储层,但大于10 mD 储层可动油饱和度较高,故可
动剩余油饱和度也较高,小于1 mD 的储层可动剩余油明显低于其他储层。 相似文献
919.
1课题研究目标
本课题进行高速高效刀具切削性能测试平台的研究开发,探索高速高效刀具切削过程中的切削力、切削热、刀具寿命等的变化规律,对揭示刀具损坏规律有重要意义,为刀具切削材料性能的优化设计与刀具材料的合理选择奠定应用技术基础;用反求分析和CAE仿真分析手段,对刀具切削刃几何角度和刀具结构参数进行优化设计研究,建立高速高效刀具的结构设计体系,开发高速高效刀具三维CAD参数化、模块化设计平台,形成具有自主知识产权的刀具设计软件。 相似文献
920.
提出一种新型RAM锁存器, 通过引入并行充电支路, 可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比, 新结构不仅能提高充电速度, 而且能降低短路功耗。 此外, 新结构中时钟负载只有一个MOS管, 能有效降低时钟功耗。 Hspice仿真结果表明, 新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8%和25.5%, 功耗延迟积分别降低19.8%和26.9%。 相似文献