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171.
热膨胀是陶瓷材料重要的物理性能.具有超低膨胀特性(α<1×10~(-6)/℃)的陶瓷材料在许多高技术领域有着重要的应用.80年代中期发现了以NaZr_2P_3O_(12)为母相的Na_2O—ZrO_2-P_2O_5-SiO_2系统超低膨胀陶瓷.由于它们还具有优良的抗热冲击性能、低的导热系数和适当的强度,有希望发展成理想的热机部件结构陶瓷材料.这些化合物通常具有磷酸锆钠型结构,属六方晶系(三方晶系,空间群R(?)c).其热膨胀参数可用两个主热膨胀系数α_α和α_(?)即垂直和平行于六方c轴的热膨胀系数来表示.这种由PO_4四面体和ZrO_6八面体共用顶角氧联结形成的开放式骨架结构,其某些离子可被广泛替代,形成一系列类似结构具有相异性能的化合物.本文研究不同组成的磷酸锆锶钾系统陶瓷材料的各个热膨胀系数随温度的变化及各向异性性质,以寻找零膨胀陶瓷的组分及探讨该类陶瓷何以具有超低热膨胀性能的本质.1 实验 相似文献
172.
Ar-N_2体系的研究对大气化学有重要意义.近年来,通过分子束散射实验、相互作用维里系数与温度的关系、气体的输运性质、场致效应和弛豫现象等的计算值与观测值的比较确定了该体系的势能函数 CPV,BTT,M3SV.MMSV和MMSV’.这些势能函数通常由Morse函数,3次样条函数和 van der Waals函数组成的分段函数来表达,它们分别具有不同的势能参数值.最近,Jager和Gerry在分子束装置中利用微波 Fourier变换光谱技术观测到了Ar-N_2,Ar-~(14)N~(15)N和Ar-~(15)N_2微波谱,得到了这些体系的振转跃迁频率.这些观测数据为研究势能面的径向关系提供了直接的依据.由于Ar-N_2分子的van der Waals键的离解能较低(77.96.cm~(-1)),其振动态在基频即出现大振幅振动,相应的波函数分布在势能面上很宽的区域内,使得传统的分子光谱分析方法失效,也使得求解 van der Waals分子的核运动Schr(?)dinger方程比稳定分子更加困难.本文应用离散变量表示方法 DVR分别对这5个势能函数计算出Ar-N_2体系的振转能级和波函数,通过振转激发态的跃迁频率的计算值与观测值的比较考察这5个势能函数的质量,从中选出最优的势能函数,并预测了一些目前尚未观测到的谱带频率,振转跃迁的谱线强度和同位素位移效应. 相似文献
173.
探讨螺旋面铣削时的共轭界限、干涉等问题,得出干涉的必要条件,讨论了接触线上干涉点的特征。 相似文献
174.
对现有数控线切割机锥度切割机构进行了分析,并提出了一种解决大锥度切割的新机构,并对其工作原理进行了详细介绍。 相似文献
175.
圆环是工程上常见的一种曲面.圆环与平面相交可以产生各种不同的截交线.本文对圆环曲面截交线的种类,性质进行了分析与讨论. 相似文献
176.
用示差扫描量热法(DSC)和电阻测量研究高温时效对Cu—Zn—Al—Mn合金相变的影响.实验结果表明,刚制备的试样在第一次升温的DSC测量发现在130℃附近有一个放热峰,该峰可能与正交晶系的9R贝氏体形成之前溶质原子(Zn)产生析出有关。经高温时效后,大约在265℃附近发现了与9R贝氏体成核并且迅速大在有关的放热峰,并得到电阻实验证实。 相似文献
177.
178.
本文对三相四线制电路的中性线问题进行理论分析。认为,中性线使用不当,将造成极为严重的后果。因此对中性线不应采取随便态度,而应注意中性线的选择。文章提出了对三相四线制电路中性线的具体要求。 相似文献
179.
采用透射电镜研究了快速凝固Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si合金在600℃长时间热暴露后强化相的转化行为.结果发现,高温下稳定性极好的Al12(Fe,V)3Si相在600℃时粗化速率明显加快.在有些强化相颗粒粗化的同时,伴随部分小尺寸颗粒的溶解.随热暴露时间的延长,强化相体积分数减小,粗化的颗粒外形由球形变为多边形,半共格关系遭到破坏.热暴露200h后,在基体中有异常粗大的Al13(Fe,V)形成,该相为底,X单斜结构,相内为孪晶结构. 相似文献
180.
运用Collins公式对受光阑限制的聚焦拉盖尔-高斯光束的轴上光强分布、相对焦移及三维光强分布进行了数值计算和分析讨论. 相似文献