Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

重视高科技发展展示新兴产业亮点--投洽会胜利闭幕科技界成果丰硕

由中华人民共和国商务部主办、联合国贸发会议和世界投资促进机构协会协办、福建省人民政府、厦门市人民政府和商务部投资促进事务局承办的第七届中国投资贸易洽谈会(简称投洽会)于2003年9月11日胜利闭幕了。厦门科技参展团积极参与投洽会的各项活动,推出并签订了一批成熟的项目,推动了国内外客商对厦门的投资,成果丰硕。     

推动安徽省高新技术产业开发区二次创业的若干思考

进入21世纪,高新技术发展日新月异,高新技术产业已成为带动区域经济发展的主要力量,作为高新技术产业化基地的高新区建设已进入二次创业阶段.面对国内外竞争日益严峻的发展形势,本文通过对合肥、芜湖、蚌埠3个高新技术产业开发区(以下简称高新区)的调研情况进行分析探讨,提出了安徽省高新区二次创业的对策.     

配合物稳定性顺序的测定

本文通过化学分析的实验方法测定了第一过渡元素几种二价中心离子与EDTA配合形成的过渡金属配合物的稳定性顺序:Mn2+Zn2+,从实验数据得到证实,中心离子对配合物的稳定性影响与理论上的判断相吻合。     

粒子线径对液-固相界面反应活化能的影响

提出了液-固相界面反应的活化能应包含表面吉布斯自由能γ,得到:E0=Eα+βSmγ　　　　　(I)　　　　k=k0exp(3MβγρRT.1r)　　　　　　　　　(II)t0=ρr3-2α0(3-2α)(4π)α-1k0(III)t1=∫t00ρ(4π)α-1k0r2(α-1)exp(-3MβγρRT.1r)( )采用粒径为147μm锡粒与甲基磺酸反应,其t0为t1的几十倍之多,用实验证明了该假定的正确性。     

关于静电场能量的讨论

该文剖析了静电能，自能，相互作用能和电场能的内涵及它们之间的关系。     

关注中国高新区聚焦“二次创业”

国家高新技术产业开发区建立以来,得到了超常规的发展,探索出一条具有中国特色的发展高新技术产业的道路。2002年是国家科技部提出国家高新技术产业开发区实施“二次创业”的起始之年,为配合“二次创业”宣传服务,本刊特邀请有关领导、学者就“二次创业”的相关问题进行研讨。     

高新区的技术创新与管理创新浅析

国家高新技术产业开发区建立以来,得到了超常规的发展,探索出一条具有中国特色的发展高新技术产业的道路。2002年是国家科技部提出国家高新技术产业开发区实施“二次创业”的起始之年,为配合“二次创业”宣传服务,本刊特邀请有关领导、学者就“二次创业”的相关问题进行研讨。     

独辟蹊径求创新培育产业谋发展--访沈阳市副市长兼高新区管委会主任、经济学博士王翔坤

沈阳国家高新技术产业开发区经过10多年的建设和发展,已形成以电子信息、先进制造、生物制药、新材料为主导,节能与环保技术、数字医疗器械为优势的高新技术产业框架,成为科技创新、人才培养、成果孵化、高科技商务商贸等多功能并举的地方科技与经济发展的动力源和活力源.当前,以"创新、产业化"为主题的"二次创业"成为我国高新技术产业开发区的共同话题和目标,也给沈阳高新区的发展带来新的发展机遇和挑战.近日,本刊记者专访了沈阳市副市长兼高新区管委会主任、经济学博士王翔坤.     

浅析大学科技园的发展模式

分析了大学科技园发展过程中存在的问题，并就大学科技园的发展模式进行了探讨。